国家自然科学基金(50471035)
- 作品数：8 被引量：23H指数：3
- 相关作者：徐可为宋忠孝范多旺杨吉军汪渊更多>>
- 相关机构：西安交通大学兰州交通大学北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- 扩散阻挡层与离子束轰击能量对Cu-Cr合金膜结合强度的影响
- 2004年
- 用离子束辅助磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在TiN、CrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Cr合金膜.用滚动接触疲劳实验评价结合强度,结果发现:扩散阻挡层可明显提高结合强度;CrN上的Cu-Cr膜的结合强度最高;高能离子轰击得到的Cu-Cr合金膜具有更宽的过渡层而具有更高的结合强度.
- 宋忠孝鞠新华徐可为范多旺
- 关键词：扩散阻挡层离子束辅助沉积
- 退火Cu-W薄膜组织结构与残余应力被引量：7
- 2007年
- 以不同温度真空原位退火工艺为手段,促使制备在单晶Si(100)和Al2O3基底上的Cu-W薄膜发生相变。用X射线衍射(XRD)分析晶体取向,偏振相位移技术分析薄膜残余应力。结果表明,随退火温度变化,薄膜相变呈现连续变化,由初始的非晶态晶化,出现类W的亚稳态固溶体相,以及随退火温度的进一步增加,发生Spinodal分解,亚稳固溶体完全分解为W和Cu两相。薄膜发生相变时产生拉应力作用,而在晶粒生长阶段,拉应力释放。
- 汪渊李晓华宋忠孝徐可为尉秀英
- 关键词：相变残余应力真空退火
- 扩散阻挡层与离子束轰击能量对Cu-Cr合金膜结合强度的影响
- 用离子束辅助磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在TiN、CrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Cr合金膜。用滚动接触疲劳实验评价结合强度,结果发现:扩散阻挡层可明显提高结合强度;CrN上的Cu-Cr膜的结合强度最高;高能离子轰...
- 宋忠孝鞠新华徐可为范多旺
- 关键词：扩散阻挡层离子束辅助沉积
- 文献传递
- 集成电路的铜互连布线及其扩散阻挡层的研究进展被引量：2
- 2004年
- 本文综述了集成电路互连线的发展历史及研究现状.介绍了铜作为互连金属的优势及几种铜互连线的沉积工艺,分别讨论了它们的优缺点.总结了扩散阻挡层材料的研究状况,指出了目前扩散阻挡层高电阻率的缺点.
- 白宣羽汪渊徐可为范多旺
- 关键词：铜互连扩散阻挡层
- 溅射Cu膜方式对ZrN扩散阻挡层热稳定性的影响被引量：1
- 2004年
- 用射频磁控反应溅射法在Si(111)单晶基体上沉积ZrN扩散阻挡层,随后在其上分别用直流脉冲平衡磁控溅射(BMS)和非平衡磁控溅射(UBMS)沉积Cu膜.用XRD分析Cu膜的结构,AES分析薄膜成分,AFM观察沉积态Cu膜的表面形貌.结果表明,UBMS沉积的Cu膜可有效抑制Cu与Si基体之间的扩散,提高ZrN扩散阻挡层的热稳定性,UBMS沉积的Cu膜对扩散地抑制作用与其致密的结构有关.
- 宋忠孝徐可为范多旺
- 关键词：CU膜扩散阻挡层热稳定性
- 多晶薄膜表面粗化与生长方式转变被引量：7
- 2007年
- 采用原子力显微镜研究了磁控溅射多晶薄膜表面粗化行为对归一化沉积温度Ts/Tm(Ts是沉积温度,Tm是材料熔点)的依赖性与薄膜生长方式转变行为.随着Ts/Tm增加,薄膜表面粗糙度增加,而表征粗糙度随时间演化特征的生长指数β历经了先减小再增加的过程.β对Ts/Tm的依赖关系反映了薄膜生长方式的转变行为,即薄膜生长依次由随机生长方式向表面扩散驱动生长方式与异常标度行为生长方式转变.在低于体扩散控制薄膜生长的温度时,晶界扩散机理导致多晶薄膜的表面粗化的异常标度行为.
- 杨吉军徐可为
- 关键词：多晶薄膜表面粗化温度
- Cu-Zr/ZrN薄膜体系的低电阻率
- Cu的扩散主要是通过晶界扩散,因而非晶扩散阻挡层逐渐成为人们研究的热点。由于TiN有低的接触电阻,相应推测ZrN也有很低的接触电阻。为此本文采用磁控溅射方法在Si(111)基片上沉积Cu-Zr/ZrN薄膜体系作为扩散阻挡...
- 白宣羽汪渊徐可为范多旺
- 关键词：非晶电阻率纳米压入
- 文献传递
- 磁控溅射氮分压对Nb-Si-N薄膜结构和性能的影响被引量：1
- 2006年
- 用反应磁控溅射法在不同的氮分压下沉积了Nb-Si-N薄膜。结果表明:Nb-Si-N膜的成分、结构和性能随氮分压的改变而不同。随氮分压的增加,Nb-Si-N膜的Nb/Si比和表面粗糙度减小;薄膜的电阻值和微硬度增加。Nb-Si-N膜的结构为纳米晶NbN与类似Si3N4非晶相组成的纳米复合结构,且随着氮分压的增加,Nb-Si-N膜的非晶倾向增强,晶粒尺寸减小。
- 王剑锋宋忠孝徐可为范多旺
- 关键词：磁控溅射氮分压
- 纳米多层膜塑性变形及其Hall—Petch表征
- 2007年
- 采用直流磁控溅射制备了不同调制波长的Ni/Al多层膜，利用X射线衍射技术（XRD）和纳米亚痕仪对薄膜微结构及力学性能进行了系统研究。结果表明，Ni/Al多层膜呈现纳米晶结构特征；同时，随调制波长减小，多层膜的硬度与“软”相的微结构特征参量具有相似变化规律，表明多层膜的变形机制对软膜的微结构约束存在敏感性。随薄膜特征尺度的减小，通过提出一个与软膜相关的新的表征参量（Lsub/d，L表示亚层厚，d表示晶粒尺寸，下标代表亚层），对多层膜晶界强化和膜界强化两种机制进行了协调统一，使薄膜变形在整个尺度范围内较好的符合Hall—Petch关系。
- 刘明霞徐可为
- 关键词：纳米多层膜力学特性调制结构HALL-PETCH关系
- 集成电路的铜互连布线及其扩散阻挡层的研究进展
- 本文综述了集成电路互连线的发展历史及研究现状。介绍了铜作为互连金属的优势及几种铜互连线的沉积工艺,分别讨论了它们的优缺点。总结了扩散阻挡层材料的研究状况,指出了目前扩散阻挡层高电阻率的缺点。
- 白宣羽汪渊徐可为范多旺
- 关键词：铜互连扩散阻挡层
- 文献传递
