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DPVBi/Alq3基有机发光二极管中载流子复合区移动的研究被引量：1: 2011年; 制备了以结构ITO/PCBM∶PVK（xWt%,-40 nm）/DPVBi（30 nm）/Alq3（30 nm）/Al为基础的一系列有机发光二极管,利用电致发光光谱分析了DPVBi/Alq3基有机发光二极管中载流子复合区的移动。通过氟化锂的阴极修饰,改变了器件的载流子注入情况;通过PCBM的浓度变化,改变了载流子的输运情况,讨论了这些因素对载流子复合区形成的影响。同时通过改变对器件所加的电压,讨论了电压对载流子复合区形成的影响,并分析了其影响的本质。; 闫光赵谡玲徐征张福俊孔超刘晓东龚伟高利岩; 关键词：有机发光二极管电致发光迁移率

The effect of modified layers on the performance of inverted ZnO nanorods/MEH-PPV solar cells被引量：2: 2011年; We fabricate inverted organic/inorganic hybrid solar cells based on vertically oriented ZnO nanorods and polymer MEH-PPV. The morphology of ZnO nanorods and ZnO nanorods/MEH-PPV hybrid structure is depicted by using scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), and atomic force microscope (AFM), respectively. It is observed that ZnO nanorods array grows primarily aligned along the perpendicular direction of the ITO substrate. The MEH-PPV molecule does not enter the interspace between ZnO nanorods completely according to SEM picture. It results in the small and bad contact area between ZnO nanorods and MEH-PPV. To improve the photovoltaic performance, we also fabricate another kind of photovoltaic (PV) device modified by N719 dye, and exploit the effect of N719. After the modification of ZnO nanorods by N719, not only Jsc increases from 0.257 mA/cm2 to 0.42 mA/cm2, but also Voc enhances from 0.37 V to 0.42 V. Insert LiF buffer layer between MEH-PPV and anode, Jsc of 1.05 mA/cm2 is obtained, and it is 2.5 times that the device without LiF.; YAN YueZHAO SuLingXU ZhengWEI GongWANG LiHui

对以并五苯和酞菁铜为不同有源层的有机薄膜晶体管特性研究被引量：1: 2008年; 通过扫描电镜和X射线衍射对SiO2衬底上生长并五苯和酞菁铜薄膜的表面形貌进行表征,并得到在SiO2衬底上生长的并五苯薄膜是以岛状结构生长,其大小约为100 nm,且薄膜有较好的结晶取向,呈多晶态存在.酞菁铜薄膜则没有表现出明显的生长机理,其呈非晶态存在.还对通过掩膜的方法制作得以酞菁铜和并五苯为有源层的顶栅极有机薄膜晶体管的特性进行了研究.有源层的厚度为40 nm,绝缘层SiO2的厚度为250 nm,器件的沟道宽长比(W/L)为20.通过Keithley 2410I-V测量仪对OTFTs器件的电学性质进行表征,其器件的开关电流比(on/off)分别为105和104,阈值电压VTH分别为-20 V和-15 V,器件的场效应载流子迁移率μEF分别为0.0694 cm2/V.s和1.201cm2/V.s.; 袁广才徐征赵谡玲张福俊姜薇薇黄金昭宋丹丹朱海娜黄金英徐叙瑢; 关键词：有机薄膜晶体管

不同加速层材料对固态阴极射线发光的影响被引量：1: 2009年; 在固态阴极射线发光中,过热电子碰撞激发有机材料而发光,因此加速层对电子的加速能力是影响器件发光亮度的关键因素之一。分别以SiO2和ZnO作为加速层,制备出两种固态阴极射线发光器件A:ITO/MEH-PPV/SiO2/Al和B:ITO/MEH-PPV/ZnO/Al。通过理论计算比较了电子从电极注入到加速层的隧穿电流密度以及SiO2层与ZnO层的电场强度,计算结果表明:在相同驱动电压下,SiO2作为电子加速层时隧穿电流的密度要大于ZnO层的隧穿电流的密度,并且SiO2层的电场强度比ZnO层的电场强度大。实验结果表明:SiO2作为加速层的器件的发光强度高于以ZnO为电子加速层器件的发光强度。; 厉军明徐征赵谡玲张福俊宋丹丹刘晓东宋晶路徐叙瑢王永生; 关键词：固态阴极射线发光电子加速

