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国家高技术研究发展计划(2004AA302G13)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：刘明王丛舜涂德钰更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇逻辑电路
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米压印
  • 1篇分子
  • 1篇分子电子器件
  • 1篇分子电子学

机构

  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇涂德钰
  • 1篇王丛舜
  • 1篇刘明

传媒

  • 1篇物理

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于交叉结构的分子电子器件及其逻辑电路的研究进展
2006年
随着大规模集成电路的特征尺寸进入到纳米级,传统的硅基集成电路技术面临挑战,新材料及新结构的研究成为热点,纳电子学分支之一的分子电子器件正在蓬勃发展.场效应晶体管(FET)和交叉结构是目前主要的分子电子器件的结构,而交叉结构有利于集成受到广泛关注.文章概述了基于交叉结构的分子纳米器件工作原理、工艺流程,并着重介绍了逻辑功能的实现方法及其研究进展.最后,总结了交叉结构的前景及所面临的困难.
涂德钰王丛舜刘明
关键词：纳米压印逻辑电路分子电子学
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共1页<1>
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