三菱硅材料株式会社
- 作品数：8 被引量：0H指数：0
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- 半导体基片品质评价的方法和装置
- 在激光器件和半导体基片之间的第一个斩光器以一特定频率遮挡激发光,在第一斩光器和半导体基片之间的第二个斩光器以比第一斩光器高的变化频率遮挡激发光。当用激发光断续性地照射半导体基片时,通过控制第二个斩光器逐渐增加激发光的斩光...
- 长谷川健伊藤辉三白木弘幸
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- 单晶硅锭及其制造方法
- 本发明涉及单晶硅锭及其制造方法。其底部侧直胴部的特性与顶部侧直胴部及中部侧直胴部的特性相近似，高品位单晶硅的制品数率高，而且在直胴部整个长度上的品质大致均匀。并可按同一形状反复制造，在每批制品间，底部的形状没有偏差。这种...
- 松原顺一三宅雄治金刚寺博
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- 单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体
- 在使单晶体(11)稳定的气氛中,在0.2～304Mpa的压力和以绝对温度表示的单晶体(11)熔点的0.85倍以上的温度下,对单晶体(11)进行热等静压处理5分钟～20小时,然后对单晶体(11)进行缓冷。对单晶体(11)稳...
- 古川纯须藤充中井哲弥藤川隆男增井卓也
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- 半导体衬底的清洗方法
- 一种半导体衬底的清洗方法包括以下步骤:将半导体衬底侵入混合过氧化氢和氢氧化铵制备的混合溶液中;将在混合溶液中浸泡过的半导体衬底浸入至少包括溶解有臭氧的水溶液、硝酸溶液或过氧化氢溶液中一种的氧化溶液中;将在氧化溶液中浸泡过...
- 高石和成高田凉子
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- 晶片保持架
- 在保持架本体(23)的上面载置晶片(22),保持架本体插入到形成于热处理炉内的多个保持架用凹槽(14),水平地得到保持。保持架本体形成为没有切口的圆板状,在保持架本体形成以该保持架本体的轴线为中心沿周向延伸并朝上方凸出的...
- 中井哲弥河原史朋斋藤诚川村恭彦篠原真荒井克夫
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- 半导体衬底的清洗方法
- 一种半导体衬底的清洗方法包括以下步骤：将半导体衬底浸入混合过氧化氢和氢氧化铵制备的混合溶液中；将在混合溶液中浸泡过的半导体衬底浸入至少包括溶解有臭氧的水溶液、硝酸溶液或过氧化氢溶液中一种的氧化溶液中；将在氧化溶液中浸泡过...
- 高石和成高田凉子
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- 外延生长用气体的供给方法及其装置
- 外延生长用气体的供给方法及其装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化,将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合,将该温合气在其露点以上的温度下加热保温,同时调节该混合气的流量,然后在...
- 远山美晴黑田明寿木山德二
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- 外延生长用气体的供给方法及其装置
- 外延生长用气体的供给方法及其装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化，将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合，将该混合气在其露点以上的温度下加热保温，同时调节该温合气的流量，然后在...
- 远山美晴黑田明寿木山德二
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