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弗萨姆材料美国有限责任公司

作品数：381 被引量：0H指数：0
相关机构：默克专利有限公司三星电子株式会社更多>>
相关领域：化学工程文化科学理学电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 381篇中文专利

领域

  • 29篇化学工程
  • 21篇文化科学
  • 19篇理学
  • 18篇电子电信
  • 9篇自动化与计算...
  • 8篇环境科学与工...
  • 7篇医药卫生
  • 5篇金属学及工艺
  • 3篇经济管理
  • 3篇轻工技术与工...

主题

  • 83篇含硅
  • 82篇前体
  • 49篇组合物
  • 47篇氧化硅
  • 44篇化合物
  • 44篇掺杂
  • 40篇碳掺杂
  • 40篇腐蚀抑制剂
  • 36篇介电
  • 35篇硅烷
  • 34篇金属
  • 33篇氮化硅
  • 32篇硅
  • 31篇氨基
  • 26篇氧化铈
  • 26篇混溶性
  • 24篇氮化
  • 24篇离子
  • 23篇原子
  • 21篇电子器件

机构

  • 381篇弗萨姆材料美...
  • 4篇默克专利有限...
  • 1篇三星电子株式...

年份

  • 31篇2025
  • 46篇2024
  • 40篇2023
  • 59篇2022
  • 50篇2021
  • 50篇2020
  • 46篇2019
  • 36篇2018
  • 23篇2017
共 381 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
使用氨基-聚有机硅氧烷涂覆的磨料的化学机械平面化
提供了使用稳定的胶体磨料颗粒分散体的化学机械平面化(CMP)抛光组合物、方法和系统。分散体中的磨料颗粒是氨基‑聚有机硅氧烷涂覆的磨料颗粒。氨基‑聚有机硅氧烷涂覆的磨料颗粒具有厚度为0.1nm至10nm或0.5nm至5nm...
G·琼施克 R·鲁茨
用于包含硅和硼的膜的组合物及其使用方法
一种制造电子器件，特别是用于沉积包含硅和硼的膜的组合物以及使用该组合物的方法，该膜具有低介电常数(<6.0)和高的氧灰化抗性。该膜包含硅和硼，并且可以是但不限于硼碳氧化硅、硼碳氮化硅、硼氧化硅或硼碳氧氮化硅。
H·钱德拉李明萧满超雷新建H·金黄秉槿黄宣惠曹仑廷
用于可流动的氧化物沉积的组合物及其使用方法
本文所描述的是用于在半导体沉积工艺，例如但不限于，氧化硅的可流动化学气相沉积中形成膜的组合物或制剂。本文还描述了通过掺入本文所描述的炔醇和二醇或其它类型的表面活性剂从而改善表面润湿性的方法，所述炔醇和二醇或其它类型的表面...
R·M·佩尔斯泰恩 D·P·斯彭斯
文献传递
平面化中的芯片内不均匀性（WID-NU）
本发明提供了用于屏障层应用的化学机械平面化(CMP)抛光组合物，特别是用于改善芯片内不均匀性(WID‑NU)。所述CMP抛光组合物含有浓度等于和/或大于(≥)2.0重量％的磨料；平面化剂，其选自环氧乙烷、环氧丙烷、环氧丁...
甘露J·A·施吕特D·C·塔姆波利
屏障浆料去除速率改善
本发明提供了用于屏障层和层间介电(ILD)结构或图案化介电层应用的化学机械平面化抛光(CMP)组合物。所述CMP组合物含有磨料；化学添加剂，所述化学添加剂包括多元酸及其盐；腐蚀抑制剂；和水溶性溶剂；及任选地，第二速率增强...
甘露J·A·施吕特
文献传递
复合颗粒、其精制方法及用途
具有较低平均粒度和较小粒度分布的复合颗粒通过精制处理获得。精制的复合颗粒(例如二氧化铈涂覆二氧化硅颗粒)用于化学机械平面化(CMP)组合物中以为抛光氧化物膜提供更高的去除速率、极低晶片内的去除速率不均匀性(WWNU)、低...
周鸿君J·E·Q·休斯K·P·穆雷拉R·M·玛查多M·L·奥尼尔D·C·坦姆伯利
文献传递
含硅薄膜的高温原子层沉积
本发明提供了用于在650℃或更高的一个或多个温度下以原子层沉积工艺沉积氧化硅薄膜的方法和组合物。一方面，提供了一种沉积氧化硅薄膜或材料的方法，包括以下步骤：在反应器中提供衬底；将至少一种选自具有本文描述的式I和II的化合...
王美良雷新建A·麦利卡尔珠南H·钱德拉韩冰
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用于半导体应用的高纯度乙二胺
公开了乙二胺(EDA)组合物和用于制备适用于薄膜半导体加工应用的EDA的方法。EDA经纯化以除去水和痕量金属。通过使液体通过在填充床中的3A型分子筛来实现低于约50重量ppm的水含量。通过蒸馏除去金属杂质，并将所得产物包...
H·斯里单达姆S·H·迪默克S·G·马约加R·M·皮尔斯坦
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钨化学机械抛光组合物
本发明公开了钨(W)化学机械抛光(CMP)组合物及其相关的方法和系统。所述组合物包含作为催化剂的铁‑配体配合物或金属‑配体配合物以诱导羟基自由基形成，从而提高W膜的氧化速率并提供高且可调节的W膜去除速率。该W化学机械抛光...
史晓波路春M·L·奥尼尔
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用于减少的氧化物侵蚀的钨化学机械抛光
本发明涉及可用于含钨半导体器件的化学机械平面化(CMP)的浆料、方法和系统。使用具有添加剂以抵消钨抛光副产物导致的pH降低并保持pH4或更高的CMP浆料，可以大大减少密集金属(例如钨)结构的侵蚀。
路春史晓波D·C·塔姆博利R·M·玛查多M·L·奥内尔M·斯腾德
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