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上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司

作品数：612 被引量：5H指数：2
相关机构：上海集成电路研发中心成都微光集电科技有限公司河北科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 606篇专利
  • 6篇期刊文章

领域

  • 95篇电子电信
  • 92篇自动化与计算...
  • 25篇文化科学
  • 20篇金属学及工艺
  • 10篇经济管理
  • 9篇电气工程
  • 8篇机械工程
  • 7篇化学工程
  • 4篇建筑科学
  • 4篇交通运输工程
  • 3篇医药卫生
  • 2篇轻工技术与工...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇水利工程
  • 1篇农业科学

主题

  • 104篇半导体
  • 77篇晶圆
  • 66篇图像
  • 65篇光刻
  • 62篇刻蚀
  • 54篇电路
  • 51篇感器
  • 51篇传感
  • 51篇传感器
  • 48篇掩模
  • 42篇半导体器件
  • 35篇图像传感器
  • 30篇栅极
  • 30篇介质层
  • 30篇衬底
  • 29篇芯片
  • 27篇信号
  • 25篇存储器
  • 23篇电极
  • 23篇刻蚀工艺

机构

  • 612篇上海集成电路...
  • 344篇上海集成电路...
  • 14篇成都微光集电...
  • 1篇上海理工大学
  • 1篇河北科技大学

作者

  • 37篇康晓旭
  • 31篇李琛
  • 13篇温建新
  • 9篇叶红波
  • 5篇杨海玲
  • 4篇钟旻
  • 4篇赵宇航
  • 4篇范春晖
  • 3篇袁伟
  • 3篇孙德明
  • 3篇朱建军
  • 3篇奚鹏程
  • 2篇胡正军
  • 2篇郭奥
  • 2篇李铭
  • 2篇何学红
  • 2篇蒋宇
  • 2篇段杰斌
  • 1篇王丽慧
  • 1篇左青云

传媒

  • 3篇集成电路应用
  • 1篇互联网周刊
  • 1篇暖通空调
  • 1篇机床与液压

年份

  • 146篇2025
  • 122篇2024
  • 140篇2023
  • 155篇2022
  • 46篇2021
  • 3篇2020
共 612 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
研磨硅片的装置和方法
本发明提供一种研磨硅片的装置和方法，该方法包括：在研磨硅片之前获取硅片表面各个区域的初始厚度值；当研磨硅片表面时，实时获取所述各个区域的研磨厚度值；根据所述研磨厚度值和所述初始厚度值计算所述各个区域的磨除量；获取研磨时间...
陈鸿泽雷炀烊
一种注入保护层厚度控制方法及装置
本发明公开了一种注入保护层厚度控制方法及装置，通过在栅极侧墙刻蚀阶段，利用将刻蚀气体中的氧气等离子化，对衬底表面进行氧化，在衬底表面上形成原生氧化层，并在刻蚀阶段，根据厚度管控规格要求，通过设定偏置功率，对原生氧化层的厚...
牛清坡
透射测试装置、信噪比测试系统及测试方法
本发明提供了一种透射测试装置，包括至少一个透射测试单元，所述透射测试单元包括第一透射测试子单元、第二透射测试子单元和第三透射测试子单元，所述第一透射测试子单元和所述第二透射测试子单元相接触，且均设置于所述第三透射测试子单...
白丽莎张悦强叶红波温建新
一种光刻胶的去胶方法
本发明公开了一种光刻胶的去胶方法，包括：提供表面设有金属层的处理对象；通过光刻和刻蚀，形成贯通所述金属层的开口图形；使用第一处理方法，在对所述金属层不产生刻蚀和氧化作用的情况下，对刻蚀后位于所述金属层上的光刻胶进行第一时...
陆丛希
基于阻变存储器的设备标识确定方法、装置、设备及介质
本申请提供一种基于阻变存储器的设备标识确定方法、装置、设备及介质。该方法包括：根据物理不可克隆功能电路中阻变存储器的第一电阻和设备向物理不可克隆功能电路所输入的输入电压，确定阻变存储器的第一输出电流；若阻变存储器的第一输...
张飞翔李琛余学儒陈保安
RRAM乘加运算电路、方法及模型训练方法
本发明提供了一种RRAM乘加运算电路、方法及模型训练方法，所述RRAM乘加运算电路控制开关单元、电流镜单元、至少一个反相器单元、至少一个选择开关单元和至少一个电阻单元，所述反相器单元用于对输入的电压进行反相处理并生成反相...
余学儒李琛陈保安孙红霞傅豪
实现卷积运算的电路及其方法
本发明提供了一种实现卷积运算的电路，包括编码模块、数模转换模块、存储器阵列、参考阵列、调整模块、符号列处理模块和计算模块；编码模块用于获取符号位和权重编码；数模转换模块用于将输入数字信号转换为电压信号；存储器阵列用于映射...
张飞翔李琛 余学儒 段杰斌 杨何勇
文献传递
一种半导体设备及其管体
本申请涉及半导体领域，公开了一种半导体设备及其管体，管体内部为中空，管体内部用于容纳晶圆；管体的横截面面积由第一端至第二端逐渐增大，所述管体侧壁与水平面具有夹角；第一端为气体进入管体的一端，第二端为气体流出管体的一端，在...
肖建建 杜记龙
光刻胶图形的形成方法
本发明提供了一种光刻胶图形的形成方法，包括：提供半导体衬底和掩模版，掩模版具有若干凸起的掩模图形；将半导体衬底与掩模版具有掩模图形的一面贴合以形成若干间隙，且将半导体衬底与掩模版置于盛有光刻胶的容器中；执行超声波传导工艺...
王梦知
一种金属层中最小线宽和最小间距的图形优化方法及装置
本发明公开了一种金属层中最小线宽和最小间距的图形优化方法及装置，应用于光刻制造领域，包括：选取包括金属层中最小线宽和最小间距的图形，作为目标图形；目标图形为沿最小线宽和最小间距排列的方向，最小线宽的一侧只具有一个相邻间距...
邹雪峰
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