中节能太阳能科技(镇江)有限公司
- 作品数：516 被引量：48H指数：4
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- 一种单晶硅太阳能电池表面织构化方法
- 本发明涉及一种单晶硅太阳能电池表面织构化方法，其步骤如下：(1)在超声槽内配制由浓度为0.005％～0.015％的洗涤灵和浓度为0.015％～0.2％的氢氧化钠组成的混合液，将该混合液加热至80～90℃的恒温，在该恒温区...
- 勾宪芳姜利凯王鹏
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- 太阳能电池用银浆银含量的测定 硫氰酸盐标准溶液滴定法
- 本文件描述了护用硫氰酸盐标准溶液滴定法测定太阳能电池用银浆中银含量的方法。本文件适用于太阳能电池用银浆，包括符合YS/T612的正面银浆和背面银浆，测定范围为银含量（质量分数）30%~95°%。其他导电银浆（例如...
- 黄国平黄文浩汪晓华卢佳妍裴会川沈力飞邱艳梅王志强干名星高荣刚鲁文锋何莉马昀锋赵莹李阳张洪旺欧阳洁瑜范忠瑶杨二存霍亭亭马冲先金光耀杨益华
- 一种太阳能电池片低损切割方法及切割装置
- 本发明公开了一种太阳能电池片低损切割方法，对电池片的待切割区域黑化喷涂处理，脉冲激光束以子弹锥形光斑进行切割，子弹锥形的锥角不大于45°、高度与底边半径比1∶1～4∶1、底边直径为20～50μm，光斑热影响区为50～10...
- 姜亚帅周肃庄浩严勋孙观黄国平李菁楠曹华斌张会学姜利凯杨忠绪
- 文献传递
- HJT太阳电池光注入退火工艺的增效研究被引量：1
- 2024年
- 在异质结(HJT)太阳电池制备过程中,低温固化工艺后对太阳电池进行光注入退火可以实现太阳电池光电转换效率提升。研究了HJT太阳电池n面进行光注入退火处理时,光注入退火时间、光注入退火温度,以及双面光注入退火对光电转换效率提升的影响,同时还分析了光注入退火处理对不同光电转换效率档位HJT太阳电池增效的影响。结果表明:1)随着光注入退火时间的增加,HJT太阳电池光电转换效率提升幅度先增加后基本保持稳定;2)随着光注入退火温度的增加,HJT太阳电池光电转换效率提升幅度先增加后减小;3)太阳电池双面都进行光注入退火处理不能达到光电转换效率叠加提升的效果;4)光注入退火处理对光电转换效率低的HJT太阳电池的增效效果更好,主要是因为此类太阳电池内部及表面的缺陷更多。
- 黄惜惜姜利凯赵桂香李世宇张中建高荣刚
- 关键词：异质结太阳电池光电转换效率
- 一种光伏组件层压尾气处理系统
- 本实用新型公开了一种光伏组件层压尾气处理系统，包括层压机、油泵、尾气净化模块以及排气筒，其中，尾气净化模块的入口与油泵的出口连通，以及尾气净化模块的出口与排气筒连通，尾气净化模块包括控制箱、静电油烟净化器以及活性炭吸附箱...
- 吴慧双孙彦军赵俊辉钱璐巫晶薛康黄国平李菁楠
- 一种沉积异质结电池铜栅线的方法
- 本发明公开了一种沉积异质结电池铜栅线的方法，包括如下步骤：S1、制绒清洗；S2、非晶硅薄膜沉积；S3、透明导电薄膜沉积；S4、沉积铜细栅线：在透明导电薄膜沉积硅片的正面或背面沉积铜细栅线，形成铜细栅线沉积硅片；S5、丝网...
- 黄惜惜李世宇赵桂香张中建高荣刚黄国平
- 一种抗PID网格玻璃及其制备方法
- 本发明公开了一种抗PID网格玻璃及其制备方法，其中抗PID网格玻璃，包括玻璃，所述的玻璃的表层附有二氧化钛，二氧化钛的表面包裹有透明的呈电中性的聚合物薄层。其中制备方法包括以下步骤：①、用改性剂对二氧化钛的表面进行改性；...
- 姜亚帅庄浩孙观严勋黄国平李菁楠
- 文献传递
- 自修复背板及其制备方法和叠瓦组件
- 本发明涉及一种自修复背板及其制备方法和叠瓦组件，属于太阳能组件技术领域。本发明采用改性耐候型树脂、粘接剂、改性聚烯烃和改性聚乙烯为组分，其中，改性耐候型树脂包括耐候型树脂70～95份、自修复剂0.1～20份和其他助剂10...
- 姜亚帅周肃王晨阳陈鹏史振侠黄青松黄国平李菁楠
- 文献传递
- 硅片表面织构对“SE+PERC”双面单晶硅太阳电池电性能影响的研究被引量：2
- 2022年
- 在硅片制绒过程,研究了制绒添加剂体积分数、反应时间和反应温度对单晶硅片表面织构的微观形貌、反射率,以及制备的“选择性发射极(SE)+PERC”双面单晶硅太阳电池电性能的影响。结果表明:在目前单晶硅片制绒设备和工艺条件下,当碱液(KOH)体积分数为2%、制绒添加剂体积分数为0.7%、反应温度为84℃、反应时间为440 s时,制备的单晶硅片表面的金字塔尺寸较小,均匀性强,硅片表面的反射率最低,仅为9.914%,而得到的“SE+PERC”双面单晶硅太阳电池的光电转换效率高达22.714%;调整制绒参数,可以有效提高单晶硅片表面织构中金字塔的均匀性,降低硅片表面的反射率,从而提高“SE+PERC”双面单晶硅太阳电池的光电转换效率。
- 王守志王丽婷周啸颖孙航刘阳黄国平
- 关键词：选择性发射极表面织构电性能
- 湿法叠加PECVD法制备隧穿氧化硅层的TOPCon太阳能电池制备方法
- 本发明公开了一种湿法叠加PECVD法制备隧穿氧化硅层的TOPCon太阳能电池制备方法，其中，背面采用湿法氧化法和PECVD法制备SiO<Sub>x</Sub>层，再采用PECVD法制备掺杂多晶硅层和SiO<Sub>2</...
- 王丽婷周啸颖韩会丹杜敬良许伟许峰黄镇刘海涛胡俊涛王守志刘阳
