您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(10434030)

作品数:75 被引量:209H指数:7
相关作者:徐征张福俊赵谡玲王勇娄志东更多>>
相关机构:北京交通大学北京化工大学华东理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 75篇期刊文章
  • 14篇会议论文

领域

  • 58篇理学
  • 24篇电子电信
  • 6篇化学工程
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇水利工程

主题

  • 45篇发光
  • 25篇电致发光
  • 11篇发光特性
  • 10篇阴极射线发光
  • 9篇电致发光器件
  • 9篇纳米
  • 9篇发光器件
  • 8篇有机电致发光
  • 7篇有机电致发光...
  • 7篇晶体
  • 7篇光致
  • 7篇光致发光
  • 7篇ELECTR...
  • 6篇纳米晶
  • 6篇RARE_E...
  • 5篇阴极射线
  • 5篇退火
  • 5篇配合物
  • 5篇固态阴极射线
  • 5篇固态阴极射线...

机构

  • 70篇北京交通大学
  • 4篇北京化工大学
  • 3篇河北大学
  • 2篇北京印刷学院
  • 2篇北京大学
  • 2篇华东理工大学
  • 2篇辽宁大学
  • 2篇教育部
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇大连海事大学
  • 1篇防化研究院
  • 1篇南开大学
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇佳木斯大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 43篇徐征
  • 21篇张福俊
  • 21篇赵谡玲
  • 13篇王永生
  • 12篇徐叙瑢
  • 12篇王勇
  • 11篇黄世华
  • 10篇娄志东
  • 10篇滕枫
  • 10篇黄金昭
  • 9篇杨盛谊
  • 9篇袁广才
  • 7篇何志群
  • 6篇宋林
  • 6篇赵德威
  • 5篇由芳田
  • 5篇侯延冰
  • 5篇衣兰杰
  • 5篇许洪华
  • 4篇吕玉光

传媒

  • 16篇光谱学与光谱...
  • 7篇物理学报
  • 7篇Journa...
  • 6篇发光学报
  • 6篇第11届全国...
  • 4篇光电子.激光
  • 4篇功能材料
  • 4篇液晶与显示
  • 4篇Chines...
  • 4篇Optoel...
  • 3篇中国稀土学报
  • 3篇光学与光电技...
  • 2篇物理
  • 2篇物理化学学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇化学学报
  • 1篇现代显示
  • 1篇半导体光电