两种主体材料中Ir(ppy)3和Rubrene的能量传递特性被引量：1: 2009年; OLED技术被认为是最有可能取代液晶显示的全新技术,而OLED中的有机电致磷光器件是近年来的研究热点。有机电致磷光器件的发光层往往采用主客体掺杂体系,主客体分子内的能量传递是磷光发光体分子被激发的主要途径,因此选择吸收能量和传递能量好的主体材料是改进有机电致磷光器件性能的主要途径之一。文章分别以PVK和CBP作为主体材料,以磷光材料Ir(ppy)3和荧光材料Rubrene作为掺杂剂,制备了不同配比的器件,研究了主体材料和掺杂剂之间的能量传递特性。结果发现,这两种主体材料分别通过Ir(ppy)3向Rubrene传递能量是主要的能量传递机制,而且CBP作为主体时能量传递比PVK更充分。另外掺入Ir(ppy)3后的器件比不掺Ir(ppy)3的器件在相同电压下的光功率明显增强。当我们增加Ir(ppy)3的浓度时,相同电压下的光功率下降,浓度猝灭效应增强。; 李艳蕊赵谡玲杨少鹏徐征张福俊宋丹丹徐叙瑢; 关键词：有机电致发光敏化三线态

非溶剂掺杂完善自组织机理提升高度区域规则的(3-己基噻吩)有机场效应晶体管器件性能的研究: 2011年; 为了保证在低温加工及溶液制备的情况下,能够提升高度区域规则的聚(3-己基噻吩)(RR-P3HT)有机场效应晶体管(OFET)的器件性能,本文研究了室温下乙醇及乙腈非溶剂的掺杂,及其对高分子自组织机理与导致的RR-P3HTOFET电学性能的影响.实验发现,适量进行乙醇及乙腈非溶剂的掺杂,将促进RR-P3HT薄膜形成更多期望的微晶粒薄片结构,完善高分子自组织机理,导致RR-P3HTOFET电学性能的提升.实验表明,在RR-P3HT溶液中进行5%乙腈添加后,其器件场效应迁移率的值由原来的4.04×10-4cm2/V·s增加到3.39×10-3cm2/V·s,RR-P3HTOFET的场效应迁移率增强了大约8倍.而当乙醇及乙腈非溶剂掺杂浓度过量时,二维微晶粒结构的有序度降低,并且产生了明显的沉淀析出现象,薄膜呈现明显的龟裂现象,这样的沉淀物析出物在导电沟道里将作为缺陷存在,降低了RR-P3HT OFET的器件性能.; 田雪雁赵谡玲徐征姚江峰张福俊徐叙瑢; 关键词：场效应迁移率

电场变化对有机磷光器件中激子形成影响的研究: 2009年; 激子形成区域随电场变化的移动会使得有机电致发光器件(OLEDs)的效率和色度发生改变,从而影响器件的性能。文章首先制备了两种OLED器件,器件1为ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶Ir(ppy)3∶DCJTB(100∶2∶1 wt)/BCP(10 nm)/Alq3(15 nm)/Al,器件2为ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶Ir(ppy)3(100∶2wt)/BCP(10 nm)/Alq3(15 nm)/Al,研究了电场强度对单层多掺杂结构器件激子形成的影响。实验发现在多掺杂发光层中,随着电压的增加,Ir(ppy)3,PVK和DCJTB的发光均增强,PVK和DCJTB发光增强更快。对其发光机制进行分析,认为较高电场下,载流子获得较高能量,更容易形成高能量激子,产生宽禁带材料PVK的发光;另一方面,从能级结构分析DCJTB的带隙较窄,俘获更多的载流子发光更强。同时,在器件的电致发光(EL)光谱发现在460 nm处一新的发射峰,发光随着电压的增大相对减弱。为了研究460nm发光的来源,制备了器件:ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶BCP∶Ir(ppy)3(x∶y∶2 wt)/Alq3(15 nm)/Al,改变x,y的比值研究发现,460 nm处的发光依然存在,推测此发光峰应与PVK及BCP之间有关。; 刘旭东赵谡玲宋丹丹占红明袁广才徐征; 关键词：磷光电场激子

