朱樟震
作品数: 3被引量:3H指数:1
  • 所属机构:中国科学院高能物理研究所
  • 所在地区:北京市
  • 研究方向:电子电信

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作品数:19被引量:26H指数:4
供职机构:中国科学院微电子研究所
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作品数:9被引量:29H指数:3
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研究主题:LPCVD X射线光刻 氮化硅 氮化硅薄膜 可见光发射
伊福廷
作品数:140被引量:133H指数:6
供职机构:中国科学院高能物理研究所
研究主题:LIGA技术 光刻 LIGA 微细加工 光刻胶