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株式会社希克斯

作品数：14 被引量：0H指数：0
相关机构：株式会社田村制作所国立研究开发法人情报通信研究机构株式会社丰田自动织机更多>>

合作机构

文献类型

  • 14篇中文专利

主题

  • 9篇基板
  • 7篇多晶
  • 6篇单晶
  • 4篇支承
  • 4篇工序
  • 3篇SIC
  • 2篇电特性
  • 2篇电阻
  • 2篇断裂韧性
  • 2篇氧化膜
  • 2篇载流子
  • 2篇照射
  • 2篇韧性
  • 2篇贴合
  • 2篇平坦化
  • 2篇面电阻
  • 2篇界面电阻
  • 2篇改质
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体元件

机构

  • 14篇株式会社希克...
  • 2篇株式会社丰田...
  • 2篇国立研究开发...
  • 2篇株式会社田村...

年份

  • 3篇2025
  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方法
提供一种半导体基板(1)，其是由单晶Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>系基板(10)与多晶基板(11)接合而成的，单晶Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>系基板(10)的厚度薄于多晶...
仓又朗人渡边信也佐佐木公平八木邦明八田直记东胁正高小西敬太
文献传递
半导体基板和半导体基板的制造方法
本发明提供一种能够提高具备彼此相接的第1和第2半导体层的半导体基板电特性的半导体基板制造方法等。具备照射工序，其在真空中对第1半导体层的表面照射第1杂质，并且在真空中对第2半导体层的表面照射第1杂质。具备接合工序，其在进...
今冈功 小林元树 内田英次 八木邦明 河原孝光 八田直记 南章行 坂田丰和 牧野友厚 加藤光治
文献传递
半导体衬底以及半导体衬底的制造方法
本发明提供一种能够防止接合界面处的界面电阻的产生的半导体衬底以及半导体衬底的制造方法。半导体衬底的制造方法具备：损伤层形成工序，在第一半导体衬底的第一接合对象面以及第二半导体衬底的第二接合对象面中的至少任一者形成损伤层；...
内田英次
半导体基板的制造方法
本发明涉及半导体基板的制造方法，对于基板表面的平坦化困难的基板也没有导致在接合界面形成氧化膜，并且具有接合强度高的接合面。半导体基板的制造方法具备对支承基板的表面进行改质而形成第一非晶质层并且对半导体的单结晶层的表面进行...
今冈功 小林元树 内田英次 八木邦明 河原孝光 八田直记 南章行 坂田丰和 牧野友厚 高木秀树 仓岛优一
文献传递
研磨组合物
提供一种研磨组合物，其能够抑制磨粒的凝集粉的产生，磨粒的分散性良好，在研磨对象面不产生研磨划痕而得到平滑性高的平滑面。研磨组合物含有金刚石磨粒、多元醇、纯水和分散剂，其中，所述金刚石磨粒的含量为0.01～0.4质量％，所...
青木克冬
半导体基板的制造方法
本发明涉及半导体基板的制造方法，对于基板表面的平坦化困难的基板也没有导致在接合界面形成氧化膜，并且具有接合强度高的接合面。半导体基板的制造方法具备对支承基板的表面进行改质而形成第一非晶质层并且对半导体的单结晶层的表面进行...
今冈功 小林元树 内田英次 八木邦明 河原孝光 八田直记 南章行 坂田丰和 牧野友厚 高木秀树 仓岛优一
文献传递
半导体基板
本发明提供一种贴合半导体基板，能够降低界面电阻。半导体基板具备单晶SiC基板和多晶SiC基板。单晶SiC基板与多晶SiC基板接合。单晶SiC基板与多晶SiC基板的接合区域含有1×10<Sup>21</Sup>(atoms...
今冈功 村崎孝则 下俊久 内田英次 南章行
文献传递
多晶SiC基板及其制造方法
本公开的支承基板(2)是由多晶SiC形成的多晶SiC基板，该多晶SiC基板的基板粒径变化率为0.43％以下，其中，将多晶SiC基板的两个表面中的一个表面称为第1表面，并将另一个表面称为第2表面，基板粒径变化率是用第1表面...
八木邦明 小林元树
多晶碳化硅基板的制造方法
本发明的课题是提供在不改变多晶碳化硅基板的品质的情况下实现降低制造成本的多晶碳化硅基板(33)的制造方法。本发明的解决手段是，其特征在于，具有：碳层形成工序，该工序在第一基底基材(11)的表面形成碳层(21)来制造第二基...
八木邦明
SiC单晶转印用复合衬底、SiC单晶转印用复合衬底的制造方法、以及SiC接合衬底的制造方法
本发明提供如下SiC单晶转印用复合衬底、SiC单晶转印用复合衬底的制造方法、以及SiC接合衬底的制造方法：通过改善反复用于SiC接合衬底的制造过程中的SiC单晶衬底的翘曲而抑制SiC单晶衬底的搬运错误、不能将SiC单晶衬...
寺岛彰
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共2页<12>
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