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国家教育部博士点基金(20070004031)

作品数：53 被引量：107H指数：6
相关作者：徐征赵谡玲张福俊宋丹丹徐叙瑢更多>>
相关机构：北京交通大学辽宁大学京东方科技集团股份有限公司更多>>
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文献类型

  • 53篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 25篇理学
  • 20篇电子电信
  • 7篇电气工程
  • 4篇机械工程
  • 4篇动力工程及工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 19篇发光
  • 11篇电致发光
  • 7篇晶体
  • 7篇晶体管
  • 7篇固态阴极射线
  • 6篇迁移率
  • 6篇场效应
  • 5篇电池
  • 5篇阴极射线发光
  • 5篇有机薄膜晶体...
  • 5篇有机电致发光
  • 5篇固态阴极射线...
  • 5篇薄膜晶体
  • 5篇薄膜晶体管
  • 5篇MEH-PP...
  • 5篇场效应迁移率
  • 4篇异质结
  • 4篇有机发光
  • 4篇太阳电池
  • 3篇有机发光二极...

机构

  • 41篇北京交通大学
  • 5篇辽宁大学
  • 5篇京东方科技集...
  • 3篇鲁东大学
  • 3篇中国科学院
  • 3篇北京北旭电子...
  • 3篇北京中联科伟...
  • 1篇河北大学
  • 1篇佳木斯大学

作者

  • 38篇徐征
  • 35篇赵谡玲
  • 27篇张福俊
  • 10篇宋丹丹
  • 8篇徐叙瑢
  • 7篇闫光
  • 7篇袁广才
  • 6篇陈跃宁
  • 6篇孔超
  • 5篇王永生
  • 5篇田雪雁
  • 4篇高利岩
  • 4篇厉军明
  • 4篇朱海娜
  • 4篇龚伟
  • 4篇孙钦军
  • 3篇刘晓东
  • 3篇汪鹏
  • 3篇曲崇
  • 3篇黄金英

