江苏省自然科学基金(BK2003099)
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
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- 基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究被引量：2
- 2004年
- 本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法 ,着重在于短沟道效应方面 ,其中测试样品由MicronTM公司提供 ,最短沟道长度仅为 0 16微米 .内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应 (简称DIBL效应 )等 .研究表明 ,实验数据和BSIM模型结果较好吻合 ,证明文中方法的有效性以及较好的应用前景 .
- 赵阳Parke StephenBurke Franklyn
- 关键词：MOSFET器件短沟道效应
- 电磁场有限元分析的快速数值方法研究被引量：3
- 2006年
- 有限元理论及技术对于求解大规模有限元方程至关重要的快速算法研究尚存许多问题.提出了一种目标区域定位算法并与波阵法联合使用的新数值技术,分析了新算法的原理及其在非线性条件下的应用.阐述了在磁矢量(MVP)有限元中的实现,最后给出计算实例.结果表明,采用新方法可以节约大量计算机资源,是一种鲁棒性较好的数值技术,对大规模电磁场数值计算也有良好的应用前景.
- 赵阳UDPA LalitaUDPA Satish
- 关键词：电磁场有限元
