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北京市教委资助项目(KM200710005015)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：金冬月邱建军谢红云王扬更多>>
相关机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市属高等学校人才强教计划资助项目北京市教委资助项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇热分析
  • 1篇热模拟
  • 1篇发射极
  • 1篇SIGE_H...
  • 1篇HBT
  • 1篇SIGE

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇王扬
  • 1篇谢红云
  • 1篇邱建军
  • 1篇金冬月

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
多发射极指分段结构功率SiGe HBT的热分析被引量：3
2008年
提出了一种有效的方法—采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性。为了对分段结构进行精确的热分析,针对器件多层结构的特点,建立起适当的热模型,模型中充分考虑了各个部分的热阻。根据此热模型,使用有限元方法,对一个十指的分段结构功率SiGe HBT进行了热模拟。考虑到模拟的精确性及软件的功能限制,采用两步模拟法:衬底模拟和有源区模拟。通过模拟,得到了发射极指的三维温度分布。结果表明,分段结构功率HBT的最高结温和热阻都明显低于完整发射极指结构,新结构有效地提高了器件的热稳定性。
王扬张万荣谢红云金冬月邱建军
关键词：SIGEHBT热模拟
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