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三菱住友硅晶株式会社

作品数：31 被引量：0H指数：0
相关机构：株式会社电装三菱综合材料多晶硅股份有限公司日本酸素株式会社更多>>

合作机构

文献类型

  • 31篇中文专利

主题

  • 14篇晶片
  • 12篇半导体
  • 6篇基片
  • 6篇半导体晶片
  • 4篇研磨
  • 4篇氧化膜
  • 4篇贴合
  • 4篇晶格
  • 3篇光致
  • 3篇发光
  • 2篇单晶
  • 2篇导电
  • 2篇导电体
  • 2篇导体
  • 2篇定值
  • 2篇氧化硅薄膜
  • 2篇阴离子添加剂
  • 2篇原料气
  • 2篇载流子
  • 2篇粘合

机构

  • 31篇三菱住友硅晶...
  • 2篇学校法人汉阳...
  • 2篇日本酸素株式...
  • 2篇三菱综合材料...
  • 2篇株式会社电装

年份

  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
  • 6篇2006
  • 7篇2005
  • 5篇2004
  • 2篇2003
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
气相生长装置用基座
本发明提供一种基座(10)，设有用来在气相生长时收容晶片(W)的晶片凹部(101)。晶片凹部(101)至少具有晶片的外周部(W1)放置于其上的第1凹部(102)和在第1凹部之下形成的并具有小于第1凹部的直径的第2凹部(1...
藤川孝 石桥昌幸 土肥敬幸 杉本诚司
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外延生长基座与外延生长方法
一种用于外延生长设备和方法中的基座，其中，多个圆形通孔被制作在凹坑底部壁中向着圆形底部壁的中心达大约1/2半径距离的外围区域中。这些通孔的总开口表面积为底部壁表面积的0.05-55%。提供在这一外围区域处的各个通孔的开口...
石桥昌幸J·F·克鲁格土肥敬幸堀江大造藤川孝
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半导体晶片的制造方法
在同时研磨半导体晶片(W)的正反两面时，上平板(12)的研磨布(14)以及下平板(13)的研磨布(15)中的任一个研磨布是使用与余下的另一个研磨布在研磨时半导体晶片进入量不同的研磨布，由此而使得正面的光泽度与反面的光泽度...
谷口彻森田悦郎又川敏原田晴司小野五十六远藤光弘吉田文彦
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贴合绝缘体基外延硅基片及其制造方法与半导体装置
在活性层用晶片的表面或支持基片用晶片的贴合面形成多个深度不同的凹部。将它们隔着绝缘膜贴合。由此可埋置尺寸精度高的空腔。可在基片平面内的多个位置同时形成多个空腔，并可任意设定SOI层的厚度。从而，能够容易制造出在同一个芯片...
足立尚志中前正彦
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外延生长用气体的供给装置
公开了一种外延生长用气体的供给装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化，将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合，将该混合气在其露点以上的温度下加热保温，同时调节该温合气的流量，然后...
远山美晴黑田明寿木山德二木田纯生吉田俊治山本孝渥美彻弥
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化学汽相淀积装置的净化方法
为了能高效率地进行保养后的净化处理，同时能可靠地知道净化处理的结束，缩短净化处理所需要的时间，进行CVD装置的恢复，在保养后的加热流通净化处理时，把混合了热传导系数高的气体和惰性气体的气体作为净化气体来使用。在半导体膜形...
长谷川博之山冈智则石原良夫增崎宏佐藤贵之铃木克昌德永裕树
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外延生长用气体的供给装置
公开了一种外延生长用气体的供给装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化，将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合，将该混合气在其露点以上的温度下加热保温，同时调节该温合气的流量，然后...
远山美晴黑田明寿木山德二木田纯生吉田俊治山本孝渥美彻弥
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单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体
在使单晶体(11)稳定的气氛中，在0.2～304Mpa的压力和以绝对温度表示的单晶体(11)熔点的0.85倍以上的温度下，对单晶体(11)进行热等静压处理5分钟～20小时，然后对单晶体(11)进行缓冷。对单晶体(11)稳...
古川纯须藤充中井哲弥藤川隆男增井卓也
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单晶与熔液固液界面形状和单晶点缺陷分布的模拟方法
将单晶提拉装置中的热区模型化成网格结构；将各元件的物理性质数值输入到计算机中；根据加热器的发热量和各元件的热发射率获得各元件的表面温度分布；根据各元件的表面温度分布和热导率获得内部温度分布，从而获得考虑了对流的熔液内部温...
北村浩之介小野直树
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半导体晶片的制造方法
一种半导体晶片的制造方法，其特征在于：把半导体晶片保持在托板形成的晶片保持孔内，一边把含有研磨磨粒的磨浆供给该半导体晶片，一边使该托板在分别铺有研磨布的上平板以及下平板之间、且在平行于上述托板的表面的面内进行不带有自转的...
谷口彻森田悦郎又川敏原田晴司小野五十六远藤光弘吉田文彦
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