南京电子器件研究所首次成功研制了G波段瓦级固态功率放大器。该固态放大器以南京电子器件研究所自主研制的G波段GaN功率MMIC为基础,结合太赫兹低损耗传输技术和高效合成技术,实现了16路高效功率合成,典型输出功率达到1W。G波段固态功率放大器的实物照片如图1所示,该固态功率放大器外形尺寸为:280 mm ×204 mm ×48 mm。
研究了重离子引起漏电退化损伤对1 200 V SiC MOSFET栅极可靠性的影响。结果表明,在Ta离子辐照下,V_(DS)在150 V至200 V时,器件漏电流由纳安增加至微安,通过微光显微镜(EMMI)发现损伤主要集中在器件的主结区。经过168 h的20 V栅压考核,漏电退化器件栅漏电由几微安升高至百微安,但最大跨导和转移特性均无明显变化。研究同时验证了在负栅压辐照条件下,器件栅极更易发生漏电。综上,本研究为SiC MOSFET辐照后栅极可靠性评估、抗辐照性能加固提出新的视角,对探讨天-地等效的重离子单粒子效应模拟实验方法具有一定参考意义。
详细分析并讨论了相位体制数模转换器(DAC)动态参数的表征方法,提出用无杂散动态范围(SFDR)、近区谐波失真(TH D 6)、有效工作带宽(EW B)、输出信号功率及正交输出信号幅度一致性来全面描述相位DAC的频域性能。采用上述方法对利用南京电子器件研究所标准76 mm G aA sM ESFET全离子注入工艺流片得到的3b it相位DAC进行了频域测试。结果显示其EW B大于1.5 GH z,转换速率大于12 G bps,全频带内输出信号的正交精度低于4%,幅度一致性低于26%(大多数测试点低于10%)。在500 MH z输入信号下,其SFDR、TH D 6分别为33.8 dB c-、33.7 dB c。该相位DAC的动态参数良好,尤其正交性能优异。
