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张东国

作品数：27 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 3篇标准

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 13篇氮化
  • 8篇迁移率
  • 7篇氮化铝
  • 7篇氮化物
  • 7篇氮化镓
  • 7篇晶体管
  • 7篇化物
  • 6篇晶体
  • 6篇晶体质量
  • 6篇成核
  • 5篇单晶
  • 5篇异质结
  • 4篇单晶薄膜
  • 4篇电子迁移率
  • 4篇碳化硅
  • 4篇金属有机物
  • 4篇高电子迁移率
  • 4篇高电子迁移率...
  • 4篇衬底
  • 3篇低应力

机构

  • 27篇中国电子科技...

作者

  • 27篇张东国
  • 27篇李忠辉
  • 16篇彭大青
  • 8篇董逊
  • 8篇李亮
  • 7篇杨乾坤
  • 6篇李传皓
  • 4篇倪金玉
  • 3篇吴维丽
  • 3篇高汉超
  • 2篇赵志飞
  • 2篇章咏梅
  • 2篇孔月婵
  • 2篇许晓军
  • 2篇罗伟科
  • 2篇陈堂胜
  • 2篇李赟
  • 2篇霍帅
  • 1篇尹志军

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 7篇2022
  • 3篇2021
  • 4篇2018
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料及其生产方法
本发明公开了一种AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料及其生产方法，所述AlGaN/GaN/InGaN双异质结材料包括在衬底上依次生长的下列各层：GaN成核层、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN保护层、GaN沟...
董逊许晓军章咏梅彭大青张东国李亮李忠辉
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一种交替供源制备的氮化物单晶薄膜及方法
本发明是一种利用交替供源制备的高质量氮化物晶薄膜，其结构是在单晶衬底上是氮化铝AlN缓冲层；在氮化铝AlN缓冲层上是氮化物单晶薄膜。其制备方法，包括如下工艺步骤：a)单晶衬底放入反应室，高温烘烤；b)在单晶衬底上制备Al...
李忠辉彭大青张东国
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一种交替供源制备的氮化物单晶薄膜及方法
本发明是一种利用交替供源制备的高质量氮化物晶薄膜，其结构是在单晶衬底上是氮化铝AlN缓冲层；在氮化铝AlN缓冲层上是氮化物单晶薄膜。其制备方法，包括如下工艺步骤：a)单晶衬底放入反应室，高温烘烤；b)在单晶衬底上制备Al...
李忠辉彭大青张东国
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一种提高超薄氮化镓场效应管晶体质量的外延方法
本发明公开了一种提高超薄氮化镓场效应管晶体质量的外延方法，属于半导体外延材料技术领域。本方法利用金属有机物化学气相沉积等材料生长技术，通过前期有机镓源浸润预处理改善氮化铝/氮化镓界面质量，抑制界面位错的生成，并在后期进行...
张东国李忠辉
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一种低热阻氮化镓高电子迁移率晶体管外延材料制备方法
本发明公开了一种低热阻氮化镓高电子迁移率晶体管外延材料制备方法，属于半导体外延材料技术领域。该方法利用高温化学气相淀积设备对碳化硅衬底表面进行高温刻蚀，使衬底表面呈现可控原子级台阶形貌，再利用金属有机物化学气相淀积技术在...
张东国李忠辉
一种低应力高质量氮化物材料外延方法
本发明提供一种低应力高质量氮化物材料外延生长方法，步骤包括S1.采用MOCVD设备，选择单晶衬底，清除衬底污染物；S2.通入金属有机源，生长成核层；S3.关闭金属有机源，通入三甲基镓，生长第一层GaN缓冲层；S4.原位刻...
杨乾坤李忠辉彭大青李传皓张东国徐轩
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碳化硅外延片表面缺陷测试方法
本标准规定了碳化硅外延片表面缺陷密度的光学测试方法。本标准适用于在4H晶型碳化硅衬底上生长了同质外延层的外延片的表面缺陷密度测试，样品表面法线方向为[0001]方向，且其偏离角度不应大于8°。
李赟王翼吴维丽赵志飞高汉超张东国李忠辉
一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法
本发明是一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法，包括如下步骤：1）选择一氮化镓衬底，转移入MOCVD系统中；2）在衬底上进行短时间快速刻蚀；3）在快速刻蚀后进行长时间慢速刻蚀，在衬底表面形成六棱锥微结构；4）侧向生长合并六...
罗伟科李亮李忠辉张东国彭大青董逊
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复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构
本发明是复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，其结构是衬底上是生长成核层；成核层上是第一缓冲层；在缓冲层上是生长缓冲层；在第二缓冲层上是生长沟道层；在沟道层上是生长势垒层；其生长方法包括，衬底经清洗、吹干后在反应...
彭大青李忠辉董逊李亮倪金玉张东国
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一种薄外延层氮化镓高电子迁移率晶体管材料的外延方法
本申请公开了一种薄外延层氮化镓高电子迁移率晶体管材料的外延方法，首先采用氨气脉冲与Al源流量调制的方法生长AlN，在反应腔通氨气时，通高流量三甲基铝，降低V/III比，改善氮化铝质量；反应腔不通氨气时，通低流量三甲基铝，...
杨乾坤彭大青李忠辉张东国李传皓
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