江西省研究生创新基金(YC10A119)
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
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- Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-Ba_(0.5)Sr_(0.5)Nb_2O_6无铅压电陶瓷的研究被引量：1
- 2012年
- 采用固相法制备了(1-x)(Na0.5Bi0.5)TiO3-xBa0.5Sr0.5Nb2O6(0≤x≤1.0%)(简称(1-x)NBT-xBSN)无铅压电陶瓷,研究了不同BSN含量(x=0,0.1%,0.3%,0.5%,0.7%,1.0%,摩尔分数)样品的物相组成、显微结构及电性能。结果表明:所有样品均为纯钙钛矿结构,随掺杂量x的增加,陶瓷的相对密度ρr、压电常数d33和机电耦合系数kp均先增大后降低,机械品质因子Qm和退极化温度Td则逐渐下降。该体系陶瓷具有弥散相变特征,弥散指数介于1.6～1.7。当x=0.5%时,陶瓷获得最佳性能:d33=92pC/N,kp=0.164,Qm=89,=650,tanδ=5.47%,ρ=96.5%.
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- 关键词：钛酸铋钠无铅压电陶瓷压电性能介电性能
- Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-BaMnO_3无铅压电陶瓷的结构与电性能被引量：3
- 2012年
- 采用固相法制备了(0.8-x)Na0.5Bi0.5TiO3-0.2K0.5Bi0.5TiO3-xBaMnO3(简称NBT-KBT-BM)无铅压电陶瓷,研究了不同BM含量(x=0,0.25%,0.50%,0.75%,1.00%,1.25%,物质的量分数)样品的物相组成、显微结构及电性能。结果表明:所制备的NBT-KBT-BM陶瓷样品均为单一的钙钛矿结构。与纯NBT-KBT陶瓷相比,掺BM陶瓷的烧结温度降低,相对密度ρr得到提高。随x的增加,材料的压电常数d33、平面机电耦合系数kp与机械品质因子Qm先增大后减小,而介电损耗tanδ以及退极化温度Td一直降低。BM的掺入降低了材料的矫顽场Ec,提高了剩余极化强度Pr,从而增强了铁电性。当x=0.75%时,陶瓷获得最佳性能:d33=167 pC/N,kp=0.269,Qm=133,εr=774,tanδ=2.93%。
- 江向平古训玖张凯韦陈超李小红涂娜
- 关键词：无铅压电陶瓷钛酸铋钠压电性能
- LiSbO3掺杂NBT-KBT无铅压电陶瓷的研究
- 2013年
- 采用固相法制备了LiSbO3掺杂0.8(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.2(K0.5Bi0.5)TiO3(简称NBT-KBT-LS)无铅压电陶瓷,研究了LS的不同摩尔分数掺杂(0≤x≤1.50%)对样品的显微结构及电性能的影响。结果表明,所制备的NBT-KBT-LS陶瓷样品均为单一的钙钛矿结构,LS的掺入促进了晶粒的长大,但由于Bi 3+与Na+的挥发,导致块状晶粒的出现。掺杂一定量的LS,陶瓷的压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因子Qm、剩余极化强度Pr与矫顽场Ec均增大,表现出"软硬双性"的掺杂作用。当x=0.75%时,材料的性能最佳:d33=154pC/N,kp=0.268,Qm=107。
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- 关键词：钛酸铋钠无铅压电陶瓷掺杂显微结构电性能
- Y_2O_3,Fe_2O_3掺杂(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3无铅压电陶瓷的研究被引量：5
- 2011年
- 采用固相法制备了(Na0.5Bi0.5)TiO3+xmol%Y2O3+xmol%Fe2O3(0≤x≤1.25)(简称NBTYF)无铅压电陶瓷。XRD衍射结果表明,所有陶瓷样品均为单一的钙钛矿结构。SEM表明,掺杂后陶瓷的晶粒尺寸增大。介电温谱表明该体系陶瓷具有弛豫特性,随掺杂量的增加,退极化温度Td向低温方向移动,而居里温度Tc向高温方向移动。陶瓷的密度和压电常数d33和随x的增加先增大后减小,而机械品质因子Qm一直下降。当x=1.00时,该体系陶瓷具有最佳压电性能,d33=106pC/N,Qm=93,kp=16.08%,εr=594,tanδ=5.33%,ρ=5.699g/cm3。
- 古训玖江向平周文斌陈超周树兰李小红
- 关键词：钛酸铋钠无铅压电性能介电性能
- Sr和Mn复合掺杂(Na_(0.8)K_(0.2))_0.5Bi_(0.5)TiO_3无铅压电陶瓷被引量：2
- 2012年
- 用固相法制备了(Na0.8K0.2)0.5Bi0.5TiO3+xmol%SrCO3+xmol%MnCO3(0≤x≤1.25%)(简称NKBTSM)无铅压电陶瓷,用XRD、SEM、Agilent 4294A精密阻抗仪等对该体系陶瓷的结构与电性能进行表征。结果表明:所制备的NKBTSM陶瓷样品均为单一的钙钛矿结构。Sr和Mn的复合掺杂促进了晶粒的长大,并提高了致密度。与纯NKBT陶瓷相比,掺杂Sr和Mn能提高陶瓷的压电常数d33、机电耦合系数kp和机械品质因子Qm,降低陶瓷的介质损耗tanδ。该系陶瓷具有介电弛豫特性,弥散因子随x的增加先增大后减小。综合考虑:x=1.00%陶瓷的电学性能最佳:d33=152pC/N,Qm=195,kp=28.66%,εr=701,tanδ=2.84%。
- 古训玖江向平黎强陈超李小红李小红
- 关键词：钛酸铋钠无铅
