国家自然科学基金(10804018)
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
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- TiN多型体高压相变的第一性原理计算被引量：3
- 2011年
- 基于密度泛函理论框架下的赝势平面波方法,计算了B1(氯化钠结构)、B2(氯化铯结构)、B3(闪锌矿结构)、Bk(六方氮化硼结构)、Bh(碳化钨结构)和B81(砷化镍结构)6种TiN多型体的晶体结构、体积弹性模量和相对稳定性.计算指出,不存在B4(纤锌矿)结构的TiN.通过不同外压下的晶格弛豫得到每种结构的焓,发现外压低于345GPa时TiN最稳定的结构是B1结构,在345GPa以上B2结构的TiN最稳定.TiN从B1结构到B2结构的相变伴随着体积和弹性模量的变化.
- 顾雄高尚鹏
- 关键词：氮化钛赝势高压相变密度泛函理论
- 基于自洽GW方法的碳化硅准粒子能带结构计算被引量：2
- 2012年
- 在多体微扰理论的框架下,分别采用G_0W_0方法和准粒子自洽GW方法计算3C-SiC和2H-SiC的准粒子能级.由一个平均Monkhorst-Pack网格点上的准粒子能级和准粒子波函数出发,结合最局域Wannier函数插值,得到3C-SiC和2H-SiC的自洽准粒子能带结构.3C-SiC的价带顶在Γ点,导带底在X点.DFT-LDA,G_0W_0和准粒子自洽GW给出的3C-SiC间接禁带宽度分别为1.30eV,2.23 eV和2.88eV 2H-SiC价带顶在Γ点,导带底在K点.采用DFT-LDA,G_0W_0和准粒子自洽GW方法得到的间接禁带宽度分别为2.12 eV,3.12 eV和3.75 eV.计算基于赝势方法,对于3C-SiC和2H-SiC的准粒子自洽GW计算给出的禁带宽度均比实验值略大.
- 高尚鹏祝桐
- 关键词：SIC
