刘林涛
- 作品数：54 被引量：185H指数：6
- 供职机构：西北有色金属研究院更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目陕西省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术医药卫生化学工程更多>>
- CVD在介电材料表面直接制备石墨烯进展被引量：2
- 2020年
- 石墨烯是一种SP2碳杂化的二维平面材料,因其卓越的电学、机械、光学性能,在半导体、电子、光学、传感器等多领域具有巨大的应用潜力。虽然石墨烯可以通过直接从母材剥离或过渡金属上生长来制备,但不受控制的生产或额外的复杂转移过程对石墨烯膜层造成一定损伤,而在介电衬底上通过CVD法直接制备石墨烯成为一个有意义的研究方向。本文综述了国内外介电材料表面CVD法直接制备石墨烯研究进展,系统的介绍了介电材料表面直接制备石墨烯的主要方法,阐明生长过程中催化条件、生长参数是介电材料表面制备石墨烯的关键。此外,由于介电材料表面的弱催化作用,其表面直接制备石墨烯晶畴尺寸小,电性能较差,因此实现介电材料表面石墨烯高质量、可控制备是今后研究的方向。
- 李伟刘林涛李争显李争显王彦峰李龙博
- 关键词：石墨烯介电材料电性能
- 锆合金Cr基耐事故涂层设计及研究现状
- 2025年
- 锆合金涂层能够在不改变现有燃料体系的前提下,提升锆合金包壳的耐事故能力,是目前提高核燃料组件耐事故能力的热门研究方向之一,Cr基涂层则是现阶段研究最广泛的涂层材料。本文系统综述了自福岛核事故以来国内外从Cr涂层到多种Cr基涂层的发展历程和设计思路,介绍了Cr基涂层的选择依据和高温氧化失效机制,从成分设计和结构设计两方面讨论了对于金属Cr涂层失效问题的解决思路和相关研究现状,并对锆合金Cr基涂层未来的发展前景提出展望。对未来新一代ATF涂层技术的研发和应用具有理论指导意义。
- 张津张聪惠王彦峰朱文光刘林涛
- 关键词：锆合金
- TC21钛合金表面处理技术的研究现状被引量：6
- 2021年
- 介绍了TC21钛合金的表面处理技术,综述了阳极化处理技术、MAO、渗铬、渗碳、渗硼等耐磨技术以及喷丸处理技术和提高微动磨损性能的超音速火焰喷涂技术,展望了TC21钛合金表面处理技术的发展。
- 姬寿长姬寿长李京龙李争显杨海彧刘林涛
- 关键词：TC21钛合金表面处理高速火焰喷涂
- 钛铝合金表面二氧化钛-氧化铝/镍铬铝复合抗氧化涂层及其制备方法
- 本发明公开了一种钛铝合金表面二氧化钛‑氧化铝/镍铬铝复合抗氧化涂层，包括覆盖在钛铝合金表面的具有多微孔结构的二氧化钛‑氧化铝涂层和覆盖在二氧化钛‑氧化铝涂层上的镍铬铝涂层；本发明还公开了上述复合抗氧化涂层的制备方法：将钛...
- 刘林涛李争显李宏战王彦峰吕海兵
- 文献传递
- 医用骨粘接剂-磷酸镁生物骨胶的制备方法
- 本发明提供一种医用骨粘接剂-磷酸镁生物骨胶的制备方法，先将氧化镁放在坩埚中置于箱式电阻炉中煅烧3小时，然后通过行星式球磨机干磨成6μm～10μm的粉体；将磷酸二氢钾置于行星式球磨机中干磨成10μm～20μm的粉体；将Mg...
- 李均明马安博王爱娟刘林涛张姣
- 文献传递
- 模拟钠冷快堆堆芯高温液钠环境腐蚀实验的装置及方法
- 本发明公开了一种模拟钠冷快堆堆芯高温液钠环境腐蚀实验的装置，包括内部具有空腔的反应釜模块，反应釜模块中设置有坩埚模块，坩埚模块上设置有延伸出反应釜模块的用于坩埚模块升降的升降模块，反应釜模块外部设置有加热模块，反应釜上设...
- 郭树炜王少鹏刘林涛何飞王培
- 一种钛基体表面高温抗氧化复合涂层的制备方法
- 本发明公开了一种钛基体表面高温抗氧化复合涂层的制备方法，该方法为：一、对钛基体进行表面抛光处理，然后对表面抛光处理后的钛基体进行氧化，得到表面具有二氧化钛陶瓷层的钛基体，再在所述二氧化钛陶瓷层上沉积金属铝，得到表面具有二...
- 李争显刘林涛华云峰李宏战王彦峰
- 文献传递
- 一种奥氏体不锈钢工件渗铬氮化用电阻炉及渗铬氮化方法
- 本发明公开了一种奥氏体不锈钢工件渗铬氮化用电阻炉及渗铬氮化方法，该渗铬氮化用电阻炉包括炉体和真空室；该方法包括渗铬方法和氮化方法，渗铬方法包括步骤一、真空室的吊装；步骤二、真空室内工件及渗铬粉的设置；步骤三、真空室的封闭...
- 何飞刘林涛李龙博吕海兵乔江江
- 文献传递
- EB-PVD热障涂层粘结层/TGO界面性能的研究进展被引量：6
- 2021年
- 本文介绍了电子束物理气相沉积(EB-PVD)技术制备热障涂层的界面失效行为,并在此基础上综述了活性元素对粘结层/热生长氧化物层(TGO)界面性能的作用机制。
- 刘林涛张勇吕海兵何飞
- 关键词：电子束物理气相沉积热障涂层
- 一种单晶硅表面等离子辅助CVD制备石墨烯膜层的方法
- 本发明公开了一种单晶硅表面等离子辅助CVD制备石墨烯膜层的方法，该方法包括：一、将单晶硅进行真空退火处理；二、将经真空退火处理后的单晶硅作为基体放置于等离子辅助CVD管式炉内，并采用CO气体为碳源进行等离子辅助化学气相沉...
- 刘林涛何飞吕海兵
