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刘宝钧

作品数：5 被引量：14H指数：1
供职机构：天津师范大学更多>>
发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇正电子
  • 3篇接枝
  • 3篇辐照
  • 2篇乙烯
  • 2篇正电子寿命
  • 2篇正电子寿命谱
  • 2篇正电子湮没
  • 2篇四氟乙烯
  • 2篇塑料
  • 2篇聚四氟乙烯
  • 2篇辐照接枝
  • 2篇氟塑料
  • 2篇氟乙烯
  • 1篇电特性
  • 1篇正电
  • 1篇正电子湮没寿...
  • 1篇自由体积
  • 1篇离子注入
  • 1篇量子阱材料
  • 1篇磷化铟

机构

  • 4篇天津师范大学
  • 1篇河北大学

作者

  • 5篇刘宝钧
  • 3篇冯嘉祯
  • 2篇杨文英
  • 1篇李莹
  • 1篇赵杰

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇核技术
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇全国第七届正...

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1995
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究被引量：1
1995年
本文研究了硼注入绝缘ＩｎＰ和Ｎ型ＩｎＰ的电性质．硼注入是在１００ｋｅＶ能量下，剂量从１×１０１２到１×１０１６ｃｍ－２范围内进行．注入后的退火在纯氮气的保护下由１００℃到７００℃范围变化．硼注入半绝缘ＩｎＰ的结果表明，硼注入诱导形成载流子分布．硼注入Ｎ型ＩｎＰ后形成高阻绝缘层，其电阻率随退火温度变化出现两个峰值．本文还讨论了硼注入层电性能变化的机理．
赵杰刘宝钧李建蒙
关键词：离子注入磷化铟电特性
γ辐照接枝聚四氟乙烯特性和自由体积的关系被引量：13
1999年
用正电子湮没技术研究在聚四氟乙烯辐照接枝过程中的自由体积与正电子湮没寿命谱的关系。吸收剂量、吸收剂量率以及辐照环境等对接枝率有明显影响，而正电子湮没寿命可十分敏感地反映接枝率的变化。接技率的变化规律可用自由体积模型解释。用扫描电子显微镜对样品进行了观察比较。
冯嘉祯刘宝钧杨文英李莹
关键词：正电子湮没辐照技术自由体积聚四氟乙烯
生长材料中掺杂杂质纵向分布的扩散生长理论
1998年
从ＭＯＣＶＤ和卤化物ＶＰＥ的生长装置出发，分析了量子阱激光材料和微波电子材料中引入杂质的纵向分布程序过程。采用了掺入杂质分子经载体气体漂移扩散输运和生长过程中再扩散的数学物理理论，导出了掺杂杂质最终纵向浓度分布的数学定量解析式。根据本理论，提出了陡峭掺杂和均匀纵向浓度分布的工艺解决方案。
刘宝钧
关键词：MOCVD掺杂量子阱材料扩散
辐照接枝氟塑料的正电子寿命谱研究
电子寿命谱研究了对聚四氟乙烯和聚合氟乙丙烯进行γ辐照接枝的反应机理。结果表明：γ辐照和辐照接枝使聚合物的凝聚态结构发生了变化。随着辐照剂量的增加，接枝率不断提高，而正电子湮没长寿命产生明显改变，说明了辐照接枝主要产生在非...
冯嘉祯刘宝钧杨文英李莹
关键词：辐照接枝
辐照接枝氟塑料的正电子寿命谱研究
2000年
用正电子湮没寿命谱研究了对聚四氟乙烯和聚全氟乙丙烯进行γ辐照接枝的反应机理。结果表明；γ辐照和辐照接枝便聚合物的凝聚态结构发生了变化。随着辐照剂量的增加，接技率不断提高，而正电子湮没长寿命产生明显改变，说明了辐照接枝主要发生在非晶区以及非晶区和晶区的交界处。将实验结果与红外光谱进行了比较。
冯嘉祯刘宝钧杨文英李莹
关键词：正电子湮没寿命谱氟塑料聚四氟乙烯
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