王鑫
- 作品数：9 被引量：16H指数：2
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- p-on-n型10μm像元间距长波1280×1024红外探测器制备研究
- 2024年
- 采用p-on-n结构的碲镉汞红外探测器芯片的暗电流低、少子寿命长,是目前高性能红外探测器的主流发展方向。为了满足未来红外探测器小型化的发展需求,开展了p-on-n型10μm像元间距长波1280×1024探测器芯片研究。针对As离子注入激活、长波小间距芯片制备技术的难点,开展了As离子注入技术、As激活退火技术的研究分析。通过不同的表征方法验证了最佳条件,并通过器件工艺进行了探测器芯片的制备。测试其I-V特性曲线,获得了性能较好的探测器芯片。该研究对小像元间距p-on-n型长波碲镉汞焦平面器件的制备具有重要意义。
- 王鑫刘世光张轶王丹宁提
- 关键词：碲镉汞
- 富汞热处理对碲镉汞电学性能的影响
- 2021年
- 对用液相外延(Liquid Phase Epitaxy,LPE)方法生长的碲镉汞(HgCdTe)材料进行了闭管富汞热处理,并研究了不同的热处理时间和热处理温度对其电学性能的影响。通过对HgCdTe材料进行富汞热处理可以有效降低材料内的缺陷尺寸、密度以及位错密度,并可完成材料由p型到n型的转变。工艺中,低温热处理对HgCdTe材料的电学性能有较大影响。研究发现,随着低温热处理时间的持续增加,HgCdTe材料的载流子浓度会明显增加。而当低温热处理温度在210℃~250℃范围内变化时,保持低温热处理时间不变,热处理后HgCdTe材料的载流子浓度会在一定范围内波动(无明显变化)。通过对HgCdTe器件进行I--V曲线测试以及最终的组件测试发现,热处理后载流子浓度在1×1013~1×1014 cm-3范围内的HgCdTe芯片具有很好的测试结果。
- 王鑫赵东生
- 关键词：碲镉汞电学性能
- 分子束外延In掺杂硅基碲镉汞研究
- 2023年
- 利用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)系统生长了In掺杂硅基碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, MCT)材料。通过控制In源温度获得了不同掺杂水平的高质量MCT外延片。二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometer, SIMS)测试结果表明,In掺杂浓度在1×1015~ 2×1016 cm-3之间。表征了不同In掺杂浓度对MCT外延层位错的影响。发现位错腐蚀坑形态以三角形为主(沿<111>方向排列),且位错密度与未掺杂样品基本相当。对不同In掺杂浓度的材料进行汞饱和低温处理后,样品的电学性能均有所改善。结果表明,In掺杂能够提高材料的均匀性,从而获得较高的电子迁移率。
- 王丹李震高达邢伟荣王鑫折伟林
- 关键词：分子束外延碲镉汞
- 制冷型大面阵红外探测器研制进展被引量：7
- 2019年
- 作为未来红外探测器的主流发展方向之一,大面阵红外探测器近年来的发展非常迅速,主要用于天体物理学、地球科学和行星科学等领域,并且是未来地球天气与气候描述、空气污染检测方面的一种主要工具。随着面阵规格和材料尺寸的增加,器件的制作难度也越来越大。重点介绍了目前国际上最常见的两种制冷型红外探测器——HgCdTe和InSb红外探测器。结合国内外的一些文献,总结了这两种红外探测器的大面阵技术的发展状况,并重点介绍了当前全球行业领先的几家红外探测器厂商的相关产品及技术水平。最后指出了大面阵红外探测器研制目前存在的主要问题。
- 王鑫周立庆谭振
- 关键词：碲镉汞红外探测器焦平面阵列
- 碲镉汞红外探测器性能调控技术研究被引量：1
- 2021年
- 对影响Hg_(1-x)Cd_(x)Te红外探测器性能的不同调控技术——包括材料调控(组分及温度、掺杂浓度、压强及应力等对材料性能的调控)、器件结构调控(n-on-p、p-on-n、p-i-n、n-B-n等器件结构的调控)和工艺调控(各种工艺调控对材料制备和器件制备等的影响)等——进行了简单介绍,以合理调控器件性能、有效降低器件暗电流、提高器件工作温度等,从而促进Hg_(1-x)Cd_(x)Te红外探测器在降低成本、减小功耗、提高可靠性等方面的发展。
- 何温王丛田震王鑫高达杨海燕柏伟
- 关键词：红外探测器
- 高质量碲镉汞双层异质结材料制备被引量：1
- 2024年
- 本文重点介绍了富汞垂直液相外延技术,在对该技术进行研究时,提出了一种温场优化方法和一种生长方法来提升材料质量和工艺稳定性。最后介绍基于双层异质结材料采用台面结器件加工等碲镉汞探测器组件制备方法,制备中波、长波和甚长波碲镉汞探测器组件的进展情况。
- 郝斐折伟林杨海燕刘兴新胡易林邢晓帅刘世光王鑫孙浩
- 关键词：碲镉汞
- 退火工艺对HgCdTe材料位错密度及电学性能影响的研究被引量：2
- 2023年
- 实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响。结果表明:相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降低,并且材料的迁移率有了显著的提升。研究发现循环变温退火是一种较好提升HgCdTe材料性能的热处理方法。
- 邢晓帅折伟林杨海燕郝斐胡易林牛佳佳王鑫赵东生
- 关键词：碲镉汞位错密度电学性能载流子迁移率
- 红外探测器用微型杜瓦冷指结构优化设计被引量：5
- 2007年
- 文章介绍采用MSC.PATRAN 2006和MSC.NASTRAN 2006用于对封装红外探测器的微型杜瓦冷指结构进行力学和热学分析的方法,从而获得冷指薄壁部分壁厚的优化设计。
- 林日东王鑫孟令伟
- 关键词：红外探测器优化设计
- p-on-n型碲镉汞小间距探测器研究
- 2025年
- p-on-n结构的碲镉汞红外探测器芯片的暗电流低、少子寿命长,是目前高性能红外探测器的主流发展方向,同时,为了满足未来红外探测器小型化的发展需求,本文主要针对p-on-n型长波10μm像元间距1280×1024探测器芯片进行了研究,采用了p-on-n异质结的技术路线,对小间距台面成型及钝化技术进行研究,通过SEM评价台面及钝化形貌,通过CV测试评价出钝化层质量,并进行了探测器的研制,采用半导体参数测试仪对芯片在77 K下进行pn结的I-V特性的评价,测试出IV特性曲线,并对芯片进行倒装互连电路进行了性能测试,获得了性能较好的探测器芯片。该研究对小间距长波p-on-n碲镉汞焦平面器件的制备具有重要意义。
- 王鑫刘世光张轶赵旭豪王娇
- 关键词：碲镉汞
