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S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

作品数：192 被引量：0H指数：0
相关机构：原子能源局更多>>
相关领域：电子电信化学工程文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 192篇中文专利

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 79篇半导体
  • 76篇衬底
  • 73篇晶片
  • 62篇半导体材料
  • 45篇薄层
  • 44篇键合
  • 37篇施主
  • 28篇光电
  • 23篇电子学
  • 20篇退火
  • 20篇光电子
  • 17篇光电子学
  • 16篇脆化
  • 15篇绝缘
  • 12篇导体
  • 12篇多层结构
  • 12篇原子
  • 12篇热退火
  • 12篇半导体结构
  • 10篇快速热退火

机构

  • 192篇S.O.I....
  • 7篇原子能源局

年份

  • 1篇2020
  • 4篇2016
  • 5篇2015
  • 7篇2014
  • 7篇2013
  • 16篇2012
  • 40篇2011
  • 19篇2010
  • 16篇2009
  • 18篇2008
  • 22篇2007
  • 24篇2006
  • 7篇2005
  • 3篇2004
  • 3篇2003
共 192 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
化合物半导体衬底及其制造方法
本发明提供了一种衬底的制造方法，所述方法是用于制造光学器件、电子器件或光电器件的衬底，该方法的特征在于它包括以下步骤：在粘合界面中通过分子粘合把籽晶层(2)迁移到支撑(12)上；在该籽晶层上外延地生长工作层(16)；将加...
F·勒泰特B·吉斯朗
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多层结构的制造工艺
本发明涉及一种由半导体材料形成的多层结构的制造工艺，所述结构包括由第一半导体材料构成的衬底(20)和由第二半导体材料构成的表面薄层，两种半导体材料具有基本不同的晶格参数，其特征在于该工艺包括下列步骤：在支撑衬底(100)...
C·马聚尔
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抗高温应力的应力绝缘体上半导体结构
本发明涉及绝缘体上半导体结构，包括由半导体材料制成的部分和由电绝缘材料制成的部分，所述材料彼此结合。弹性应力存在于半导体材料中。由电绝缘材料所制成的部分具有高于SiO<Sub>2</Sub>粘滞温度T<Sub>GSiO2...
B·吉斯勒C·奥尔内O·雷萨克
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用于存储器的纳米灵敏放大器
本发明涉及一种根据第一方面用于串联存储器单元的纳米灵敏放大器，包括：写入级，包括CMOS反相器，其输入端直接或间接的连接到灵敏放大器的输入端，以及其输出端连接到灵敏放大器的输出端，所述灵敏放大器被设计为连接到局部位线，对...
C·马聚R·费兰特B-Y·阮
模块化且易配置的反应器外罩以及相关的功能模块
本发明提供一种改进的CVD反应器子系统，其包括模块化的反应器外罩和功能模块。模块化的反应器外罩可容纳市售的冷壁CVD反应室，功能模块可被设置在反应器外罩上以使反应室具备执行CVD处理所必需的功能。优选的功能模块包括用于向...
R·T·小贝尔特拉姆
通过共同注入和热退火获得质量改进的薄层的方法
本发明涉及一种用于制造在衬底上的包括半导体材料薄层的结构的方法，包括如下阶段：·在必须由其制作薄层的施主衬底的表面下进行粒子注入，以便在施主衬底的厚度中生成脆化区，·在进行注入之后，将施主衬底的表面与支撑衬底紧密接触，·...
C·马勒维尔E·尼雷特N·本·穆罕默德
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通过实施共注入获得薄层的方法和随后的注入
本发明提出一种通过SMARTCUT<Sup>TM</Sup>型工艺转移衬底上的半导体材料薄层的方法，该方法的特征在于该注入步骤包括：第一注入操作，在于执行种类的注入以在施主衬底的厚度中在第一深度处生成脆变区；第二注入操作...
赤津豪
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用于形成半导体材料的外延方法和结构
本发明提出了一种制造具有提高的特性的半导体材料、衬底和器件的方法和结构。用于形成应变减小的结构的结构和方法包括形成基本应变松弛的多个岛结构，以及将这些岛结构用于后续的应变松弛基本连续半导体材料层的进一步生长。
C·阿雷纳
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用于获得具有低密度孔的薄层的方法
本发明提出了一种用于确定将被转移到支撑衬底上的施主衬底部分的厚度的方法，所述部分在之后将受到包括至少一种操作的所选精整序列，该方法特征在于确定将被转移的最小厚度，以使所述转移部分：在精整序列的每个操作之后，呈现出小于所述...
N·本穆罕默德 E·内雷 D·德尔普拉
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用于制作由半导体材料制成的多层结构的方法
本发明涉及一种用于制作多层结构的方法，该多层结构由半导体材料制成，且包括有源层、支撑层以及在有源层和支撑层之间的绝缘层，特征在于该方法包括对载流子陷阱的密度和/或电绝缘层内的电荷的改变，以便于最小化结构支撑层中的电损耗。
让-皮埃尔·拉斯金迪米特里·勒德雷尔弗朗索瓦·布吕尼耶
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