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张小宾

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 8篇成核
  • 6篇氮化镓
  • 5篇晶体
  • 5篇晶体质量
  • 4篇缺陷密度
  • 4篇铟镓氮
  • 3篇氮化铟
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶薄膜
  • 2篇倒装
  • 2篇三元合金
  • 2篇势垒
  • 2篇外延层
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇金属有机物
  • 2篇金属有机物化...
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇蓝宝石衬底

机构

  • 11篇中国科学院

作者

  • 11篇张小宾
  • 11篇李晋闽
  • 10篇肖红领
  • 10篇王晓亮
  • 10篇王翠梅
  • 10篇杨翠柏
  • 8篇胡国新
  • 6篇冉学军
  • 6篇李建平
  • 4篇冉军学
  • 1篇王占国

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
生长氮化铟单晶薄膜的方法
本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成...
王晓亮肖红领胡国新杨翠柏冉学军王翠梅张小宾李建平李晋闽
文献传递
蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长
2007年
采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的InN单晶薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.INN(0002)X射线双晶衍射摇摆曲线的半峰宽为9.18;原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为18.618nm;Hall测量得到的InN薄膜的室温背景电子浓度为1.08×1019cm-3,相应的迁移率为696cm2/(V·s).
肖红领王晓亮杨翠柏胡国新冉军学王翠梅张小宾李建平李晋闽
关键词：氮化铟MOCVD迁移率
蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长
采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.InN (0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半峰宽为9....
肖红领王晓亮杨翠柏胡国新冉军学王翠梅张小宾李建平李晋闽
关键词：MOCVD生长气相沉积晶体质量
文献传递
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
一种单结铟镓氮太阳能电池结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面，该成核层可增加衬底表面的成核密度；一非有意掺杂氮化镓缓冲层，该非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在低温氮化镓成核...
王晓亮肖红领杨翠柏胡国新冉学军王翠梅张小宾李建平李晋闽
文献传递
倒装双结铟镓氮太阳能电池结构
一种倒装双结铟镓氮太阳能电池结构，包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在氮化镓成核层的上面；一n型掺杂In<Sub>a</Sub>Ga<Sub>1-a</Sub>N层制作在非有意掺杂...
王晓亮杨翠柏肖红领胡国新冉学军王翠梅张小宾李晋闽
文献传递
p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法
本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂In<Sub>x</S...
张小宾王晓亮肖红领杨翠柏冉军学王翠梅李晋闽
倒装双结铟镓氮太阳能电池结构
一种倒装双结铟镓氮太阳能电池结构，包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在氮化镓成核层的上面；一n型掺杂In<Sub>a</Sub>Ga<Sub>1－a</Sub>N层制作在非有意掺杂...
王晓亮杨翠柏肖红领胡国新冉学军王翠梅张小宾李晋闽
文献传递
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
一种单结铟镓氮太阳能电池结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面，该成核层可增加衬底表面的成核密度；一非有意掺杂氮化镓缓冲层，该非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在低温氮化镓成核...
王晓亮肖红领杨翠柏胡国新冉学军王翠梅张小宾李建平李晋闽
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p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法
本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂In<Sub>x</S...
张小宾王晓亮肖红领杨翠柏冉军学王翠梅李晋闽
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生长氮化铟单晶薄膜的方法
本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成...
王晓亮肖红领胡国新杨翠柏冉学军王翠梅张小宾李建平李晋闽
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