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福建省晋华集成电路有限公司

作品数：1,275 被引量：10H指数：2
相关机构：联华电子股份有限公司福州大学东北农业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金教育部人文社会科学研究基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 1,266篇专利
  • 8篇期刊文章

领域

  • 263篇电子电信
  • 170篇自动化与计算...
  • 66篇文化科学
  • 23篇经济管理
  • 15篇电气工程
  • 11篇理学
  • 7篇金属学及工艺
  • 6篇化学工程
  • 6篇一般工业技术
  • 4篇天文地球
  • 4篇交通运输工程
  • 3篇建筑科学
  • 3篇轻工技术与工...
  • 2篇矿业工程
  • 2篇医药卫生
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇农业科学

主题

  • 836篇半导体
  • 290篇半导体器件
  • 282篇基底
  • 270篇存储器
  • 238篇衬底
  • 213篇导体
  • 212篇半导体结构
  • 193篇栅极
  • 182篇制作方法
  • 164篇插塞
  • 163篇源区
  • 163篇图案
  • 137篇栅极结构
  • 134篇掩模
  • 119篇存储装置
  • 117篇绝缘
  • 116篇半导体元件
  • 106篇介质层
  • 102篇蚀刻
  • 91篇电容

机构

  • 1,274篇福建省晋华集...
  • 382篇联华电子股份...
  • 1篇福州大学
  • 1篇东北农业大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇苏州微著设备...

作者

  • 1篇王琇峰
  • 1篇王立军
  • 1篇马力

传媒

  • 1篇设备管理与维...
  • 1篇数学的实践与...
  • 1篇福州大学学报...
  • 1篇清洗世界
  • 1篇中小企业管理...
  • 1篇首席财务官
  • 1篇中文科技期刊...
  • 1篇中文科技期刊...

年份

  • 120篇2025
  • 151篇2024
  • 151篇2023
  • 227篇2022
  • 206篇2021
  • 193篇2020
  • 137篇2019
  • 89篇2018
共 1,275 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体存储器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种半导体存储器件及其制作方法，半导体存储器件包括衬底，衬底内包括多个有源区及相邻两个有源区之间的浅沟槽隔离；多条位线，相互分隔地设置在衬底上；位线触点，设置在位线下方并部分伸入有源区；间隙壁，设置在位...
张钦福
光照设备及其使用方法以及半导体处理设备
本申请公开一种光照设备及其使用方法以及半导体处理设备，能够减小因灯泡灼烧(Bulb burning)导致的UVLS发出的光源强度衰减，优化光刻效果。本申请中的光照设备包括：光源，用于输出第一功率的光信号，且所述光信号至少...
王鹏颜泽斌赖俊生
一种光学组件、光刻系统以及光刻投影方法
本发明公开了一种光学组件、光刻系统以及光刻投影方法，通过在基底101上设置反射层102，在基底101背面和/或基底101与反射层102之间设置热电层103，能够通过热电层103将光学组件中的热能转换为电能，从而及时把热能...
李建新曾依蕾杨忠宪
文献传递
磁性随机存储阵列及半导体器件
本发明提供一种磁性随机存储阵列及半导体器件，在占用相同衬底面积前提下，通过相邻两行有源区之间的交错排布，有效地利用了空间，实现了更小的存储单元的特征尺寸，整体密度更高，芯片成本更低。进一步地，可以实现单元面积为8F<Su...
吴巍徐征
存储器及其形成方法
本发明提供了一种存储器及其形成方法。通过使有源区阵列中的有源区和位于有源区阵列外围的边缘围设部具有不同的离子掺杂状况，使得边缘围设部不具备与有源区相同的导电性能，从而可避免位线在跨越边缘围设部时与边缘围设部电性导通，有效...
张钦福程恩萍冯立伟
半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，包括衬底、第一半导体层、第二半导体层、第一绝缘层、闸极电介质层以及闸极。第一半导体层在第一方向延伸，第二半导体层位于第一半导体层上，并在垂直于第一方向的第二方向上延伸。第一半导体层...
赖惠先
半导体器件
本实用新型提供了一种半导体器件。在利用位线组和隔离线组界定出节点接触窗阵列的基础上，还进一步设置辅助线，以利用辅助线界定出辅助接触窗在节点接触窗阵列的外围，此时基于该辅助接触窗，即可以有效均衡节点接触窗阵列中边缘区域和中...
童宇诚赖惠先林昭维朱家仪
文献传递
半导体元件
本实用新型公开了一种半导体元件，包括衬底，包括第一有源区、第一隔离区、第二有源区以及第二隔离区沿着一第一方向连续排列。第一位线位在第一有源区上。第二位线位在第二隔离区上。存储节点接触结构位在第一位线和第二位线之间，并且与...
冯立伟张钦福
半导体装置的形成方法
本发明公开一种半导体装置的形成方法，其包含以下步骤。提供一个目标层，在该目标层上形成一个掩模结构，该掩模结构包含一个第一掩模层、一个牺牲层以及一个第二掩模层，该第一掩模层与该第二掩模层包含相同的组成，但比例不同。接着，图...
张峰溢刘玮鑫林盈志李瑞珉林刚毅李甫哲
文献传递
半导体结构的制作方法
本发明公开一种半导体结构的制作方法，首先，提供一基底，基底上定义有一密集区以及一宽疏区，接着形成一第一介电层于该密集区以及该宽疏区上内，然后形成多个第一凹槽于该密集区中的该第一介电层内，以及形成一第二凹槽于该宽疏区中的该...
张峰溢李甫哲
文献传递
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