国家攀登计划(981101040)
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
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- 金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜被引量：3
- 2006年
- 采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积(UHVCVD)相结合的方法,在热氧化硅衬底上生长了多晶锗硅薄膜.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)等对多晶锗硅薄膜的质量、表面形貌进行了测试分析,并就生长参数以及金属Ni对薄膜性能的影响进行了研究.结果表明1)在420—500℃范围内,金属Ni具有明显的诱导作用;2)Ni层厚度对薄膜质量及形貌的影响使得晶粒尺寸随Ni厚度增加存在一极大值.在Ni层厚度为60nm时,能够获得晶粒尺寸均匀,晶粒大小为500—600nm,结晶质量良好的多晶锗硅薄膜.
- 吴贵斌叶志镇赵星刘国军赵炳辉
- 关键词：超高真空化学气相沉积金属诱导镍
- 超高真空化学气相生长用于应变硅的高质量SiGe缓冲层被引量：5
- 2005年
- 采用UHV/CVD技术,以多层SiGe/Si结构作为缓冲层来生长应变弛豫SiGe虚衬底,并在此基础上生长出了具有张应力的Si层.利用高分辨X射线、二次离子质谱仪和原子力显微镜分别对薄膜的晶体质量、厚度以及平整度进行了分析.结果表明,通过这种方法制备的SiGe虚衬底,不仅可以有效提高外延层中Ge含量,以达到器件设计需要,而且保证很好的晶体质量和平整的表面.Schimmel液腐蚀后观察到的位错密度只有1×106cm-2.
- 吴贵斌叶志镇刘国军赵炳辉崔继峰
- 关键词：超高真空化学气相沉积锗硅缓冲层
- 应用于无线电发射领域的第二代SiGe技术进展被引量：1
- 2005年
- SiGe 1器件性能出色,在射频器件中的频率高达50GHz,已用于制造 GSM、DCS、GPS 中的 LNA、PA、DACs 和混频器等。为了满足将来产品更新换代和制造高尖端产品的需要,现在的一些公司(如 Atmel wireless andMicrocontrollers)已经发展了第二代 Si/SiGe 双极技术(SiGe2)。这种高性能的新技术可使发射区的宽度降到0.5μm,输运频率 f_T 和最大震荡频率 f_(max)达到90GHz 以上;5GHz 和20GHz 的最大稳定增益(MSG)分别为22dB 和11dB。SiGe 2技术能制造出应用更加广泛的各种器件,而0.5μm CMOS 技术还处于发展阶段。
- 孙伟峰叶志镇赵炳辉朱丽萍
- 关键词：SIGE双极MSGSI/SIGE发射区
- 金属诱导生长多晶锗硅薄膜的电学性能研究被引量：1
- 2006年
- 采用超高真空化学气相沉积与金属诱导相结合的方法生长多晶SiGe薄膜。530℃下,金属Ni先与SiGe反应生成Ni硅化物,直至Ni被完全消耗完,接着多晶SiGe薄膜在Ni硅化物上异质生长;首次制作了Al/PolySiGe/Ni Silicide肖特基二极管,对器件的I-V特性测试表明,采用这种结构制备的肖特基结在±1 V时,整流比可达到8 000,而在-2 V时反向漏电流只有10-7A,显示出很好的器件性能。
- 吴贵斌叶志镇赵星刘国军赵炳辉
- 关键词：超高真空化学气相沉积肖特基二极管
