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孙辉

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇防盗
  • 4篇防盗器
  • 3篇电路
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇迁移率
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体器件
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应管
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电子电路
  • 2篇定时器
  • 2篇虚拟专用网
  • 2篇异构
  • 2篇异构系统
  • 2篇栅极
  • 2篇删除
  • 2篇收银台
  • 2篇图案
  • 2篇专用网

机构

  • 23篇华为技术有限...

作者

  • 23篇孙辉
  • 8篇冯金章
  • 2篇陈红
  • 2篇孙东旺
  • 2篇周开来
  • 1篇黄伯宁
  • 1篇杨松

年份

  • 3篇2025
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 8篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2007
  • 1篇2005
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
桌子（二）
1．本外观设计产品的名称：桌子（二）。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于主要用于收银，和/或，电脑显示器的支撑，和/或，陈列和展示物品，和/或，用作与顾客现场互动。;3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的整...
冯金章孙辉
半导体器件及其制备方法
本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件的第二区具有TGV，包括衬底以及依次层叠设置于衬底上的磊晶层、第一介质层、第一金属层、第二介质层、保护层以及第二金属层；第一金属层位于第一区；第二介质层具有贯穿第二介质层...
杨城鑫孙辉曾威杨钢宜
一种混合栅场效应管及制备方法、开关电路
本申请提供了一种混合栅场效应管及制备方法、开关电路，混合栅场效应管包括沟道层，以及与沟道层层叠设置的源极、漏极和栅极结构。栅极结构采用混合栅结构，其由两种材质制备而成。栅极结构包括第一结构层和第二结构层。第二结构层包裹第...
罗睿宏黄伯宁孙辉蒋其梦包琦龙陈智斌
场效应管、其制备方法及电子电路
本申请提供了一种场效应管、其制备方法及电子电路，在制备时，在衬底上依次形成沟道层、控制栅极层、金属栅极层、硬质掩膜层和光刻胶层后，形成第一光刻胶掩模图案，对硬质掩膜层进行干法刻蚀，形成第一硬质掩膜图案，对第一光刻胶掩膜图...
易洪昇孙辉 胡浩林 高彪
文献传递
一种氮化镓器件及其制造方法、电子设备
本申请实施例公开了一种氮化镓器件及其制造方法、电子设备，氮化镓器件可以包括氮化镓层、氮化镓层一侧表面的势垒层以及势垒层的背离氮化镓层一侧的栅极，氮化镓层具有栅极区域和栅极区域外围的非栅区域，势垒层的组成材料的元素包括铝(...
唐高飞上田大助孙辉包琦龙王汉星
一种基于异构系统的表连接优化方法、CPU和加速器
本发明公开了一种基于异构系统的表连接优化方法、CPU和加速器，通过结合CPU和加速器各自的优势特性，将任务分配和调度等复杂的逻辑控制，以及表的拆解和元组的重构等复杂的数据结构的处理交由CPU完成；将两表连接的高密计算交由...
周开来孙辉陈红孙东旺
文献传递
桌子（一）
1．本外观设计产品的名称：桌子（一）。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于主要用于收银，和/或，电脑显示器的支撑，和/或，陈列和展示物品，和/或与顾客现场互动。;3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的整体造型...
冯金章孙辉
半导体器件及其制备方法、电子设备
本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低栅极漏电，提高器件稳定性和可靠性。半导体器件包括衬底、异质结构、栅帽层、栅极和阻隔层。异质结构位于衬底上。栅帽层位于异质结构远离衬底的一侧...
杨松侯勇刘通孙辉
移动终端展示防盗器(一)
1．本外观设计产品的名称：移动终端展示防盗器(一)。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于主要用于移动终端展示和防盗。;3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状设计。;4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照...
吴宁凡王梦瑶孙辉
收银台（三）
1．本外观设计产品的名称：收银台（三）。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品主要用于收银，和/或，电脑显示器的支撑，和/或，陈列展览物品，和/或，用作与顾客现场互动的柜台。;3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的...
冯金章孙辉
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