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一种氧化锌透明导电薄膜及其制造方法: 本发明公开了一种氧化锌透明导电膜及其制造方法。该氧化锌透明导电膜包括顺序附着在衬底材料一侧表面的ZnO成核层、ZnO主体层和圆冠纳米柱状ZnO层；圆冠纳米柱状ZnO层具有若干的圆冠纳米柱状表面；所述圆冠纳米柱状ZnO层之...; 王钢王孟源童存声雷秀铮江灏

一种发光二极管外延结构及其制造方法: 本发明公开了一种发光二极管外延结构及其制造方法。该发光二极管外延结构顺序包括：外延衬底、LT-GaN成核层、高温非掺杂缓冲层、P-GaN层、P-AlGaN层、阻挡扩散层、MQW发光层、InGaN电流扩展层、N-ZnO层和...; 王钢王孟源童存声; 文献传递

一种金属氧化物透明导电薄膜外延生长的方法及装置: 本发明公开了一种金属氧化物透明导电薄膜外延生长方法及装置。该装置包括顺序连接的可控供气系统、生长反应室和尾气处理系统；生长反应室包括：反应室本体、匀气单元以及载片单元；反应室本体具有封闭的反应腔，匀气单元设置在反应腔的上...; 王钢童存声王孟源; 文献传递

一种LED面发光灯具: 本发明公开了一种LED面发光灯具，包括杯碗、散热器、散射板和若干LED芯片，所述散热器紧贴杯碗底部外侧设置，所述杯碗具有碗形空穴，所述散射板封盖于碗形空穴的上部开口处，所述LED芯片阵列于碗形空穴的底部。采用了本发明技术...; 王钢罗滔薛志强; 文献传递

一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制造方法: 本发明公开了一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制备方法，该方法首先外延生长缓冲层及垂直结构GaNLED外延片，然后剥离衬底，再制备导电增透层，最后制作焊线电极。该垂直结构氮化镓发光二极管芯片顺序包括：金属高反射导热层、...; 王钢王孟源童存声雷秀铮江灏

一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法: 本发明公开了一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法；该垂直结构氮化镓发光二极管的外延片包括衬底，以及顺序覆着在衬底一侧的ZnO缓冲层、GaN成核层、高温GaN层、N型GaN层、MQW发光层和P型GaN层；该制造...; 王钢王孟源童存声雷秀铮江灏

一种LED光源模组: 本发明公开了一种LED光源模组，包括基板、荧光粉层、透镜模块，以及设置在基板上的LED发光芯片；透镜模块包括主体、主体边缘向一侧延伸形成的边框、主体上局部凸起形成的透镜单元；基板封盖于边框外侧，与透镜模块形成封闭盒体；L...; 王钢罗滔高艳春薛志强; 文献传递

一种可自释放应力的LED封装模块: 本发明涉及半导体照明技术，尤其涉及一种LED封装模块。包括LED晶片，其特征在于：LED晶片设置于一腔体的底部，腔体的顶部具有开口，所述开口处设置一光学板；所述光学板与所述腔体构成一封闭的容置空间；所述容置空间内设置软胶...; 王钢罗滔; 文献传递

Gb/s倒装蓝光LED在高速可见光通信中的应用研究: 2025年; 为了研制能应用在可见光通信中的高速发光二极管(LED),设计了两种结面积为200μm×800μm和200μm×1000μm的商用蓝光GaN-LED芯片。通过在芯片中设计微孔阵列结构并将其倒装封装在陶瓷基板上。实验采用64位正交幅度调制(QAM)和正交频分复用(OFDM)调制技术。实验结果表明,在驱动电流为190 mA时,两组LED输出的光功率分别为192.7mW和178.7mW,-3 dB调制带宽值最大分别为49.9 MHz和58.8 MHz,比相同偏置电流下的商用OSRAM?LED的调制带宽分别提高了5.3倍和4.3倍。当传输距离为1 m时,在低于通信误码率阈值3.8×10^(-3)时具有2Gb/s通信传输速率。LED芯片中微孔结构有效降低了载流子的复合辐射寿命,提升了LED的调制性能。倒装封装提升了LED的光萃取,改善了微米级LED光功率输出过低的缺点。; 周政龙晓燕孙小广李加定李健; 关键词：可见光通信传输速率误码率

一种LED光源模组及提高LED光源模组显色指数的方法: 本发明公开了一种LED光源模组，以及提高LED光源模组显色指数的方法。该提高LED光源模组显色指数的方法，包括如下步骤：S1)选用或者制备白光LED和红光LED；S2)以所述白光LED作为基本光源，以所述红光LED对白光...; 王钢吴明洋薛志强吴昊

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