不同绝缘层上生长的并五苯薄膜及其OTFT器件性能的研究被引量：1: 2009年; 分别以SiO2和PMMA为绝缘层材料制备了底栅顶接触结构的OTFT器件,得到以PMMA为绝缘层的器件具有更好的性能,其场效应迁移率为0.207 cm2.Vs-1,开关电流比为4.93×103,阈值电压为-4.3 V;而以SiO2为绝缘层的器件,其场效应迁移率仅为0.039 cm2.Vs-1,开关电流比为5.98×102,阈值电压为-5.4 V。为分析器件性能差异的原因,测得了SiO2和PMMA薄膜表面的AFM图谱及其上沉积并五苯薄膜后的AFM和XRD图谱。通过AFM图谱发现PMMA表面较SiO2表面粗糙度小,其表面粗糙度的均方根值为0.216 nm,而二氧化硅薄膜表面粗糙度的均方根值为1.579 nm;且发现在PMMA上生长的并五苯薄膜的成膜质量优于在SiO2,具有较大的晶粒尺寸和较少的晶粒间界。通过XRD图谱发现在PM-MA上生长的并五苯薄膜具有明显的衍射峰,进一步证明了在PMMA上生长的并五苯薄膜具有更好的结晶状况,将更有利于载流子的传输。; 黄金英徐征张福俊赵谡玲袁广才孔超; 关键词：并五苯 PMMA 二氧化硅有机薄膜晶体管

二氢吲哚染料敏化TiO_2太阳电池的特性研究被引量：2: 2009年; 将一种新型纯有机二氢吲哚染料D102(C_(37)H_(30)N_2O_3S_2)用于敏化纳米晶TiO_2太阳电池,未经任何优化时电池参数为:J_(SC)=8.65mA/cm^2,V_(OC)=0.63V,总光电转换效率可达3.47%;经过紫外照射10min处理,同样测试条件下电池的短路电流达到11.31mA/cm^2,效率为3.99%。同时,通过紫外照射前后染料的最高占据轨道能级和最低空轨道、电池的光电导等的研究,讨论了电流大幅度提高的原因。; 李少彦徐征赵谡玲张福俊穆林平刘炜华梁嘉; 关键词：染料敏化太阳电池能级

高分子有机场效应晶体管中退火引起的自组织微观结构变化的研究: 2011年; 为了进一步洞悉高分子薄膜自组织机理和高分子有机场效应晶体管(OFET)载流子迁移率之间的直接关联性,本工作采用先进的同步辐射掠入射X射线衍射(GIXRD)技术,研究了高分子OFET中高分子半导体高度区域规则的聚(3-己基噻吩)(RR-P3HT)工作层薄膜,由不同退火温度所导致的薄膜自组织微观结构的变化.GIXRD测试实验结果显示了,对于不同高分子薄膜制备方法(旋涂法及滴膜法)及不同溶液浓度(RR-P3HT溶液浓度为2.5mg/ml及3.5mg/ml)制备的RR-P3HT有机半导体工作层,在氮气气氛下,经过150℃热退火后,形成的噻吩环面垂直于基底,π-π堆积方向平行于衬底二维微晶粒薄片结构较多,微晶粒薄片的晶粒结构较好,有利于载流子的传输.GIXRD测试实验结果也验证了,一个合适的退火处理,将更有利于这个自组织过程中"edge-on"的微晶粒薄片结构的形成,结果将导致高分子OFET中场效应迁移率的提高.; 田雪雁赵谡玲徐征姚江峰张福俊贾全杰陈雨龚伟樊星; 关键词：自组织退火

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国家教育部博士点基金(20070004031)

文献类型

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主题

机构

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