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苏州能屋电子科技有限公司

作品数：46 被引量：1H指数：1
相关机构：桂林理工大学中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 45篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 25篇HEMT器件
  • 21篇增强型
  • 19篇刻蚀
  • 17篇二维电子
  • 17篇二维电子气
  • 11篇刻蚀损伤
  • 9篇ALGAN/...
  • 8篇P型
  • 7篇电流崩塌
  • 7篇高阻
  • 6篇氮化
  • 6篇氮化物
  • 6篇电化学
  • 6篇电化学刻蚀
  • 6篇化物
  • 6篇场板
  • 6篇场板结构
  • 5篇势垒
  • 5篇欧姆接触
  • 5篇外延层

机构

  • 46篇苏州能屋电子...
  • 1篇桂林理工大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇张宝顺
  • 1篇于国浩
  • 1篇李新宇

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 6篇2019
  • 6篇2018
  • 8篇2017
  • 9篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2014
共 46 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
（0001）面外延的六方相SiC晶圆、UMOSFET器件及其制作方法
本发明公开了一种(0001)面外延的六方相SiC晶圆、UMOSFET器件及其制作方法。所述晶圆的外延层表面形成有至少一个多边形沟槽，并且构成多边形沟槽槽壁的多个面中的至少一个面与外延层表面的交线中有至少一条线与六方相Si...
林文魁曾春红张宝顺孙玉华张璇
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具有背面场板结构的增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种具有背面场板结构的增强型HEMT器件及其制备方法。该器件可通过习见半导体器件加工工艺制成，其包括源极、漏极、异质结构和背场板电极，该源、漏极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，且源、漏极与异质结构形成...
董志华蔡勇于国浩张宝顺
垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法
本发明公开了一种垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件，其包括衬底、外延结构以及源、漏、栅极，所述外延结构包括依次形成在所述衬底正面的电流阻挡层、第二半导体层、第一半导体层和钝化层，所述第一半导体层和/或第二半导体层内...
孙世闯张宝顺范亚明付凯蔡勇于国浩张志利宋亮
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具有背面场板结构的MIS-HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种具有背面场板结构的MIS‑HEMT器件及其制备方法。该器件可通过习见半导体器件加工工艺制成，其包括源极、漏极、异质结构和背场板电极，该源、漏极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，且源、漏极与异质结构形...
董志华蔡勇于国浩张宝顺
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一种电化学刻蚀P型氮化物实现增强型HEMT的方法
本发明公开了一种电化学刻蚀实现增强型HEMT的方法，包括：提供刻蚀样品，其外延结构包括：主要第一、第二半导体层组成的异质结构，以及设置于第二半导体层上并能耗尽该异质结构导电沟道中二维电子气的第三半导体层，且第三半导体层的...
张志利张宝顺蔡勇潘革波于国浩付凯孙世闯宋亮秦双娇
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N面GaN HEMT器件及其制作方法
本申请公开了一种N面GaN HEMT器件及制作方法。所述HEMT器件包括外延结构以及与外延结构配合的源、漏、栅极；所述外延结构包括沿设定方向依次生长形成的高阻层、沟道层和势垒层，所述沟道层与势垒层的界面处还形成有二维电子...
张丽于国浩张宝顺
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基于高阻盖帽层的Ⅲ族氮化物极化超结HEMT器件及其制法
本发明公开了一种基于高阻盖帽层的III族氮化物极化超结HEMT器件及制法，所述器件包括：第一异质结，包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且所述第一异质结构中形成有二维电...
郝荣晖付凯于国浩蔡勇张宝顺
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通过原位刻蚀监控制备凹栅增强型HEMT器件的方法及系统
本发明公开了一种通过原位刻蚀监控制备凹栅增强型HEMT器件的方法及系统。所述方法包括：将刻蚀样品与陪片放置在刻蚀设备内的等效刻蚀位置，使所述刻蚀样品的刻蚀表面和所述陪片直接暴露在刻蚀环境内，通过监控所述陪片的两个电极之间...
张志利张宝顺蔡勇付凯于国浩孙世闯宋亮李维毅
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基于双层盖帽层结构的Ⅲ族氮化物HEMT器件及其制作方法
本发明公开了一种基于双层盖帽层结构的Ⅲ族氮化物HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括外延层以及与外延层配合的源极、漏极和栅极，所述外延层包括异质结构，所述异质结构包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所...
李维毅张宝顺蔡勇张志利付凯于国浩孙世闯宋亮
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垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法
本发明公开了一种垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件，包括衬底、以及依次形成于所述衬底上的n+GaN层、高阻GaN层、本征GaN层和AlGaN层，与所述n+GaN层形成欧姆接触的漏电极、与所述AlGaN层形成欧姆接触...
孙世闯张宝顺范亚明付凯蔡勇于国浩张志利宋亮
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