传媒

  • 15篇光谱学与光谱...
  • 11篇物理学报
  • 9篇Chines...
  • 5篇太阳能学报
  • 4篇光电子．激光
  • 3篇现代显示
  • 3篇Scienc...
  • 1篇辽宁大学学报...
  • 1篇沈阳师范大学...
  • 1篇Scienc...
  • 1篇第七届全国稀...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 9篇2011
  • 17篇2010
  • 17篇2009
  • 8篇2008
共 53 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
DPVBi/Alq3基有机发光二极管中载流子复合区移动的研究被引量：1
2011年
制备了以结构ITO/PCBM∶PVK（xWt%,-40 nm）/DPVBi（30 nm）/Alq3（30 nm）/Al为基础的一系列有机发光二极管,利用电致发光光谱分析了DPVBi/Alq3基有机发光二极管中载流子复合区的移动。通过氟化锂的阴极修饰,改变了器件的载流子注入情况;通过PCBM的浓度变化,改变了载流子的输运情况,讨论了这些因素对载流子复合区形成的影响。同时通过改变对器件所加的电压,讨论了电压对载流子复合区形成的影响,并分析了其影响的本质。
闫光赵谡玲徐征张福俊孔超刘晓东龚伟高利岩
关键词：有机发光二极管电致发光迁移率
不同加速层材料对固态阴极射线发光的影响被引量：1
2009年
在固态阴极射线发光中,过热电子碰撞激发有机材料而发光,因此加速层对电子的加速能力是影响器件发光亮度的关键因素之一。分别以SiO2和ZnO作为加速层,制备出两种固态阴极射线发光器件A:ITO/MEH-PPV/SiO2/Al和B:ITO/MEH-PPV/ZnO/Al。通过理论计算比较了电子从电极注入到加速层的隧穿电流密度以及SiO2层与ZnO层的电场强度,计算结果表明:在相同驱动电压下,SiO2作为电子加速层时隧穿电流的密度要大于ZnO层的隧穿电流的密度,并且SiO2层的电场强度比ZnO层的电场强度大。实验结果表明:SiO2作为加速层的器件的发光强度高于以ZnO为电子加速层器件的发光强度。
厉军明徐征赵谡玲张福俊宋丹丹刘晓东宋晶路徐叙瑢王永生
关键词：固态阴极射线发光电子加速
两种主体材料中Ir(ppy)3和Rubrene的能量传递特性被引量：1
2009年
OLED技术被认为是最有可能取代液晶显示的全新技术,而OLED中的有机电致磷光器件是近年来的研究热点。有机电致磷光器件的发光层往往采用主客体掺杂体系,主客体分子内的能量传递是磷光发光体分子被激发的主要途径,因此选择吸收能量和传递能量好的主体材料是改进有机电致磷光器件性能的主要途径之一。文章分别以PVK和CBP作为主体材料,以磷光材料Ir(ppy)3和荧光材料Rubrene作为掺杂剂,制备了不同配比的器件,研究了主体材料和掺杂剂之间的能量传递特性。结果发现,这两种主体材料分别通过Ir(ppy)3向Rubrene传递能量是主要的能量传递机制,而且CBP作为主体时能量传递比PVK更充分。另外掺入Ir(ppy)3后的器件比不掺Ir(ppy)3的器件在相同电压下的光功率明显增强。当我们增加Ir(ppy)3的浓度时,相同电压下的光功率下降,浓度猝灭效应增强。
李艳蕊赵谡玲杨少鹏徐征张福俊宋丹丹徐叙瑢
关键词：有机电致发光敏化三线态
非溶剂掺杂完善自组织机理提升高度区域规则的(3-己基噻吩)有机场效应晶体管器件性能的研究
2011年
为了保证在低温加工及溶液制备的情况下,能够提升高度区域规则的聚(3-己基噻吩)(RR-P3HT)有机场效应晶体管(OFET)的器件性能,本文研究了室温下乙醇及乙腈非溶剂的掺杂,及其对高分子自组织机理与导致的RR-P3HTOFET电学性能的影响.实验发现,适量进行乙醇及乙腈非溶剂的掺杂,将促进RR-P3HT薄膜形成更多期望的微晶粒薄片结构,完善高分子自组织机理,导致RR-P3HTOFET电学性能的提升.实验表明,在RR-P3HT溶液中进行5%乙腈添加后,其器件场效应迁移率的值由原来的4.04×10-4cm2/V·s增加到3.39×10-3cm2/V·s,RR-P3HTOFET的场效应迁移率增强了大约8倍.而当乙醇及乙腈非溶剂掺杂浓度过量时,二维微晶粒结构的有序度降低,并且产生了明显的沉淀析出现象,薄膜呈现明显的龟裂现象,这样的沉淀物析出物在导电沟道里将作为缺陷存在,降低了RR-P3HT OFET的器件性能.
田雪雁赵谡玲徐征姚江峰张福俊徐叙瑢
关键词：场效应迁移率
电场变化对有机磷光器件中激子形成影响的研究
2009年
激子形成区域随电场变化的移动会使得有机电致发光器件(OLEDs)的效率和色度发生改变,从而影响器件的性能。文章首先制备了两种OLED器件,器件1为ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶Ir(ppy)3∶DCJTB(100∶2∶1 wt)/BCP(10 nm)/Alq3(15 nm)/Al,器件2为ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶Ir(ppy)3(100∶2wt)/BCP(10 nm)/Alq3(15 nm)/Al,研究了电场强度对单层多掺杂结构器件激子形成的影响。实验发现在多掺杂发光层中,随着电压的增加,Ir(ppy)3,PVK和DCJTB的发光均增强,PVK和DCJTB发光增强更快。对其发光机制进行分析,认为较高电场下,载流子获得较高能量,更容易形成高能量激子,产生宽禁带材料PVK的发光;另一方面,从能级结构分析DCJTB的带隙较窄,俘获更多的载流子发光更强。同时,在器件的电致发光(EL)光谱发现在460 nm处一新的发射峰,发光随着电压的增大相对减弱。为了研究460nm发光的来源,制备了器件:ITO/PEDOT∶PSS/PVK∶BCP∶Ir(ppy)3(x∶y∶2 wt)/Alq3(15 nm)/Al,改变x,y的比值研究发现,460 nm处的发光依然存在,推测此发光峰应与PVK及BCP之间有关。
刘旭东赵谡玲宋丹丹占红明袁广才徐征
关键词：磷光电场激子
不同绝缘层上生长的并五苯薄膜及其OTFT器件性能的研究被引量：1
