-
兰天平
-
-
- 所属机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 所在地区:天津市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家部委资助项目
相关作者
- 周春锋
- 作品数：14被引量：28H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 研究主题：VGF GAAS 砷化镓 单晶生长 半绝缘
- 牛沈军
- 作品数：9被引量：25H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 研究主题：位错密度 砷化镓 GAAS单晶 晶体生长 GAAS
- 孙强
- 作品数：4被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 研究主题：砷化镓 砷化镓材料 VGF 单晶生长 位错密度
- 王建利
- 作品数：4被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 研究主题：位错密度 GAAS晶体 VB EPD 漂移速度
- 林健
- 作品数：9被引量：30H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 研究主题：单晶片 砷化镓 表面粗糙度 磷化铟 超薄
