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马朝晖
作品数:
7
被引量:6
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海技术物理研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
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合作作者
沈学础
中国科学院上海技术物理研究所
陆卫
中国科学院上海技术物理研究所
刘兴权
中国科学院上海技术物理研究所
茅惠兵
中国科学院上海技术物理研究所
陈效双
中国科学院上海技术物理研究所
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1篇
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1篇
1995
4篇
1994
共
7
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GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器实用性探讨
被引量:1
1994年
通过长波GaAs/GaAlAS量子阱红外探测器线列在红外像机上的应用演示及其成像效果与传统HgCdTe探测器的比较,直接地显示了GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器在红外焦平面应用领域具有很强的竟争力.
陆卫
欧海江
陈敏辉
马朝晖
刘兴权
黄醒良
茅惠兴
蒋伟
沈学础
顾勇华
叶礼斌
关键词:
多量子阱
红外探测器
红外成象
GaAs/AlGaAs Fibonacci准周期超晶格带间跃迁的光谱研究
1995年
运用光致荧光,光调制反射和光电流谱等方法研究了11级的GaAs/AlGaAS Fibonacci准周期超晶格的带间跃迁,并用转移矩阵方法计算了Fibonacci准周期超晶格和相应的周期性超晶格的子能级和子能带.理论计算与实验结果符合得很好.
茅惠兵
陆卫
马朝晖
张家明
姜山
沈学础
关键词:
砷化镓
ALGAAS
光谱
超晶格
带间跃迁
GaAs(100)同质外延表面相变的动态过程研究
被引量:3
1997年
本文叙述了用CCD系统对MBE生长中RHEED图案强度变化进行实时监测,通过(00)级条纹的RHEED强度分析,直接给出了不同生长条件下表面相变的动态过程,得到了从C(4×4)到α(2×4)的连续相变过程,进一步给出了不同条件下的表面化学配比情况.
刘兴权
陆卫
马朝晖
陈效双
乔怡敏
万明芳
沈学础
关键词:
砷化镓
分子束外延
关于多量子阱光谱的部分相干模型计算
被引量:1
1994年
详细探讨了多层膜反射光谱的理论计算.考虑了在实际光谱测量中光源有限相于长度对膜层和衬底结构样品的影响,提出了一种简易实用计算方法,并在相应的实验光谱计算中显示出这种方法的优越性.
马朝晖
陆卫
刘兴权
茅惠兵
邱岳明
沈学础
关键词:
光谱
相干长度
GaAs分子束外延生长的MonteCarlo模拟
被引量:1
1994年
用MonteCarlo方法模拟了GaAs(001)面的邻晶面上的分子束外延的生长过程,模拟的基本模型是常用的SOS模型,结果显示在A类邻晶面上二维成核模式起主委作用,但在B类邻晶面低温下是二维成核模式起主要作用,但在高温下台阶成核模式成了主要的成核模式.另外在高温和低温下都存在成核原子数的饱和现象.
茅惠兵
陆卫
马朝晖
刘兴权
沈学础
关键词:
砷化镓
分子束外延
蒙特卡罗模拟
GaAs/AlGaAs近表面单量子阱的光调制光谱研究
1998年
我们利用光调制反射光谱研究了GaAs/AlGaAs单量子阱,观察到了电子的11H及11L跃近.通过改变表面垒的厚度,使得真空垒对阱中电子态影响发生变化,由于量子阱中电子态所受的约束的加强,我们观察到了价带到导带的跃迁明显的蓝移(HH1到E1,LH1到E1).这种蓝移的现象可以用方势阱加真空势垒及内建电场的模型来解释.
刘兴权
陆卫
徐文兰
穆耀明
陈效双
马朝晖
沈学础
关键词:
砷化镓
镓铝砷化合物
多层薄膜材料光谱的理论计算
马朝晖
俞锦壁
关键词:
光谱分析
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