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联芯集成电路制造(厦门)有限公司

作品数：190 被引量：0H指数：0
相关机构：联华电子股份有限公司厦门大学更多>>
发文基金：福建省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 187篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 50篇电子电信
  • 16篇自动化与计算...
  • 16篇文化科学
  • 5篇经济管理
  • 5篇电气工程
  • 4篇化学工程
  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇天文地球
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 80篇半导体
  • 56篇基底
  • 31篇栅极
  • 27篇制作方法
  • 27篇晶片
  • 26篇图案
  • 25篇半导体元件
  • 24篇导体
  • 22篇栅极结构
  • 21篇掩模
  • 19篇半导体结构
  • 18篇蚀刻
  • 17篇抗蚀剂
  • 17篇光致
  • 17篇光致抗蚀剂
  • 15篇图案化
  • 11篇电阻
  • 9篇导电
  • 9篇电极
  • 8篇氮化

机构

  • 190篇联芯集成电路...
  • 12篇联华电子股份...
  • 2篇厦门大学

作者

  • 2篇杨晓栋
  • 1篇黄春庆

传媒

  • 1篇自动化与仪器...
  • 1篇福建电脑
  • 1篇财讯

年份

  • 14篇2025
  • 31篇2024
  • 29篇2023
  • 36篇2022
  • 57篇2021
  • 11篇2020
  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
共 190 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体元件的制作方法
本发明公开一种半导体元件的制作方法，包含：提供一基底，在该基底上形成一浮动栅极材料层，进行一平坦化步骤，降低该浮动栅极材料层的一厚度，在该平坦化步骤进行后，对该浮动栅极材料层进行一离子掺杂步骤，以及进行一蚀刻步骤，移除部...
邱云松邵红旭孔德锦欧阳锦坚谈文毅
文献传递
半导体存储装置
本发明公开一种半导体存储装置，其包括基底、浮置栅极、层间介电层、互连结构、蚀刻停止层、导电结构以及开口。浮置栅极设置于基底上。层间介电层设置于浮置栅极上。互连结构设置于层间介电层中。蚀刻停止层设置于层间介电层上。导电结构...
颜榕峻王建智杨光吕嘉伟袁林山谈文毅
化学机械抛光机台
本实用新型公开一种化学机械抛光机台，用于在线检测抛光垫下方气泡，该化学机械抛光机台包括：基座，用于粘贴一抛光垫；调节盘，用于研磨抛光垫，所述调节盘耦合一垫高度感应装置，以监测调节盘的高度变化，当调节盘的高度变化超过一预定...
林士杰谈文毅
文献传递
半导体元件的测试键结构
本发明公开一种半导体元件的测试键结构，包括一基底，该基底包括一第一区、一第二区、一第三区以及一第四区。一第一隔离结构设置在该基底的该第二区中。一第二隔离结构设置在该基底的该第四区中。一第一栅极结构包括一第一线宽并且设置在...
周湘湘王翔何荣顾海龙黄清俊谈文毅
半导体结构以及其测试方法
本发明公开一种半导体结构以及其测试方法，其中该半导体结构包含一材料层，多个电阻式随机存取存储器单元以一阵列方式排列于材料层上，其中阵列包含有一第一外圈，第一外圈由一部分多个电阻式随机存取存储器单元所组成，并位于阵列的最外...
潘雄波 谈文毅
监测结构以及其制作方法
本发明公开一种监测结构以及其制作方法，其中该监测结构包括基底、多个临界尺寸监测图案、多个电阻监测图案、第一虚置栅极结构以及第二虚置栅极结构。基底具有第一区与第二区。临界尺寸监测图案设置在基底的第一区上，而电阻监测图案设置...
周湘湘 王翔 何荣 顾海龙 黃清俊 谈文毅
电容器结构的制作方法
本发明公开一种电容器结构的制作方法，包括下列步骤，在基底上形成第一电容器。第一电容器包括第一导电层的第一导电图案与第二导电图案以及第一介电层于水平方向上设置于第一导电图案与第二导电图案之间。在形成第一电容器之前，在基底上...
张维峻黄汉民张幼弟谈文毅
文献传递
光罩热膨胀校正方法
光罩热膨胀校正方法，包括对一组晶圆执行曝光程序并生成配方，执行数据挖掘及数据解析以生成多个迭置参数，由该多个迭置参数取出多个预定参数，对每一预定参数执行线性回归，及生成该每一预定参数的决定系数。
任茂华白源吉谈文毅
高密度等离子体化学气相沉积制程形成氧化硅层的方法
本发明公开一种高密度等离子体化学气相沉积(HDP‑CVD)制程形成氧化硅层的方法，包含以下步骤。首先进行装载步骤，将半导体基底置于等离子体反应室内的承载台上，接着进行预热步骤，包含通入预热气体至等离子体反应室。然后，进行...
林艳兵谈文毅
文献传递
光刻膜层堆叠及光刻方法
本发明公开一种光刻膜层堆叠及光刻方法，其中该光刻膜层堆叠，用于一浸润式光刻制作工艺。光刻膜层堆叠包含一光致抗蚀剂层、一波长调整层以及一顶部涂层。光致抗蚀剂层设置于一基底上，波长调整层设置于光致抗蚀剂层上，顶部涂层设置于波...
罗庆蜀白源吉任茂华谈文毅
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