年份

  • 9篇2009
  • 19篇2008
  • 45篇2007
  • 16篇2006
75 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铁电薄膜退火方法的研究
以锆钛酸铅薄膜(PZT)为例,分析了国内外铁电薄膜退火的各种方法.针对解决铁电薄膜基底高温生长工艺与硅集成电路承受温度较低的不兼容及器件性质劣化的难题,分别对普通炉子退火、快速热退火及激光退火进行了详细的分析比较.激光低...
田雪雁徐征
关键词:快速退火激光退火
文献传递
有机阱结构器件中能量传递的研究
本论文从能量传递的影响因素入手,对有机阱结构器件的发光特性进行了讨论和研究。实验中利用真空蒸镀的方法制备了传统的单异质结器件 NFB(10 nm)/Alq(3 nm)和1个周期的Ⅱ型阱结构器件 NFB(5 nm)/Alq...
朱海娜徐征赵谡玲黄金昭宋丹丹张福俊
关键词:光致发光发光强度比值比NPBPBD
文献传递
稀土配合物有机电致发光器件中电致激基复合物发光性质的研究被引量:2
2006年
以稀土配合物Tb0.5Eu0.5(thienyltrifluroacetone)3-2,2-biphenyl(简称Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK∶Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/BCP/Alq3/Al的OLED发光器件,在直流电压的驱动下,发现了铕在612 nm处的特征发射和PVK在410 nm处的发光。此外,还观察到了位于490 nm处的新的发光峰。通过改变不同的器件结构,分析研究了新的发光峰的性质,认为新的发光来自于稀土配合物的配体和BCP之间相互作用形成的电致激基复合物。
王勇赵谡玲徐征袁广才赵德威
关键词:电致发光配体稀土配合物
磁控溅射法沉积SiNx非晶薄膜的生长机制及结构分析被引量:4
2009年
利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiNx非晶薄膜在812~892cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si—N—Si键的伸缩振动吸收(Stretching vibration mode),其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移;但退火后,该吸收峰又逐渐蓝移。结合中心力模型和自由结合模型,分析了磁控溅射过程中SiNx非晶薄膜的生长机制和内部结构。研究认为,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-N4四面体,Si—N—Si3,Si-N2-Si2及Si-N3-Si等结构,这几种结构分别对应着Si—N—Si键的不同模式的振动吸收。随着退火温度的升高,分子热运动逐渐加剧,非晶SiNx薄膜发生相分离,生成Si3N4和Si纳米晶颗粒,因此,Si—N—Si键的吸收峰逐渐向Si3N4的特征振动吸收峰位870cm-1靠近。
邬洋衣立新王申伟杜玙璠黄圣冀国蕊王永生
关键词:磁控溅射傅里叶变换红外光谱
ZnSe/SiO2复合薄膜的制备和光学性能研究
ZnSe 纳米晶体具有特殊的物理化学性能,它在半导体光电器件、红外探测器、太阳能电池及激光器件等领域都有重要的应用。近年来,多数研究主要集中在 ZnSe 纳米单晶体材料以及 ZnSe 纳米单晶薄膜材料的制备和应用方面。且...
岳利青赵谡玲徐征张福俊姜薇薇王永生徐叙瑢
关键词:纳米复合薄膜纳米晶体光学性能
文献传递
Study of Electroplex Emission from Organic Electroluminescent Devices with Rare Earth Complex
2007年
A novel organic electroluminescent device was made with the structure of ITO/PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3 Dipy/ BCP/Alq3/Al(a) which utilized the rare earth complex Tb0.5Eu0.5(TTA)3 Dipy as the emitting layer. When it was driven under a direct electric field, 612 nm emission from EU^3+ and 410 nm emission from PVK were observed. In addition, in the EL spectrum a new peak at 490 nm appeared. From the analysis of different devices, the mechanism of the new emission was studied. It was concluded that the new emission was the electroplex originating from the interface between the ligand (TTA)3Dipy and BCP.
王勇赵谡玲徐征黄金昭袁广才赵德威
关键词:LIGAND
新型稀土配合物红色有机电致发光器件被引量:6
2008年
合成了一种新型的共掺杂稀土Eu-Gd配合物Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy,将其作为红光发射材料制备了结构为ITO/PVK:Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/PBD/Al的有机电致发光薄膜器件,得到了单色性好的红色有机电致发光器件,器件的开启电压为9 V,在16 V时达到最大亮度109 nit。研究了Eu-Gd配合物与PVK共掺杂体系的激发光谱和光致发光谱,结果发现两者间存在着能量转移,表明Gd3+的存在促进了PVK到Eu3+的能量传递。
宋林徐征黄金昭吕玉光符雅丽张敬畅
关键词:有机电致发光器件
Estimation of luminescence lifetime in frequency domain
2006年
Absorption is the origin of luminescence. But it must be noticed that the lifetime of luminescence might reversely influence the rate of absorption. In this paper, it is reported that the luminescence intensity of copper and manganese changes with the driving frequency at constant voltage. The variation of luminescent intensity depends only on the lifetime of luminescence but not on the type of quenching or other factors. Generally the rate of absorption is dominantly determined by the material property and the lifetime of luminescence centres, the absorption ~f shorter lifetime centre will be larger than that of the longer lifetime centre at the same excited condition.
张福俊徐征赵谡玲娄志东杨盛谊徐叙瑢
关键词:LIFETIMEELECTROLUMINESCENCEABSORPTION
PHOTOCONDUCTIVE PROPERTIES OF PVK:Alq_3 BLEND FILMS STUDIED BY STEADY-STATE AND TIME-RESOLVED TRANSIENT PHOTOCURRENT SPECTRA
2008年
The carrier transport properties of the blends of the hole transport material poly(N-vinylcarbazole) (PVK) and the electron transport material tris (8-hydroxyquinolinolato) aluminumⅢ(Alq_3) are investigated at room temperature using steady-state and time-resolved transient photocurrent measurements as a function of doping concentration of Alq_3.Due to lower LUMO and higher HOMO energy level of Alq_3 than those of PVK,Alq_3 molecules may act as carrier trap states in PVK films at low concentration.However,at...
候延冰
一种新型共掺杂稀土配合物Gd_(0.5)Eu_(0.5)(TTA)_3Dipy的电致发光特性被引量:8
2007年
制备了一类以α-噻吩甲酰基三氟丙酮(TTA)为第一配体、2,2′-联吡啶(Dipy)为第二配体的共掺杂铕钆配合物Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy。用其作为发光层材料制作了电致发光器件:ITO/PVK:Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/PBD/Al。讨论并证明了Gd3+与Eu3+之间存在F rster能量传递。研究了铕钆配合物与PVK共掺杂体系的激发光谱和光致发光谱,发现两者之间存在着能量转移,说明Gd3+的加入抑制了PVK自身的本征发光,促进了PVK到Eu3+的能量传递,得到了单色性很好的红光。
宋林徐征赵谡玲吕玉光符雅丽刘然李远张敬畅
关键词:电致发光
共9页<123456789>
聚类工具0