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王润声
作品数:
247
被引量:14
H指数:1
供职机构:
北京大学
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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文化科学
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合作作者
黄如
北京大学微电子学研究院
黎明
北京大学
樊捷闻
北京大学
艾玉杰
北京大学
邹积彬
北京大学
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2篇
2008
2篇
2007
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一种一维到三维边界热阻的测试结构和方法
本发明公开了一种一维到三维边界热阻测试方法,该方法利用一种简单的测试结构,该测试结构包括长方体A、长方体B和纳米线三部分,长方体A和长方体B之间由悬空的纳米线相连。通过两组测试结构1和测试结构2的纳米线的整体热阻R<Su...
黄如
林增明
王润声
邹积彬
李佳
许晓燕
跨层互连结构的制备方法、跨层互连结构及半导体器件
本申请提供一种跨层互连结构的制备方法、跨层互连结构及半导体器件。方法包括:提供一半导体衬底;在半导体衬底上形成一个或多个互连单元;其中,每一个互连单元通过依次执行以下步骤进行制备:在半导体衬底上依次沉积形成浅沟槽隔离结构...
吴恒
郭睿
卢浩然
孙嘉诚
王润声
黎明
黄如
半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备
本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备,该方法包括:提供一衬底;衬底包括横向扩散区域和核心区域;在横向扩散区域进行离子注入,以形成P型阱区和N型漂移区;刻蚀横向扩散区域和核心区域,以形成鳍状结构;鳍状...
吴恒
王逸勐
王润声
黎明
黄如
一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台;源端为多晶硅,位于圆环形Si台的上端;漏端位于圆环形Si台下端的外侧;栅位于圆环形Si台的外侧面;在圆环形Si台的内...
艾玉杰
郝志华
黄如
浦双双
樊捷闻
孙帅
王润声
许晓燕
一种基于CPU和GPU协同的混合专家模型推理方法
本发明公开了一种基于CPU和GPU协同的混合专家模型推理方法,属于深度学习(machine learning)领域。本发明构建混合专家模型的CPU‑GPU计算框架,有效平衡异构计算资源负载,显著提升硬件利用率;且提供基于...
李萌
孙延范
仲书璋
王润声
垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管、器件及设备
本申请提供一种垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管、器件及设备。其中,制备方法包括:在衬底上层叠沉积第一材料层、第二材料层以及第三材料层,以形成第一半导体结构;刻蚀第一半导体结构的第一区域,以形成第二半导体结构,第二半导体结...
吴恒
王逸勐
黄如
王润声
黎明
半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备
本申请提供一种半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备,该方法包括:在半导体衬底上形成有源结构;基于第一有源结构,形成第一半导体结构;基于第二有源结构,形成第二半导体结构;对第一半导体结构的第一栅极结构和第二半导...
吴恒
孙嘉诚
卢浩然
王润声
黄如
无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法
本发明提供了无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法。所述器件的源漏左右对称,测试仪连接源漏的探针及电缆左右对称,首先控制栅、源、漏的偏压设置使器件处于不形成反型层且栅介质层陷阱不限制电荷的初始状态,然后通过改变...
邹积彬
黄如
王润声
艾玉杰
樊捷闻
半导体结构的制备方法、以及半导体结构
本申请提供一种半导体结构的制备方法、以及半导体结构。该方法包括:在衬底上形成有源结构,其中,有源结构至少包括第一部分和第二部分;基于有源结构的第一部分,形成第一晶体管,其中,有源结构的第一部分对应的第一有源区与衬底之间形...
吴恒
王润声
黎明
卢浩然
黄如
一种蒙特卡洛仿真的闪烁噪声统计方法
本发明公布了一种蒙特卡洛仿真的闪烁噪声统计方法,属于集成电路设计自动化领域。本发明将闪烁噪声看作由器件中所有陷阱俘获/释放载流子产生的随机电报噪声(RTN)叠加而成,通过对每个陷阱导致的随机电报噪声进行单独仿真,再将得到...
王润声
刘明昊
孙梓轩
张嘉阳
黄如
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