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张良

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：上海交通大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇氧化层
  • 1篇整流
  • 1篇直流-直流变...
  • 1篇直流变换
  • 1篇直流变换器
  • 1篇同步整流
  • 1篇拓扑
  • 1篇拓扑电路
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇变换器
  • 1篇TIO2薄膜
  • 1篇TIO_2薄...
  • 1篇DC
  • 1篇DC-DC变...
  • 1篇DC-DC变...
  • 1篇DC变换器
  • 1篇MOS
  • 1篇MOS结构

机构

  • 2篇上海交通大学
  • 1篇山东大学

作者

  • 2篇张良
  • 2篇陆鸣
  • 1篇许效红
  • 1篇王民

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇压电与声光

年份

  • 2篇2003
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
新型MOS氧化层TiO_2薄膜
2003年
采用低压MOCVD法在(111)取向硅基上制备了TiO2薄膜代替通常MOS结构的SiO2,并测量了TiO2薄膜的介电常数、表面固定电荷密度和电阻率,与SiO2作比较,结果表明:TiO2的MOS结构比SiO2具有更优良的性质,更适应于超大规模集成电路制造。
张良陆鸣王民许效红
关键词：TIO2薄膜MOS结构介电常数
降低同步整流DC-DC变换器损耗技术的新拓扑被引量：3
2003年
介绍了开关电源的同步整流原理,列出了采用同步整流技术直流-直流变换器的几种主要损耗,着重分析了两种降低主要损耗的新型优化拓扑电路以及其优缺点。
张良陆鸣
关键词：同步整流直流-直流变换器拓扑电路
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共1页<1>
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