江苏省自然科学基金(BK2006126)
- 作品数：4 被引量：12H指数：1
- 相关作者：张荣陈敦军谢自力郑有炓韩平更多>>
- 相关机构：南京大学南京工程学院更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程自动化与计算机技术理学更多>>
- InGaN太阳电池转换效率的理论计算被引量：11
- 2007年
- 根据pn结太阳电池的电流-电压方程,计算了在理想情况下,InGaN材料应用于单结、双结和三结太阳电池时,其转换效率可分别高达27.3%,36.6%和41.3%,均高于通常半导体材料太阳电池.同时,计算还得出了3种InGaN太阳电池的最佳带隙宽度及相应的In组分,为设计InGaN太阳电池提供了理论依据.
- 文博周建军江若琏谢自力陈敦军姬小利韩平张荣郑有炓
- 关键词：INGAN太阳电池
- AlxGa1-xN/AIN超晶格材料的结构和光学特性
- 随着三族氮化物(AlN,GaN,InN)在蓝绿光和紫外光电子器件领域的广泛应用,垂直共振腔结构被用来提高器件的量子效率。高反射率的 GaN 基分布式布拉格反射镜 (Distributed Bragg Reflctors)...
- 谢自力张荣江若琏刘斌姬小利龚海梅赵红修向前韩平施毅郑有炓
- 关键词：ALGAN光学特性
- 文献传递
- In_(0.2)Ga_(0.8)N化合物肖特基太阳电池
- 2008年
- 制备了一个Au/Pt/In0.2Ga0.8N肖特基原型太阳电池。采用热电子发射(TE)模型和热电子场发射(TFE)模型拟合了肖特基的正向I-V曲线,结果显示两种模型计算所得到的肖特基势垒高度和理想因子非常相近,表明所制备的In0.2Ga0.8N肖特基的电流输运机制主要体现为热电子发射。当采用功率密度为300mW/cm2的氙灯照射时,In0.2Ga0.8N肖特基太阳电池呈现出的开路电压为0.91V,短路电流密度为7mA/cm2,填充因子为0.45,功率转换效率为0.95%。
- 薛俊俊赵红陈敦军谢自力张荣郑有炓
- 关键词：氮化铟镓化合物半导体肖特基太阳电池
- InN薄膜MOCVD生长初期成核研究与应力分析
- 本文系统研究了利用金属有机化学气相沉积生长非故意掺杂 InN 薄膜的初期成核与应力变化过程。InN 生长采用宝石衬底,控制 GaN 缓冲层上 InN 外延层生长时间,以得到处于不同生长阶段的样品。通过表面形貌与扫描电镜能...
- 张曾张荣谢自力刘斌修向前江若琏韩平顾书林施毅郑有炓
- 关键词：INNMOCVD应力分析
- 文献传递
- MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质
- 高质量的 InN 材料的带隙宽度在0.7eV,对应光谱波长位于红外区,这就使Ⅲ族氮化物(InN、 GaN、AlN)及其合金的带隙宽度对应的光谱覆盖了从红外到紫外范围。因此,InN 及其含 In 组分的合金(InGaN,I...
- 谢自力张荣江若琏修向前刘斌赵红朱顺民韩平施毅顾书林郑有炓
- 关键词：INNPLXRD
- 文献传递
- AlN钝化层对AlGaN/GaN异质结及其高温特性的影响被引量：1
- 2008年
- 主要研究了AlN钝化介质层对AlGaN/GaN异质结势垒层应力的修改以及应力的变化对二维电子气高温输运性质的影响。研究结果表明:AlN介质层会对AlGaN势垒层产生附加的平面压应变;AlN和传统的Si3N4钝化介质都能减轻AlGaN势垒层在高温下的应变弛豫,但AlN介质层效果更明显。和传统的Si3N4钝化介质相比较,AlN钝化层不仅会显著增加AlGaN/GaN异质结二维电子气密度度,还会明显提高二维电子气迁移率,同时,AlN钝化后二维电子气密度的温度稳定性也更好。因此,对AlGaN/GaN异质结器件来说,AlN是一种有潜力的钝化介质。
- 陈国强陈敦军刘斌谢自力韩平张荣郑有炓
- MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象
- 2008年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象。研究认为较低的生长温度使作为N源的NH3分解率较低,In—N的成键可能性小,导致In在表面聚集出现分凝;而较高生长温度时,InN薄膜中In—N键能较小,易发生断裂,反应活性较强的N和H原子逸离薄膜表面,In滞留在薄膜表面也导致In分凝现象的出现。相对于表面分凝的样品,未出现表面分凝的样品的薄膜晶体质量和表面形貌也得到了提高。同时,通过Raman散射谱研究了晶格振动E2声子模的应力效应。
- 徐峰陈敦军张荣谢自力刘斌刘启佳江若涟郑有阧
- 关键词：X射线衍射原子力显微镜X射线光电子谱RAMAN散射
- In0.2Ga0.8N化合物肖特基太阳电池
- 制备了一个Au/Pt/InGaN肖特基原型太阳电池。采用热电子发射（E）模型和热电子场发射（FE）模型拟合了肖特基的正向I-V曲线,结果显示两种模型计算所得到的肖特基势垒高度和理想因子非常相近,表明所制备的InGaN肖特...
- 薛俊俊赵红陈敦军谢自力张荣郑有炓
- 关键词：氮化铟镓化合物半导体肖特基太阳电池
- 文献传递
- C面宝石基MOCVD生长的InN薄膜的In分凝现象的研究
- 研究了 InN 薄膜在不同生长条件下的的物理特性。利用 MOCVD 方法在AlO（0001）衬底上生长了 InN 薄膜,生长温度从 580℃升高到650℃,同时保持生长腔反应气体的Ⅴ/Ⅲ比不变。利用 X 射线衍射谱（XR...
- 徐峰谢自力陈敦军刘斌刘启佳江若涟张荣郑有阧
- 关键词：MOCVDAFMXPS
- 文献传递
