孙聂枫
- 作品数：242 被引量：80H指数：6
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项浙江省公益性技术应用研究计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺化学工程更多>>
- 对InP单晶片抛光中表面粗糙度的工艺研究
- 采用化学机械平坦化(CMP)技术，对VGF法生长的磷化铟(InP)单晶片抛光，研究了抛光去除速率与晶片表面粗糙度的关系。通过分析不同流量、压力时去除速率的变化，进而对表面粗糙度的影响，确定了物理作用与化学作用的匹配关系。
- 王阳孙聂枫孙同年刘惠生王书杰李晓岚邵会民
- 关键词：磷化铟CMP去除速率表面粗糙度
- 大直径InP单晶生长研究
- 本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个重要因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为100-142mm...
- 孙聂枫杨瑞霞周晓龙孙同年
- 关键词：磷化铟单晶生长孪晶
- 文献传递
- InP在太阳电池中的应用及进展被引量：2
- 2014年
- 介绍了国内外InP太阳电池的发展现状,对InP太阳电池的技术及其优势进行了分析。探讨了反向生长和低温键合对InP多结太阳电池质量的影响,指出其不仅可以降低位错等缺陷,提高太阳电池的转换效率,并且可以节约材料,一定程度上降低成本。InP纳米线太阳电池制造工艺简单,发展迅速,通过堆叠多个子电池可以实现高的转换效率,是未来InP太阳电池的发展方向之一。高聚光太阳电池已成为全球太阳电池的焦点,高聚光性结合低温半导体键合技术,更高转换效率的InP太阳电池一定会实现。
- 李玉茹付莉杰史艳磊孙同年孙聂枫
- 关键词：键合技术抗辐射
- 一种离心扩散合成化合物的装置和方法
- 一种离心扩散合成化合物的装置和方法，属于化合物半导体技术领域，所述装置包括恒温腔、离心扩散系统、气源供气系统、金属滴液系统，所述方法包括：将合成所需的材料分别放置在金属滴液系统和气源供气系统中，将恒温腔升温并保持，将气氛...
- 史艳磊孙聂枫 徐成彦 秦敬凯 王书杰 付莉杰 徐森锋 康永 姜剑 刘惠生邵会民王阳李晓岚 刘峥 张晓丹 张鑫 李亚旗 赵红飞 薛静 谷伟侠 吴中超 吴畏 高鹏 王赫
- InP高压直拉单晶炉的热场优化设计与分析被引量：3
- 2018年
- 高压直拉单晶炉的热场对磷化铟(InP)晶体生长过程有重要影响,存在缺陷的热场很难生长出合格的InP单晶,因此对InP晶体生长的热场进行优化设计与分析非常必要。提出了采用新型的碳/碳(C/C)复合材料加热器、复合固化硬毡为保温筒的热场结构,并通过仿真设计优化了InP单晶热场,解决了原有的以石墨加热器和碳纤维软毡为基础的InP单晶热场稳定性和对称性差以及使用寿命短的问题。经过实验测试,加热效率提高了25%,使用寿命达到90炉以上。
- 梁仁和曾周末孙聂枫王书杰孙同年
- 关键词：晶体生长
- 一种垂直温度梯度凝固制备磷化铟晶体的装置及方法
- 一种垂直温度梯度凝固制备磷化铟晶体的装置及方法，涉及半导体材料的制备。装置包括炉体、坩埚、离心电机、注入系统，方法的关键在于，在合成过程中，旋转坩埚，使坩埚中的熔体在离心力的作用下贴在坩埚侧壁上；将气泡注入金属熔体靠近坩...
- 党冀萍孙聂枫王书杰徐森锋史艳磊刘峥邵会民姜剑李晓岚王阳张晓丹康永刘惠生
- 一种可控温度梯度的晶体生长装置及方法
- 一种可控温度梯度的晶体生长装置及方法，涉及半导体、光学晶体及金属晶体制备领域，晶体生长装置包括坩埚及配套组件、熔体温度梯度控制机构、晶体温度梯度控制机构；熔体温度梯度控制机构设置在坩埚内部，包括升降杆、加热板；晶体温度梯...
- 党冀萍孙聂枫 史艳磊 徐成彦 秦敬凯 王书杰 刘峥 付莉杰邵会民 刘惠生王阳李晓岚马春雷 王维 康永 李亚旗 赵红飞
- 一种高纯半导体单晶热等静压连接的装配结构
- 一种高纯半导体单晶热等静压连接的装配结构，属于半导体材料制备领域，具体涉及将多块小尺寸单晶通过热等静压方式制备成大尺寸单晶的装配结构。结构中包括包套和置于包套内部的晶块单元，所述包套由包套主体和包套上盖组成，所述包套主体...
- 王书杰孙聂枫孙同年刘惠生徐森锋
- 文献传递
- 一种VB/VGF法晶体生长用石英管及装置
- 本发明提供一种VB/VGF法晶体生长用石英管及装置，涉及化合物晶体生长技术领域，采用的技术方案是：一种VB/VGF法晶体生长用石英管，包括石英管体和石英帽，关键在于，所述石英管体上部沿周向设置开口向上的支撑槽，所述石英帽...
- 邵会民孙聂枫孙同年刘惠生王书杰史艳磊康永姜剑付莉杰张晓丹
- 文献传递
- 一种半绝缘磷化铟的制备方法
- 一种半绝缘磷化铟的制备方法，属于晶体制备领域，使用半绝缘磷化铟的制备装置完成，所述制备装置包括密闭的炉体及炉体内的坩埚，包括以下步骤：步骤A、加热铟，形成铟熔体；步骤B、炉体内充入0.02‑0.3MPa的氢气，保压1‑5...
- 王书杰孙聂枫徐森锋孙同年刘惠生
- 文献传递
