程国新
- 作品数：8 被引量：24H指数：3
- 供职机构：国防科学技术大学光电科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程理学一般工业技术电子电信更多>>
- 基于TM_(0mn)模式微波介质材料复介电常数的测量被引量：5
- 2009年
- 提出了一种基于闭式谐振腔TM0mn模式测量微波介质材料复介电常数的方法。利用模式匹配技术、Ritz—Galerkin方法以及传输模品质因数测量法导出了介质材料相对介电常数和损耗角正切的测量公式。最后，利用矢量网络分析仪对常用天线罩材料进行了扫频测量，结果表明：高分子量聚乙烯在3～6GHz范围内的相对介电常数为2．30±0．05，损耗角正切为（1．8～2．O）×10^-4。
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- 关键词：复介电常数品质因数
- 刻槽绝缘子真空表面闪络特性分析被引量：12
- 2012年
- 基于一台长脉冲低阻抗强流相对论电子束加速器,对聚四氟乙烯、高分子量聚乙烯和聚碳酸酯在真空百ns高压脉冲下的绝缘特性进行了测量,重点研究了周期刻槽结构对材料绝缘强度的提升能力。实验表明:刻槽结构的引入可以有效地提高介质材料的闪络时延;聚碳酸酯是3种材料中比较优越的一个,刻槽处理可以使其闪络延时获得90%左右的提升。扫描电镜分析的结果也表明材料的表面特性是影响介质样品闪络时延的一个重要因素。
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- 关键词：长脉冲
- 薄板型介质材料复介电常数的无损测量被引量：3
- 2013年
- 采用带法兰结构的TE01n圆柱谐振腔,用无损检测的方法测量薄板型微波介质材料的复介电常数。利用轴向模式匹配法对谐振腔内的电磁场进行了求解,给出了相对介电常数和损耗角正切的计算公式,并利用矢量网络分析仪对几种常用微波介质材料进行了测量,其结果表明:该测量方法对相对介电常数的测量误差不超过1%,而对损耗角正切的测量误差不超过10%。该方法还具备一腔多模的测试能力,测量频率可调,可用于介质材料频率特性的测量。
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- 关键词：介质材料复介电常数谐振腔品质因数
- 刻槽结构高功率微波输出窗次级电子倍增效应被引量：5
- 2013年
- 从理论上分析了周期性矩形刻槽对喇叭天线输出窗真空侧次级电子倍增的影响。采用动力学方法分析得到电子沿介质窗表面运动的渡越时间和碰撞能量,验证得到一定尺寸的矩形刻槽介质窗可以有效抑制次级电子倍增效应。在此情况下,对比了刻槽和不刻槽两种输出窗的辐射特性,发现周期2mm、宽度1mm、深度1mm的矩形刻槽对介质窗辐射特性的影响可以忽略。
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- 关键词：高功率微波输出窗
- 高功率微波输出窗真空—介质界面击穿研究
- 真空与介质界面的电击穿是限制高功率微波（HPM）能量传输和辐射的根本性因素。出于满足高功率微波对输出窗功率容量的需求,本论文从次级电子倍增理论出发,对输出窗击穿的物理问题进行了研究。论文首先根据J. R. M. Vaug...
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- 关键词：输出窗高功率微波蒙特卡罗方法复介电常数
- 刻槽绝缘子真空表面闪络光学特性被引量：2
- 2013年
- 利用超高速相机Hsfc-Pro对绝缘子真空表面闪络光学特性进行了研究,重点分析了平板和刻槽结构圆盘形介质样品在指状电极下闪络通道的差异以及刻槽结构对材料绝缘强度的提升。实验结果表明:槽纹的引入改变了闪络通道的形成位置,平板结构介质样品的表面闪络一般是沿两电极中心连线发展,而刻槽结构介质样品的表面闪络则是沿介质边缘发展。这导致后者的闪络时延至少是前者的π/2倍,证明了刻槽结构可以在不增加器件尺寸的前提下有效提高介质材料的绝缘强度。
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- 关键词：光学诊断长脉冲
- 高功率微波输出窗真空表面闪络研究
- 随着高功率微波技术的发展，微波辐射系统所需传输的微波功率已达到数GW量级，微波脉宽已达到百ns量级，这使得输出窗真空-介质界面的击穿成为一个十分常见的现象。该击穿的产生，不仅造成了辐射微波脉宽的缩短，而且制约了高功率微波...
- 程国新
- 关键词：高功率微波输出窗功率容量介电性能
- 刻槽绝缘子真空表面闪络特性分析
- 基于一台长脉冲低阻抗强流相对论电子束加速器，对聚四氟乙烯、高分子量聚乙烯和聚碳酸酯在真空百ns高压脉冲下的绝缘特性进行了测量，重点研究了周期刻槽结构对材料绝缘强度的提升能力。实验表明：刻槽结构的引入可以有效地提高介质材料...
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- 关键词：绝缘子材料性能扫描电镜
- 文献传递
