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万里

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇氧化硅
  • 2篇三嵌段
  • 2篇嵌段
  • 2篇吸附剂
  • 2篇介孔
  • 2篇介孔二氧化硅
  • 2篇磺酸基
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇改性
  • 1篇氮化镓
  • 1篇三甲氧基硅烷
  • 1篇三嵌段共聚物
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇嵌段共聚
  • 1篇嵌段共聚物
  • 1篇甲氧基
  • 1篇甲氧基硅烷
  • 1篇共聚
  • 1篇共聚物
  • 1篇硅烷

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇万里
  • 2篇齐涛
  • 1篇胡桂青
  • 1篇陆沅
  • 1篇刘祥林
  • 1篇段晓峰
  • 1篇孔翔
  • 1篇王乙潜

传媒

  • 1篇电子显微学报

年份

  • 2篇2025
  • 1篇2002
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种改性介孔二氧化硅吸附剂及其制备方法和应用
本发明公开了一种改性介孔二氧化硅吸附剂及其制备方法和应用，涉及多孔材料制备技术领域。本发明所提供的改性介孔二氧化硅吸附剂的制备方法，首先使硅源在含模板剂的溶液中水解形成二氧化硅的初步框架，而后加入含有巯基、磺酸基、氨基中...
胡国平易恩杰齐涛万里黄仁峰兰昊饶富
(111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察被引量：4
2002年
胡桂青孔翔王乙潜万里段晓峰陆沅刘祥林
关键词：TEM氮化镓透射电子显微镜薄膜生长
一种改性介孔二氧化硅吸附剂及其制备方法和应用
本发明公开了一种改性介孔二氧化硅吸附剂及其制备方法和应用，涉及多孔材料制备技术领域。本发明所提供的改性介孔二氧化硅吸附剂的制备方法，首先使硅源在含模板剂的溶液中水解形成二氧化硅的初步框架，而后加入含有巯基、磺酸基、氨基中...
胡国平易恩杰齐涛万里黄仁峰兰昊饶富
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