您的位置： 专家智库 > >

希特隆股份有限公司

作品数：36 被引量：0H指数：0
相关机构：学校法人浦项工科大学校乐金显示有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 36篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 21篇单晶
  • 13篇晶片
  • 10篇硅单晶
  • 8篇单晶生长
  • 8篇硅晶
  • 8篇硅晶片
  • 7篇单晶硅
  • 7篇温度梯度
  • 6篇坩埚
  • 6篇硅片
  • 5篇半导体
  • 4篇熔体
  • 4篇热传递
  • 4篇硅表面
  • 3篇氧含量
  • 3篇半导体装置
  • 2篇电压
  • 2篇电压特性
  • 2篇堆垛
  • 2篇氧化层

机构

  • 36篇希特隆股份有...
  • 1篇乐金显示有限...
  • 1篇学校法人浦项...

年份

  • 4篇2012
  • 4篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 7篇2007
  • 3篇2006
  • 4篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
共 36 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
硅单晶的生长装置
本发明涉及一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供一种硅单晶的生长装置，是用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的装置，其包括：室；坩埚，设置在所述室的内部，盛硅熔体；加热器，设置在所述坩埚的侧面加热所述硅熔体，相对...
赵铉鼎
硅片和生产单晶硅的方法
本发明涉及一种使用Czochralski法生产单晶硅锭的方法，该方法可提供具有非常均匀的平面质量的硅片，因而提高半导体装置的产率。本发明建议一种用Czochralski法生产单晶硅锭的方法，其中，当熔硅对流被分为一个核单...
赵铉鼎李洪雨郑镇秀金仙美
文献传递
化合物半导体器件及其制造方法
化合物半导体器件及其制造方法。该方法包括在衬底上涂覆多个球形球并在其上涂覆有球形球的衬底上选择性生长化合物半导体薄膜。整个过程可以被简化，并且与外延横向过生长(ELO)法相比可以在短时间内生长高质量的化合物半导体薄膜。
李奎哲安星振金容进李东键
文献传递
结晶生长晶体的质量评价方法
本发明提供结晶生长晶体的质量评价方法，包括确定切断位置和取样位置的步骤和试样评价步骤，前一步骤包括：a)确定试样位置，输入按照不同装备、不同制品确定切断位置、取样位置和最初位置的基本信息；b)按基本信息预先确定切断位置、...
金珍根赵铉鼎
文献传递
硅晶片研磨装置及其保持组件、硅晶片平整度校正方法
本发明涉及一种硅晶片研磨装置、用于该装置的保持组件及硅晶片平整度校正方法，尤其涉及一种在最终研磨工序中能够校正硅晶片平整度的硅晶片研磨装置、用于该装置的保持组件及硅晶片平整度校正方法。本发明的硅晶片研磨用保持组件，包括：...
文道敏
文献传递
硅单晶的生长方法
本发明涉及一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的方法，即：把装有熔体的坩埚的旋转速度作为Vc，所述硅单晶的旋转速度作为Vs时，用满足3≤Ln[Vs/Vc]≤5的条件使硅单晶生...
赵铉鼎
文献传递
具有均匀空位缺陷的单晶硅锭和晶片及其制备方法和设备
本发明改进了用于生长单晶硅锭的切克劳斯基(Czochralski)方法并提供了具有极佳耐电压特性的氧化层的高质量硅晶片。本发明还提供了可以均匀控制空位缺陷的密度和分布的设备及方法。在1000～1100℃的温度范围内，单晶...
洪宁皓 崔日洙 李洪雨 金尚熹 郭晚锡
文献传递
高质量硅单晶结晶块的生长装置及使用此装置的生长方法
本发明涉及一种用于生长高质量硅单晶结晶块的生长装置和方法，以及由此生产的硅单晶结晶块和晶片。该生长装置将硅单晶结晶块中的氧含量控制为各种值，因此，以高的生产率生产出极度控制了生长缺陷的硅单晶结晶块。
赵铉鼎
文献传递
高质量硅单晶的生长方法和装置、硅单晶结晶块及硅晶片
本发明涉及一种用柴氏长晶法、以高生产率生产高质量硅单晶结晶块的技术。本发明的技术能控制氧溶出区域处的磁场强度，使其不同于固-液界面区域处的磁场强度，从而将氧含量控制为所需值。
赵铉鼎
文献传递
硅单晶的生长装置
本发明涉及一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供一种硅单晶的生长装置，是用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的装置，其包括：室；坩埚，设置在所述室的内部，盛硅熔体；加热器，设置在所述坩埚的侧面加热所述硅熔体，相对...
赵铉鼎
文献传递
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0