刘涌
- 作品数：7 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：电子电信兵器科学与技术军事自动化与计算机技术更多>>
- 高可靠磁盘驱动器的可靠性论证
- 1995年
- 摘要与结论本文叙述了高可靠磁盘驱动器的可靠性论证工作。
- UDayaPerera刘涌
- 关键词：磁盘驱动器可靠性
- 超薄型SM封装外壳的可靠性研究
- 1996年
- 由于电子设备的重量越来越轻、体积越来越小、功能越来越先进,因此,更薄的IC封装外壳,尤其是表面安装(SM)用封装外壳的需求量不断增大。目前,这些封装外壳正越来越多地用于办公室自动化设备、消费电子设备、工厂自动化设备和通信设备中。为了满足这些需求,如同TSOP(薄小外形封装外壳)和TQFP(薄扁方形封装外壳)一样的、最大厚度为1mm的超薄型塑封外壳已在夏普公司研制成功,目前正在大量生产。
- 刘涌
- 关键词：IC可靠性
- 美国海军武器中心的试验与评价能力简介
- 1995年
- 海军武器中心是美国导弹武器系统进行研究、开发、试验和评价的最大机构,位于洛杉矶以北240公里的沙漠地区。该中心于23年前成立了环境工程与评价部,它位于“中国湖”综合区的隔离地带。在过去几年中,该中心建立了若干新设施,以便为装弹军械提供高质量的环境与安全试验。该中心的非破坏性试验设施还提供若干设备来评价各种环境条件对军械零件的影响。
- W.W.Parmenter刘涌
- 全文增补中
- 国外塑封微电路的可靠性改进技术概况被引量：3
- 1997年
- 本文根据国外文献的报导，概述了塑封微电路的发展概况、可靠性现状与可靠性改进技术。
- 刘涌柯行鉴
- 关键词：可靠性塑封微电路集成电路
- 美国可靠性分析中心元器件管理计划
- 1997年
- 介绍了美国可靠性分析中心制定的元器件管理计划。
- 刘涌
- 关键词：元器件可靠性可制造性电子工业
- 多层陶瓷电容器的新的可靠性试验
- 1995年
- 几年来,多层陶瓷电容器(MLC)用户已报告了与绝缘电阻(IR)有关的若干可靠性问题:在低于额定电压时IR降额超过规定时间(低压漏电),在高压使用时IR部分恢复,施加偏压时耗散因子不稳定,从库存密封袋中取出的MLC的IR降额.由于有各种原因的机理混淆不清,因而设计用来重现MLC失效相关的特殊条件的、象MIL-C-55681那样的现有试验程序不能有效地区分这些失效的根本原因.尽管这些试验程序总体上确实能有效地暴露薄弱产品批.但在商用产品批中的应用却费用过高.本文介绍了一种设计用来快速、有效和经济地检测MLC失效的可区分根本原因的试验程序.本试验程序将重点放在寻找有某种原因的缺陷上,而不是放在试图再生和测量个别失效机理本身上.一个模拟兆欧表和一台烘箱或加热板是用来实施试验所需的设备,可以成为用户及电容器供应商的良好工具.本文还介绍了,作用于MLC上的电应力和热应力为线性独立的、因而为可区分的并把稳态电压和热/机械应力的可区分效应用于MLC失效研究.本文还通过数据将试验程序的有效性与25℃偏压试验、普通电压调节试验和高加速寿命试验(HALT)作了对比.
- MarkW.Ingalls刘涌
- 关键词：陶瓷电容器可靠性
- 砷化镓高电子迁移率晶体管的贮存试验与失效分析
- 1996年
- 高电子迁移率晶体管(HEMT)能在高频(>60GHz)下工作,具有增益高和噪声系数小的优点,因而成为微波通信和高速微电子应用中的关键器件.今天,这些器件已成功地用于卫星接收器、微波振荡器、混频器和多路转换器中.文献中描述过的限制HEMT可靠性的失效机理包括:界面和陷阱相关效应、2度泄漏、欧姆与肖特基接点退化、ESD和紫斑.本文的目的是介绍通过商用晶格匹配的AlGaAs/GaAs低噪声HEMT的无偏压贮存试验来鉴别的失效机理。
- I.De Munari刘涌
- 关键词：砷化镓电子迁移率晶体管
