刘广元
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- 双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应
- 2011年
- 基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验发现,在硅量子线中分别观察到背栅和侧栅调制的单电子效应和库仑振荡现象.从微分电导的二维灰度轮廓图,清楚地观察到了库仑阻塞区,说明由于栅压导致在硅量子线中形成了库仑岛.
- 张贤高方忠慧陈坤基钱昕晔刘广元徐骏黄信凡何飞
- 二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应用被引量：1
- 2010年
- 从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜上直接制备了2D的有序纳米硅(nc-Si)阵列.测试结果表明:2D的nc-Si阵列的周期和PSGM的相一致,晶化区域与理论模拟的结果符合得很好.
- 严敏逸王旦清马忠元姚尧刘广元李伟黄信凡陈坤基徐骏徐岭
- 关键词：纳米硅菲涅耳衍射
