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薄膜显示元件: 薄膜显示元件(100)在显示区(101)中具有至少一个发射区域(103)以及层结构(104)，该层结构包括：第一图案化导体层(110)，其包括显示区中的第一显示电极(111)；第二图案化导体层(120)，其包括显示区中的...; 珍妮·莱森奥利·佩科宁; 文献传递

表面处理装置和方法: 本发明涉及一种表面处理装置，所述表面处理装置喷射作为表面处理颗粒的定向流的前体物质的组合。将平面物体沿着界定的平面输送穿过所述颗粒流，所述颗粒流撞击的所述平面物体的表面上的区域形成直接影响区域。所述装置包括定向工具和流控...; 安西·霍维宁; 文献传递

改进的气溶胶涂布装置和方法: 本发明涉及一种涂布方法和一种用于实现所述方法的装置，所述涂布方法改进沉降在较复杂物体上的涂层的均匀性，较复杂物体如多孔衬底或具有空洞或曲线形式的衬底。所述涂布装置包含沉积腔室和装载结构，所述装载结构被配置成将物体装载到所...; K·阿西卡拉S·塔梅拉T·梅泰; 文献传递

基板内部的阻碍沉积物: 本发明公开了一种在包括缺陷的基板内部形成阻碍沉积物的方法。该方法包括将基板引入反应空间，其中：所述基板含有水和/或暴露于水，并且同时所述基板暴露于第一化学物质，其中，所述第一化学物质被配置成与所述水反应；以及，使所述基板...; S·斯内克

涂覆前体喷嘴和喷嘴头: 本发明涉及用于使基材(5)的表面经受涂覆前体的涂覆前体喷嘴(15)。所述喷嘴(15)具有喷嘴输出面(10a)、第一喷嘴侧部边缘和第二喷嘴侧部边缘(31、32)以及第一喷嘴端部边缘和第二喷嘴端部边缘(33、34)。所述涂覆...; P·T·索伊尼宁; 文献传递

用于原子层沉积的装置: 本发明涉及一种用于根据原子层沉积原理使基底的表面经历至少第一前体和第二前体的表面反应的装置。所述装置包括反应腔室(1)，所述反应腔室形成反应空间(2)以用于接收在所述基底的所述表面上反应的前体气体。所述装置还包括基底支撑...; P·索伊尼宁M·索德兰德P·蒂莫宁; 文献传递

燃烧器喷嘴、燃烧器以及表面处理设备: 本发明公开一种燃烧器喷嘴，其包括喷嘴主体，所述喷嘴主体包含缝隙，使得在所述燃烧器喷嘴主体的表面处通往所述缝隙的线形通路在出口面表面中开放。多个通道连接到所述缝隙。一组第一通道连接到氧化物质源，并且一组第二通道连接到燃料源...; K·阿西卡拉T·梅泰S·塔梅拉

NH_(3)和N_(2)混合等离子体预处理对锗MOS器件性能的影响: 2021年; 对锗衬底进行NH 3和N 2混合等离子体(V(NH_(3))∶V(N_(2))=5∶1)原位预处理,其自然氧化层GeO_(x)反应生成GeO_(y)N_(z)。XPS结果显示,随着预处理时间的延长,GeO_(y)N_(z)厚度稍有增加。结构为500 nm Al/20 nm Ti/10 nm HfO_(2)/Ge的锗MOS电容样品,在1 V的偏压下,未经过原位等离子体预处理的样品的漏电流密度为10^(-4) A/cm^(2)量级,而120 s NH_(3)/N_(2)混合等离子体预处理后的样品的漏电流密度减小到10^(-5) A/cm 2量级;所有等离子体预处理样品的C-V曲线不存在明显的翘曲变形,表明样品的界面陷阱电荷密度较低;通过C-V曲线计算可得,NH_(3)/N_(2)混合等离子体预处理60 s后样品的等效电容约为17,小于理想HfO_(2)的介电常数值,说明预处理条件下仍有不可忽略的层间电容。与其他预处理方法相比,NH_(3)/N_(2)混合等离子体原位预处理锗衬底可以更加有效地提高锗衬底上原子层沉积HfO_(2)层间界面的质量,抑制Ge向HfO_(2)的扩散,对界面的陷阱电荷有重要的限制作用。在提高锗MOS器件的性能方面,NH_(3)和N_(2)混合等离子体原位预处理的方法在工业生产中更具有潜在优势。; 乌李瑛柏荣旭瞿敏妮付学成田苗马玲王英程秀兰; 关键词：原子层沉积高介电常数

燃烧器喷嘴、燃烧器以及表面处理设备: 本发明公开一种燃烧器喷嘴，其包括喷嘴主体，所述喷嘴主体包含缝隙，使得在所述燃烧器喷嘴主体的表面处通往所述缝隙的线形通路在出口面表面中开放。多个通道连接到所述缝隙。一组第一通道连接到氧化物质源，并且一组第二通道连接到燃料源...; K·阿西卡拉T·梅泰S·塔梅拉; 文献传递

涂布机: 1.本外观设计产品的名称：涂布机。;2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作原子层沉积涂布机，其以原子级厚度涂布表面。;3.本外观设计产品的设计要点：在于外观设计图片中产品的形状和/或构型。;4.最能表明设计要点的图...; H.瑙拉佩 H.阿米诺夫

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