您的位置： 专家智库 > >

诺维晶科股份有限公司

作品数：42 被引量：0H指数：0
相关机构：株式会社田村制作所TDK株式会社国立大学法人信州大学更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 42篇中文专利

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 25篇二极管
  • 22篇肖特基
  • 19篇单晶
  • 18篇势垒
  • 16篇氧化镓
  • 16篇肖特基势垒
  • 16篇肖特基势垒二...
  • 12篇半导体
  • 8篇欧姆接触
  • 8篇肖特基接触
  • 7篇导电
  • 7篇导电型
  • 7篇绝缘
  • 7篇绝缘膜
  • 6篇肖特基二极管
  • 6篇绝缘破坏
  • 5篇电极
  • 5篇开启电压
  • 5篇沟槽
  • 4篇源极

机构

  • 42篇诺维晶科股份...
  • 32篇株式会社田村...
  • 10篇TDK株式会...
  • 2篇不二越机械工...
  • 2篇国立大学法人...

年份

  • 5篇2025
  • 9篇2024
  • 7篇2023
  • 7篇2022
  • 5篇2021
  • 6篇2020
  • 3篇2019
共 42 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
肖特基势垒二极管
本发明提供不容易产生电场集中导致的绝缘破坏的肖特基势垒二极管。基于本发明的肖特基势垒二极管，其包括：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的...
有马润藤田实平林润佐佐木公平
文献传递
场效应晶体管
提供一种不使用p型的β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>单晶且截止泄漏特性和耐压优异的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>系的场效应晶体管。作为一实施方式，提供沟槽型MOSFET(...
佐佐木公平
文献传递
外延晶片及其制造方法
提供一种外延晶片的制造方法，其包含：通过HVPE法，将包括β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>系单晶并含有施主杂质的基板(10)暴露在GaCl气体和O<Sub>2</Sub>气体中，在基板(10)的...
林家弘佐佐木公平
半导体元件及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法
提供一种半导体元件的制造方法等，该由Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>系半导体构成的半导体元件的制造方法，能够从1个晶片在抑制划片时的破损的同时得到具有散热性优异的结构的多个半导体元件。提供一种半导体...
町田信夫
氧化镓晶体的制造装置
一种氧化镓晶体的制造装置，其包括：坩埚，其内部容纳氧化镓原料；坩埚支撑体，其从下方支撑坩埚；坩埚支撑轴，其从下方连接至坩埚支撑体，并且可垂直移动地支撑坩埚和坩埚支撑体；管状的炉芯管，其包围坩埚、坩埚支撑体以及坩埚支撑轴；...
干川圭吾小林拓实大冢美雄太子敏则
文献传递
肖特基势垒二极管
提供一种包括Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>系半导体的肖特基势垒二极管，其具有比以往的肖特基势垒二极管低的开启电压。作为一个实施方式，提供肖特基势垒二极管(1)，其具有：半导体层(10)，其包括Ga...
佐佐木公平胁本大树小石川结树韶光秀
肖特基势垒二极管
提供具备包括氧化镓系半导体的半导体层的肖特基势垒二极管，其通过包括SiO<Sub>2</Sub>的钝化膜有效地抑制了表面漏电，且绝缘耐压有效地提高。作为一实施方式，提供肖特基势垒二极管(1)，其具备：n型半导体层(10)...
山口慎也 内田悠贵 胁本大树 高冢章夫
肖特基势垒二极管
本发明提供一种难以产生电场集中引起的绝缘破坏的肖特基势垒二极管，具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层30肖特基接触的阳极电极(40)、与半导体基板(2...
有马润藤田实平林润佐佐木公平
沟槽型MESFET
提供一种沟槽型MESFET(1)，具备：n型半导体层(11)，其包括Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>系单晶，具有在一个面(19)上开口的多个沟槽(12)；绝缘体(14)，其埋入于多个沟槽(12)各自...
佐佐木公平
肖特基势垒二极管
提供一种具有沟槽结构的肖特基势垒二极管，其具有比以往更高的耐压。作为一个实施方式，提供一种肖特基势垒二极管(1)，该肖特基势垒二极管(1)具备：第1导电型的半导体层(11)，其包括宽带隙半导体，在第1面具有形成台面部(1...
大冢文雄
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0