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王衍

作品数:8 被引量:6H指数:2
供职机构:贵州大学更多>>
发文基金:贵州省科技厅国际合作项目贵州省国际科技合作计划贵州省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信化学工程电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇真空
  • 5篇真空退火
  • 5篇退火
  • 3篇真空退火炉
  • 3篇射速
  • 3篇双层膜
  • 3篇退火炉
  • 3篇SUB
  • 3篇FESI
  • 3篇掺杂
  • 2篇化物
  • 2篇溅射
  • 2篇硅化物
  • 2篇SI
  • 2篇CR掺杂
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇气相沉积
  • 1篇微结构
  • 1篇物理气相沉积

机构

  • 8篇贵州大学

作者

  • 8篇王衍
  • 8篇马道京
  • 8篇张晋敏
  • 8篇谢泉
  • 5篇朱培强
  • 5篇陈站
  • 3篇梁艳
  • 3篇曾武贤
  • 3篇肖清泉

传媒

  • 3篇纳米科技
  • 2篇2009第八...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
制备Cr掺杂β-FeSi<Sub>2</Sub>薄膜的工艺方法
本发明公开了一种磁控溅射方法制备Cr掺杂β-FeSi<Sub>2</Sub>薄膜的工艺方法。它包括以下过程:第一,清洗Si片;第二,采用磁控溅射方法,在Si片衬底上沉积Cr/Fe或Fe/Cr双层膜,或Fe/Cr/Fe多层...
谢泉张晋敏肖清泉梁艳曾武贤王衍马道京
文献传递
环境友好半导体β-FESI2薄膜的制备方法研究
本文对环境半导体β-FESI2薄膜的制备方法工艺进行了回顾和总结,对β-FESI2薄膜的热处理工艺进行了综述。分析了制备和热处理过程中薄膜沉积方法和沉积条件、沉积速率、薄膜厚度、热处理方法和热处理条件等因素对β-FESI...
马道京张晋敏王衍朱培强陈站谢泉
文献传递网络资源链接
退火对FE(200 NM)/SI系统中硅化物的形成和显微结构的影响
本文采用直流磁控溅射方法,在SI(100)衬底上沉积厚约200 NM纯金属FE膜,随后在真空退火炉中不同退火条件下对样品进行热处理,形成FE-SI化合物薄膜。X-射线衍射(XRD)分析了FE-SI 化合物的形成及晶体结构...
王衍张晋敏马道京朱培强陈站谢泉
关键词:磁控溅射真空退火
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制备Mn掺杂β-FeSi<Sub>2</Sub>薄膜的工艺方法
本发明公开了一种磁控溅射方法制备Mn掺杂β-FeSi<Sub>2</Sub>薄膜的工艺方法,其特征在于:它包括以下过程:第一,清洗Si片;第二,采用磁控溅射方法,在Si片衬底上沉积Mn/Fe或Fe/Mn双层膜,或Fe/M...
谢泉张晋敏肖清泉曾武贤梁艳王衍马道京
文献传递
退火对Fe(200nm)/Si系统中硅化物的形成和微结构的影响被引量:1
2010年
采用直流磁控溅射方法,在Si(100)衬底上沉积厚约200nm纯金属Fe膜,随后在真空退火炉中不同退火条件下对样品进行热处理,形成Fe—Si化合物薄膜,利用X-射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对Fe—Si化合物进行表征分析,研究了退火条件对厚膜系统中Fe—Si化合物薄膜的形成、晶体结构和表面形貌的影响。
王衍张晋敏马道京朱培强陈站谢泉
关键词:磁控溅射真空退火
制备Cr掺杂β-FeSi<Sub>2</Sub>薄膜的工艺方法
本发明公开了一种磁控溅射方法制备Cr掺杂β-FeSi<Sub>2</Sub>薄膜的工艺方法。它包括以下过程:第一,清洗Si片;第二,采用磁控溅射方法,在Si片衬底上沉积Cr/Fe或Fe/Cr双层膜,或Fe/Cr/Fe多层...
谢泉张晋敏肖清泉梁艳曾武贤王衍马道京
文献传递
环境友好半导体β-FeSi2薄膜的制备方法研究被引量:3
2009年
分析了制备和热处理过程中薄膜沉积方法和沉积条件、沉积速率、薄膜厚度、热处理方法和热处理条件等因素对β-FeSi2相的形成的影响,结果表明,影响β-FeSi2相形成的决定性因素是热处理的温度和时间,此外薄膜的沉积方法和薄膜厚度对β-FeSi2相也有重要的影响。
马道京张晋敏王衍朱培强陈站谢泉
金属间化合物Fe3Si的制备方法被引量:2
2011年
文章综述了金属间化合物Fe3Si制备方法的研究现状,详细介绍了Fe3Si的几种常用制备方法,如分子束外延(MBE)、脉冲激光沉积(PLD)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和机械合金化(MA),最后归纳了金属间化合物Fe3Si研究面临的主要问题,展望了今后的发展趋势。
陈站张晋敏朱培强谢泉马道京王衍
共1页<1>
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