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何军

作品数：67 被引量：0H指数：0
供职机构：国家纳米科学中心更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信化学工程核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 62篇专利
  • 4篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 13篇一般工业技术
  • 6篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 2篇核科学技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 53篇纳米
  • 38篇纳米片
  • 21篇SUB
  • 13篇气相沉积
  • 13篇半导体
  • 12篇析氢
  • 11篇异质结
  • 11篇纳米材料
  • 11篇化学气相
  • 11篇化学气相沉积
  • 11篇光电
  • 10篇探测器
  • 9篇纳米材料技术
  • 8篇纳米线
  • 7篇硫化
  • 7篇开关比
  • 6篇晶体管
  • 6篇化学活性
  • 6篇光探测
  • 5篇氮化

机构

  • 67篇国家纳米科学...

作者

  • 67篇何军
  • 27篇王振兴
  • 3篇王启胜
  • 2篇曹金利
  • 2篇王雅君
  • 2篇许凯
  • 2篇刘洋
  • 1篇江潮

传媒

  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2025
  • 2篇2024
  • 6篇2022
  • 11篇2021
  • 7篇2020
  • 9篇2019
  • 13篇2018
  • 3篇2017
  • 7篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2012
共 67 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种MnPS<Sub>3</Sub>纳米片及其制备方法和应用
本发明涉及一种MnPS3纳米片的制备方法，包括如下步骤：1)以锰源和乌洛托品为原料，通过水热反应制备得到负载于基底上的MnO(OH)<Sub>2</Sub>前驱体；2)通过化学气相沉积法将所述前驱体磷硫化，得到MnPS<...
何军陶菲克·艾哈迈德希法爱迪尔·该阿米尔·玛杰
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一种基于铁电PN结的光电器件及其制备方法
本发明涉及一种基于铁电PN结的光电器件及其制备方法，包括基板；位于所述基板上形成PN结的铁电半导体材料层和光敏材料层，其中所述铁电半导体材料层和与所述光敏材料层在竖直方向上部分重叠并在接触面上形成PN结；第一电极和第二电...
王振兴王艳荣王峰何军
低维硫族半导体材料:设计、合成及器件应用
当半导体材料尺寸达到纳米级别时，材料会表现出很多不同于宏观材料的独特性能，例如超高特异性表面，量子限域效应和强的光-物质相互作用。在低维结构中，二维半导体由于其与传统的微制造技术的兼容性及其在柔性衬底上应用，在电子和光电...
何军
单晶In<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>纳米线及其制备以及准一维In<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>纳米结构的宽谱光探测器及其制备
本发明提供一种新的能够有效制备单晶In<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>纳米线的制备方法及由该制备方法制备的单晶In<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>纳米线，并且提供一种准一维In<S...
何军王振兴穆罕默德·萨夫达尔
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一种自插层钒基二维纳米片及其制备方法和应用
本发明提供一种自插层钒基二维纳米片及其制备方法和应用，所述制备方法包括：以五氧化二钒、硫粉和硒粉为原料，进行化学气相沉积反应，制备所述自插层钒基十五硫硒化八钒纳米片；所述五氧化二钒、所述硫粉和所述硒粉的质量比为1:9:3...
王振兴姚雨雨何军
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一种具有场发射特性的碲纳米线阵列、其制备方法及应用
本发明公开了一种具有场发射特性的碲纳米线阵列、其制备方法及应用，所述碲纳米线阵列具有尖锐端口，其场发射开启电场强度较低。所述制备方法是通过物理气相沉淀法，以碲为蒸发源，并在硅片上沉积碲纳米线得到所述碲纳米线阵列；所述制备...
何军王启胜沙法德·穆罕默德詹雪莹
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一种α-MnSe纳米片及其制备方法与用途
本发明涉及光电材料领域，尤其涉及一种α‑MnSe纳米片及其制备方法与用途。所述α‑MnSe纳米片的制备方法包括：以Se和锰源为原料，经化学气相沉积法制得；所述锰源为MnO<Sub>2</Sub>或MnCl<Sub>2</...
何军李宁宁王振兴
一种双栅耦合结构及其制备方法和应用
本发明提供一种双栅耦合结构及其制备方法和应用，所述双栅耦合结构包括在衬底上从下到上依次设置的过渡金属硫化物纳米片、金属电极、六方氮化硼纳米片、铜铟磷硫纳米片和顶层金属板，且各相邻的层间紧密贴合；过渡金属硫化物纳米片、六方...
何军黄文浩王峰
非对称范德华异质结器件、其制备方法及用途
本发明提供一种非对称范德华异质结器件，包括从下到上依次设置的石墨烯纳米片、六方氮化硼纳米片、二硫化钼纳米片、二碲化钼纳米片；所述石墨烯纳米片和六方氮化硼纳米片、二硫化钼纳米片、二碲化钼纳米片有重叠的区域；二硫化钼纳米片面...
何军程瑞清王峰
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顶浮栅范德华异质结器件及其制备方法、光电存储器件
本发明实施例提供的顶浮栅范德华异质结器件及其制备方法、光电存储器件，包括依次堆叠在二硫化钼底电极器件上的六方氮化硼纳米片和石墨烯纳米片，堆叠后的所述二硫化钼底电极器件、所述六方氮化硼纳米片和所述石墨烯纳米片在垂直方向上有...
何军黄文浩尹蕾
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