天津中环新光科技有限公司
- 作品数：15 被引量：14H指数：2
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- LED半导体照明的核心技术与发展趋势
- 2018年
- 近年来,我国经济水平发展迅速,人们的生活水平不断提高。人们的日常生活逐渐变得丰富多彩,但同时也对环境造成了一定影响。其中,光已经成为人们生活中不可缺少的一部分。不管是工作,学习或者是娱乐,都需要灯光照明才能进行。为了降低能源消耗,保护环境,半导体照明顺势而出。半导体照明以其节能环保,保护视力,经济实惠的特点,受到了人们的大力追捧。本文以下将分析半导体照明技术的发展现状,以及半导体照明的核心技术,并对半导体照明的发展趋势进行预测。
- 芮雅强
- 关键词：半导体照明LED
- 具有抗衰层的发光二极管
- 一种具有抗衰层的发光二极管，设有：一砷化镓衬底，该砷化镓衬底上设有分布布拉格反射器，分布布拉格反射器上设有n型砷磷化铝铟抗衰层，n型砷磷化铝铟抗衰层上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱...
- 王晓晖刘佩张业民陈宇张荣勤宋京
- 文献传递
- 砷磷化铝镓铟发光二极管
- 一种砷磷化铝镓铟发光二极管，设有：砷化镓(GaAs)衬底，砷化镓(GaAs)衬底上设有超晶格分布布拉格反射层(DBR)，分布布拉格反射层(DBR)上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有...
- 丁国建刘佩陈宇张业民罗惠英
- 文献传递
- 电极中Al层对LED芯片可靠性的影响
- 2017年
- LED芯片是LED的心脏,是一种固态的半导体器件,LED芯片是LED器件中的核心组成部分,芯片的可靠性影响着整个LED器件功能的稳定性,如果芯片不良会直接导致LED器件失效。电极中的A1层与LED芯片相连接,会影响LED芯片的可靠性,本文即针对这一问题展开研究。
- 于坤鹏
- 关键词：电极LED芯片可靠性
- 国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜被引量：10
- 2011年
- 采用高温AlN作为缓冲层在国产SiC衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长GaN外延薄膜。通过优化AlN缓冲层的生长参数得到了高质量的GaN外延薄膜,其对称(0002)面和非对称(1012)面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到130 arcsec和252 arcsec,这是目前报道的在国产SiC衬底上生长GaN最好的结果。文中研究了AlN缓冲层生长参数对GaN晶体质量的影响,还利用拉曼散射研究了GaN外延薄膜中的应力,发现具有越小X射线衍射摇摆曲线半峰宽的GaN外延薄膜受到的张应力也越小。
- 陈耀王文新黎艳江洋徐培强马紫光宋京陈弘
- 关键词：GANALNSIC衬底MOCVDX射线衍射
- 具有外延表面粗化层的砷磷化铝镓铟发光二极管
- 一种具有外延表面粗化层的砷磷化铝镓铟发光二极管，设有：砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上设有布拉格反射层，布拉格反射层上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区,多量子阱...
- 丁国建宋京张荣勤罗惠英王晓晖
- 文献传递
- 高磷组分砷磷化镓光电阴极
- 一种高磷组分砷磷化镓光电阴极，设有：砷化镓(GaAs)衬底、砷化镓(GaAs)衬底上设置有砷化镓(GaAs)缓冲层，砷化镓(GaAs)缓冲层上设置有组分渐变缓冲层，组分渐变缓冲层上设置有变In组分的磷化铝镓铟的应力调制层...
- 王晓晖刘佩陈宇张业民
- 文献传递
- 高亮度发光二极管及制备方法
- 一种高亮度发光二极管及制备方法，设有砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上由下至上依次设有砷化铝（AlAs）剥离层，n型限制层，构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区, p型限制层，作为永久衬底层的p型窗...
- 丁国建陈弘贾海强王晓晖宋京张荣勤罗惠英
- 文献传递
- 晶圆片的烘干机
- 一种晶圆片的烘干机，包括：设在烘干箱上部的电机、设在烘干箱中的喷气嘴、设在烘干箱上的上盖、设在上盖上的出气口以及设在烘干箱底部的排水口；该烘干箱的上部设置一通风橱，电机固定在通风橱的顶部；电机的转轴上连接有一连接杆，该连...
- 张荣勤罗惠英宋京丁国建魏文生
- 文献传递
- 红光发光二极管及制备方法
- 一种红光发光二极管，包括：砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上设有砷化铝（AlAs）基底层，砷化铝（AlAs）基底层上设有分布布拉格反射器；其中，分布布拉格反射器上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极...
- 贾海强陈弘王晓晖宋京张荣勤丁国建
- 文献传递
