您的位置： 专家智库 > >

三洋半导体制造株式会社

作品数：37 被引量：0H指数：0
相关机构：三洋电机株式会社三洋半导体株式会社关东化学株式会社更多>>
相关领域：经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 37篇中文专利

领域

  • 2篇经济管理

主题

  • 30篇半导体
  • 25篇半导体装置
  • 14篇蚀刻
  • 12篇绝缘膜
  • 6篇绝缘
  • 5篇蚀刻液
  • 5篇组合物
  • 5篇半导体器件
  • 4篇电压
  • 4篇亚胺
  • 4篇掩模
  • 4篇有机绝缘
  • 4篇粘接
  • 4篇树脂
  • 4篇配线
  • 4篇酰亚胺
  • 4篇漏电
  • 4篇漏电流
  • 4篇内壁
  • 4篇聚酰亚胺

机构

  • 37篇三洋半导体制...
  • 37篇三洋电机株式...
  • 32篇三洋半导体株...
  • 1篇关东化学株式...

年份

  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 5篇2012
  • 5篇2011
  • 6篇2010
  • 9篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
共 37 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
台型半导体装置及其制造方法
在台型半导体装置及其制造方法中，提升耐电压并降低漏电流。于半导体基板(1)的表面形成N－型半导体层(2)，于N－型半导体层(2)的上层形成P型半导体层(3)。接着，从P型半导体层(3)的表面蚀刻PN接合部JC、N－型半导...
铃木彰关克行小田岛庆汰
文献传递
台型半导体装置及其制造方法
在台型半导体装置及其制造方法中，谋求提升良率及生产性。于半导体基板(10)的表面形成N－型半导体层(11)，于该N－型半导体层(11)的上层形成P型半导体层(12)。于P型半导体层(12)上复形成与P型半导体层(12)连...
铃木彰关克行小田岛庆汰
文献传递
台型半导体装置及其制造方法
本发明的目的在于谋求高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法的确立，通过使用廉价的材料来解决现有的因相当于PN接合部PNJC的位置的台沟内壁11的第2绝缘膜10的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的台型半导...
关克行土屋尚文铃木彰冈田喜久雄
文献传递
硅各向异性蚀刻液组合物
本发明提供一种硅各向异性蚀刻液组合物，含有(a)作为有机碱化合物和无机碱化合物的混合物的碱化合物；以及(b)含硅化合物。作为有机碱化合物，使用氢氧化季铵盐或乙二胺中的1种以上。此外，作为无机碱化合物，使用氢氧化钠、氢氧化...
勇谦司 木村真弓 青山哲男 田湖次广
文献传递
半导体装置的制造方法
本发明提供一种半导体装置的制造方法，特别是利用博世工艺形成有通路孔的半导体装置的制造方法，其目的是实现在通路孔内形成均匀的膜。以掩模层(2)作为掩模，利用博世工艺从半导体基板(1)的一面向另一面进行蚀刻，形成贯通该半导体...
铃木彰关克行龟山工次郎及川贵弘
文献传递
半导体装置的制造方法
本发明提供一种半导体装置的制造方法，当在形成于半导体基板的开口部上形成凸起电极时，防止形成由密闭在开口部内的气体造成的气孔。本半导体装置的制造方法具有如下工序：在半导体基板的主面侧形成第一配线(3)的工序；为了将第一配线...
须藤和之富田弘明
文献传递
半导体装置的制造方法
本发明涉及一种半导体装置的制造方法。目前存在埋入扩散层在其他的热处理工序中超出必要而爬上，而不能得到所希望的耐压特性的问题。在本发明中，形成N型埋入扩散层(2)后，为了将用于元件间隔离等的槽部(8)的角部(9)圆化，而进...
小内聪寺中志敦
文献传递
台型半导体装置及其制造方法
本发明的目的在于确立高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法，以解决因位于PN接合部PNJC处的台沟内壁的第2绝缘膜的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的装置及方法，是对以干蚀刻形成的台沟，再以氟酸、硝酸系...
关克行铃木彰小田岛庆汰冈田喜久雄龟山工次郎
文献传递
台型半导体装置及其制造方法
本发明的目的在于确立高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法的确立，以解决因位于PN接合部PNJC处的台沟内壁的第2绝缘膜的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的装置及方法，是对以干蚀刻形成的台沟，再以氟酸、...
关克行铃木彰小田岛庆汰冈田喜久雄龟山工次郎
文献传递
半导体器件及其制造方法
一种既可抑制制造成本，又可谋求与保护环相接的PN接合部的耐压性提升的半导体器件及其制造方法。本发明是在半导体衬底(10)的表面形成N－型半导体层，且在其上层形成P型半导体层。在P型半导体层上形成绝缘膜。之后，形成从绝缘膜...
铃木彰土屋尚文龟山工次郎
文献传递
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0