2009年
分别以SiO2和PMMA为绝缘层材料制备了底栅顶接触结构的OTFT器件,得到以PMMA为绝缘层的器件具有更好的性能,其场效应迁移率为0.207 cm2.Vs-1,开关电流比为4.93×103,阈值电压为-4.3 V;而以SiO2为绝缘层的器件,其场效应迁移率仅为0.039 cm2.Vs-1,开关电流比为5.98×102,阈值电压为-5.4 V。为分析器件性能差异的原因,测得了SiO2和PMMA薄膜表面的AFM图谱及其上沉积并五苯薄膜后的AFM和XRD图谱。通过AFM图谱发现PMMA表面较SiO2表面粗糙度小,其表面粗糙度的均方根值为0.216 nm,而二氧化硅薄膜表面粗糙度的均方根值为1.579 nm;且发现在PMMA上生长的并五苯薄膜的成膜质量优于在SiO2,具有较大的晶粒尺寸和较少的晶粒间界。通过XRD图谱发现在PM-MA上生长的并五苯薄膜具有明显的衍射峰,进一步证明了在PMMA上生长的并五苯薄膜具有更好的结晶状况,将更有利于载流子的传输。
黄金英徐征张福俊赵谡玲袁广才孔超
关键词：并五苯PMMA二氧化硅有机薄膜晶体管
二氢吲哚染料敏化TiO_2太阳电池的特性研究被引量：2
2009年
将一种新型纯有机二氢吲哚染料D102(C_(37)H_(30)N_2O_3S_2)用于敏化纳米晶TiO_2太阳电池,未经任何优化时电池参数为:J_(SC)=8.65mA/cm^2,V_(OC)=0.63V,总光电转换效率可达3.47%;经过紫外照射10min处理,同样测试条件下电池的短路电流达到11.31mA/cm^2,效率为3.99%。同时,通过紫外照射前后染料的最高占据轨道能级和最低空轨道、电池的光电导等的研究,讨论了电流大幅度提高的原因。
李少彦徐征赵谡玲张福俊穆林平刘炜华梁嘉
关键词：染料敏化太阳电池能级
高分子有机场效应晶体管中退火引起的自组织微观结构变化的研究
2011年
为了进一步洞悉高分子薄膜自组织机理和高分子有机场效应晶体管(OFET)载流子迁移率之间的直接关联性,本工作采用先进的同步辐射掠入射X射线衍射(GIXRD)技术,研究了高分子OFET中高分子半导体高度区域规则的聚(3-己基噻吩)(RR-P3HT)工作层薄膜,由不同退火温度所导致的薄膜自组织微观结构的变化.GIXRD测试实验结果显示了,对于不同高分子薄膜制备方法(旋涂法及滴膜法)及不同溶液浓度(RR-P3HT溶液浓度为2.5mg/ml及3.5mg/ml)制备的RR-P3HT有机半导体工作层,在氮气气氛下,经过150℃热退火后,形成的噻吩环面垂直于基底,π-π堆积方向平行于衬底二维微晶粒薄片结构较多,微晶粒薄片的晶粒结构较好,有利于载流子的传输.GIXRD测试实验结果也验证了,一个合适的退火处理,将更有利于这个自组织过程中"edge-on"的微晶粒薄片结构的形成,结果将导致高分子OFET中场效应迁移率的提高.
田雪雁赵谡玲徐征姚江峰张福俊贾全杰陈雨龚伟樊星
关键词：自组织退火
不同溶剂溶解聚合物光伏特性的研究
2009年
采用聚3-己基噻吩(P3HT)溶于不同溶剂作为光敏层制备光伏器件,器件结构为:ITO/PEDOT:PSS/P3HT/Al.我们分析了聚3-己基噻吩(P3HT)溶于不同溶剂制成的光敏层薄膜,并对光敏层薄膜的形貌通过原子力显微镜(AFM)进行了表征.研究发现,P3HT溶于氯苯的薄膜形貌最优,光伏特性最好,短路电流、开路电压都比溶于氯仿和二甲苯的高.
陈跃宁汪鹏徐证张馨芳
关键词：光伏
Effects of concentration and annealing on the performance of regioregular poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors
2009年
This paper investigates the effects of concentration on the crystalline structure, the morphology, and the charge carrier mobility of regioregular poly（3-hexylthiophene） （RR-P3HT） field-effect transistors （FETs）. The RR-P3HT FETs with RR-P3HT as an active layer with different concentrations of RR-P3HT solution from 0.5 wt% to 2 wt% are prepared. The results indicate that the performance of RR-P3HT FETs improves drastically with the increase of RR-P3HT weight percentages in chloroform solution due to the formation of more microcrystalline lamellae and bigger nanoscale islands. It finds that the field-effect mobility of RR-P3HT FET with 2 wt% can reach 5.78×10^-3 cm^2/Vs which is higher by a factor of 13 than that with 0.5 wt%. Further, an appropriate thermal annealing is adopted to improve the performance of RR-P3HT FETs. The field-effect mobility of RR-P3HT FETs increases drastically to 0.09 cm^2/Vs by thermal annealing at 150 ℃, and the value of on/off current ratio can reach 104.
田雪雁徐征赵谡玲张福俊袁广才徐叙瑢
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