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拉芳德利责任有限公司
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半导体晶片的复合粘接方法及相关的三维集成器件
本申请公开了一种在不使用用于热压缩的专用工具的情况下执行两个半导体晶片的复合粘接的方法。根据本文公开的技术,可以将要结合在一起的半导体晶片放置在烤箱中,简单地保持一个在另一个之上,而无需在它们之间施加除自身重量以外的任何...
G·德亚米契斯
A·德尔蒙特
O·迪可乐
文献传递
集成气体传感器和相关制造工艺
一种具有钨或钨氧化物气体感测元件的集成气体传感器,设置有:半导体材料的衬底;以及多个互连层的结构,布置在衬底上并由多个堆叠的导电层和介电层构成。气体感测元件被集成在多个互连层的结构内,并且至少一个电极布置在多个互连层的结...
J·蒙塔尼亚西尔韦斯特雷
文献传递
对背照式CMOS光学传感器进行制造的方法
本发明涉及制造背照式(BSI)CMOS光学传感器的方法,并且更具体地涉及在背照式(BSI)CMOS光学传感器中降低串扰和增强光子检测效率(PDE)的方法。特别地,要求保护的方法包括以下步骤:在所述BSI CMOS光学传感...
保罗·奥尔甘蒂尼
乔瓦尼·马尔古蒂
霍尔集成电路以及使用晶片堆叠制造霍尔集成电路的对应方法
一种包括竖直霍尔元件(100)的霍尔集成电路,具有在竖直方向上堆叠的第一晶片(10)和第二晶片(20),该第二晶片包括CMOS基板(201)和布置在CMOS基板(201)上的介电层堆叠(204),该CMOS基板(201)...
卡斯滕·施密特
马里奥·布拉西尼
格哈德·施皮茨尔施佩格
亚历山德罗·蒙塔尼亚
文献传递
集成气体传感器和相关制造工艺
一种具有钨或钨氧化物气体感测元件(21)的集成气体传感器(1),设置有:半导体材料的衬底(2);以及多个互连层(8)的结构,布置在衬底(2)上并由多个堆叠的导电层(9、10、11)和介电层(13)构成。气体感测元件(21...
J·蒙塔尼亚西尔韦斯特雷
用于制造具有改进的检测参数的背照式光学传感器的方法
本发明涉及制造背照式(BSI)CMOS光学传感器的方法,并且更具体地涉及在背照式(BSI)CMOS光学传感器中降低串扰和增强光子检测效率(PDE)的方法。特别地,要求保护的方法包括以下步骤:在所述BSI CMOS光学传感...
保罗·奥尔甘蒂尼
乔瓦尼·马尔古蒂
用于可见光和紫外光检测的半导体光学传感器及其对应的制造过程
半导体光学传感器(1)设置有:衬底(2),集成有多个光电检测器有源区域(4);以及CMOS层堆叠(6),布置在衬底(2)上并且包括多个介电(6a)层和导电(6b)层。UV转换区域(10)布置在多个第一光电检测器有源区域(...
安德烈亚·德尔蒙特
文献传递
具有低衬底损耗的集成螺旋电感器的制造方法
在完成正面CMOS制造工艺之后,将硅晶片以正面永久地接合到载体晶片上。载体晶片是高电阻率的硅晶片,或电介质晶片,或陶瓷材料的晶片。从背面减薄器件晶片的硅衬底,使得剩余的硅的厚度仅为几微米。在专用于螺旋电感器的区域中,通过...
卡斯滕·施密特
格哈德·施皮茨尔施佩格
文献传递
对准光刻掩膜板的方法和在半导体材料的晶圆中制造集成电路的相应工艺
一种用于半导体材料晶圆中的集成电路的制造工艺的光学掩模板对准方法,该方法设想:在第一层处,通过单个光刻工艺在晶圆上限定至少一个对准结构,该对准结构具有至少第一参考标记和第二参考标记;以及在高于第一层的上层处,相对于至少一...
詹卢卡·欧金尼
电离辐射和电离粒子的集成传感器
本公开提供了一种具有后侧偏置电极和后侧结的电离辐射和/或电离粒子的半导体传感器,用于将半导体衬底完全耗尽至载流子收集区,每个载流子收集区连接至衬底中通过电离产生的载流子的各个收集电极。与现有的传感器不同,本公开的传感器具...
A·里韦蒂
L·潘切里
P·朱比拉托
M·D·达罗查罗洛
G·马格蒂
O·迪可乐
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