您的位置： 专家智库 > >

同方光电科技有限公司

作品数：62 被引量：0H指数：0
相关机构：清华同方|同方股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 62篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 50篇发光
  • 46篇二极管
  • 46篇发光二极管
  • 26篇光电
  • 20篇蓝宝
  • 20篇蓝宝石
  • 15篇光效
  • 15篇衬底
  • 14篇电极
  • 14篇光效率
  • 14篇半导体
  • 9篇金属
  • 8篇发光层
  • 8篇出光
  • 8篇出光效率
  • 7篇氮化镓
  • 7篇电器件
  • 7篇光电器件
  • 7篇光刻
  • 7篇半导体光电

机构

  • 62篇同方光电科技...
  • 16篇清华同方|同...

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 15篇2014
  • 4篇2013
  • 23篇2012
  • 17篇2011
共 62 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种带静电保护的发光二极管
一种带静电保护的发光二极管，涉及光电技术领域。本实用新型包括一个主发光二极管和一个集成的静电损伤保护二极管，主发光二极管的正极与静电损伤保护二极管的负极相连并引出作为正极，主发光二极管的负极与静电损伤保护二极管的正极相连...
吴东海
文献传递
一种提高发光效率的发光二极管
一种提高发光效率的发光二极管，涉及光电技术领域。本实用新型发光二极管包括衬底上方的依次由N型半导体层、发光层和P型半导体层组成的发光结构。发光结构的一端设置P型电极，与P型电极相对的另一端设置N型电极。其结构特点是，所述...
张雪亮
文献传递
一种发光二极管金属基板的制作方法
一种发光二极管金属基板的制作方法，涉及光电技术领域中的衬底转移技术。本发明的方法步骤为：<Image file="DEST_PATH_IMAGE002.GIF" he="8" imgContent="undefined"...
张华东康学军郭德博刘刚
文献传递
适用于大电流驱动的氮化物LED外延结构
适用于大电流驱动的氮化物LED外延结构，涉及LED光电子器件的制造技术领域。本实用新型结构从衬底开始自下而上依次包括：n型化合物半导体、有源区和p型化合物半导体三部分。其结构特点是，所述有源区是由m个量子阱和m+1个量子...
马亮梁信伟
文献传递
一种用于发光二极管衬底剥离的装置
一种用于发光二极管衬底剥离的装置，涉及半导体发光二极管技术领域。本发明的剥离结构包括倒置的发光二极管和倒置的发光二极管下方的支撑衬底。所述发光二极管包括依次置于蓝宝石衬底上方的缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和...
王明敏
一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方法
一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括蓝宝石衬底以及依次置于蓝宝石衬底上方的N-GaN层、多量子阱层、P-GaN层和ITO薄膜，ITO薄膜和N-GaN层上分别置有金属电极...
王立彬李志翔
文献传递
一种大功率垂直发光二极管的制造方法
一种大功率垂直发光二极管的制造方法，涉及半导体光电器件制造技术领域。本发明的步骤为：1)在蓝宝石基板上生长外延片；2)在P型GaN基半导体层上蒸镀反射金属层；3)在N电极区形成电流阻挡层，并在沟槽的侧壁形成保护型钝化层；...
徐亮刘刚郭德博张华东
一种倒装结构发光二极管及其制备方法
一种倒装结构发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括从下至上依次叠加的金属支撑衬底、P型半导体层、量子井发光层、N型半导体层和非掺杂层。其结构特点是，所述金属支撑衬底和P型半导体层之间还置有N型欧姆...
郑兆祯朱俊宜郭德博涂庆明
文献传递
一种能提高LED光效的芯片加工方法
一种能提高LED光效的芯片加工方法，涉及光电技术领域。本发明芯片加工方法步骤为：①在器件上表面进行激光划片至衬底与外延片界面附近，形成沟槽；②采用高温酸液对沟槽进行腐蚀，获得期望的形貌；③采用隐形切割工艺在器件内部正对沟...
赖鸿章
文献传递
一种制作独立发光二极管的方法
一种制作独立发光二极管的方法，涉及光电技术领域。本发明的方法步骤为：①在蓝宝石衬底上形成外延层；②在外延层上表面形成掩蔽层；③深刻蚀露出蓝宝石衬底的上表面；④在器件表面生长一层SiO<Sub>2</Sub>膜；⑤露出蓝宝...
王立彬
文献传递
全选 清除 导出
共7页<1234567>
聚类工具0