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国家自然科学基金(10747162)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：王林胡伟达陈效双陆卫更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇点电压
  • 1篇电压
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇漂移
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇ALGAN/...

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇陆卫
  • 1篇陈效双
  • 1篇胡伟达
  • 1篇王林

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
AlGaN/GaN HEMT器件电流坍塌和膝点电压漂移机理的研究被引量：2
2010年
考虑了势垒层、缓冲层体陷阱及表面电荷的浓度变化对电流坍塌和膝点电压的影响,发现表面电荷和势垒层体陷阱浓度的变化对沟道电子的浓度影响较小,表面电荷浓度变化下的膝点电压的偏移和坍塌强度的大小与势垒层势阱能量的变化有着主要的关系.缓冲层有着比势垒层更强的局域作用,势垒层和缓冲层的体陷阱浓度在一定范围变化时的膝点电压偏移主要是由沟道电子浓度的变化而引起的,但偏移量却比表面电荷浓度变化的情况下小很多.势阱能量的变化是造成膝点电压偏移的重要原因,坍塌强度主要取决于势阱能量和沟道的电子浓度.
王林胡伟达陈效双陆卫
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
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